[發明專利]集成電路封裝以及用于制造集成電路封裝的方法

有效

• 申請號: 201210599207.6
• 申請日: 2012-12-15
• 公開（公告）號: CN103219317A
• 公開（公告）日: 2013-07-24
• 發明（設計）人: F·德赫;G·邁耶-貝格
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/498
• 分類號: H01L23/498;H01L21/60;H05K1/18
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 馬永利;李浩

1.一種集成電路封裝，包括：

封裝模塊，其包括形成在載體中的一個或多個電路互連，其中至少一個頂側封裝觸點被形成在所述封裝模塊的頂側上并且被電連接到所述一個或多個電路互連中的至少一個電路互連，以及其中腔被形成在所述封裝模塊的頂側處；

布置在所述腔中的芯片，所述芯片包括至少一個芯片前側觸點和至少一個芯片后側觸點，其中所述至少一個芯片前側觸點被電連接到所述一個或多個電路互連中的至少一個另外的電路互連；

導電結構，其將所述至少一個頂側封裝觸點連接到所述芯片后側觸點；以及

金屬層，其被形成在所述導電結構和所述芯片后側觸點上。

2.根據權利要求1所述的集成電路封裝，

其中，所述封裝模塊包括載體，所述載體包括連續建立層，所述連續建立層包括疊層。

3.根據權利要求1所述的集成電路封裝，

其中，所述一個或多個電路互連穿過所述載體而被形成，并通過所述載體彼此電絕緣。

4.根據權利要求1所述的集成電路封裝，

其中，所述一個或多個電路互連中的所述至少一個電路互連被提供在所述封裝模塊的頂側和所述封裝模塊的底側之間。

5.根據權利要求1所述的集成電路封裝，

其中，所述一個或多個電路互連中的所述至少一個另外的電路互連被提供在所述腔和所述封裝模塊的底側之間。

6.根據權利要求1所述的集成電路封裝，

其中，所述至少一個芯片前側觸點被電連接到提供到所述腔的所述一個或多個電路互連中的所述至少一個另外的電路互連。

7.根據權利要求1所述的集成電路封裝，其中，所述至少一個頂側封裝觸點包括結構化頂側墊，其被電連接到所述一個或多個電路互連中的至少一個電路互連。

8.根據權利要求1所述的集成電路封裝，還包括：

形成在所述芯片和所述封裝模塊之間的間隙中的電絕緣填充材料。

9.根據權利要求1所述的集成電路封裝，還包括：

形成在所述芯片和所述腔的側壁之間的間隙中的電絕緣填充材料。

10.根據權利要求8所述的集成電路封裝，其中，所述導電結構被形成在所述電絕緣填充材料上。

11.根據權利要求10所述的集成電路封裝，其中，所述導電結構包括導電膠粘劑或油墨。

12.根據權利要求1所述的集成電路封裝，其中，所述導電結構將所述芯片后側觸點電連接到所述至少一個頂側封裝觸點。

13.根據權利要求1所述的集成電路封裝，其中，所述金屬層被形成在所述至少一個頂側封裝觸點上。

14.根據權利要求1所述的集成電路封裝，其中，所述金屬層被直接形成在所述導電結構上和直接形成在所述芯片后側觸點上。

15.根據權利要求14所述的集成電路封裝，其中，所述金屬層被直接形成在所述至少一個頂側封裝觸點上。

16.根據權利要求14所述的集成電路封裝，其中，所述金屬層包括電鍍金屬層。

17.根據權利要求1所述的集成電路封裝，還包括形成在所述金屬層上的熱沉材料。

18.一種用于制造集成電路封裝的方法，所述方法包括：

在封裝模塊的頂側處形成腔，所述封裝模塊包括形成在載體中的一個或多個電路互連，其中至少一個頂側封裝觸點被形成在所述封裝模塊的頂側上并且被電連接到所述一個或多個電路互連中的至少一個電路互連；

將芯片布置在所述腔中，所述芯片包括至少一個芯片前側觸點和至少一個芯片后側觸點，其中所述至少一個芯片前側觸點被電連接到所述一個或多個電路互連中的至少一個另外的電路互連；

將導電結構連接到至少一個頂側封裝觸點和所述芯片后側觸點；以及

在所述導電結構和所述芯片后側觸點上形成金屬層。

19.根據權利要求18所述的方法，還包括：

在所述芯片和所述腔的側壁之間的間隙中形成電絕緣填充材料，其中所述導電結構被形成在所述電絕緣填充材料上。