[發(fā)明專利]有機(jī)發(fā)光顯示裝置及其制造方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201210599069.1 | 申請(qǐng)日: | 2012-12-25 |
| 公開(公告)號(hào): | CN103378313A | 公開(公告)日: | 2013-10-30 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 趙正植;趙昭英 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 樂金顯示有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L51/52 | 分類號(hào): | H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京三友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127 | 代理人: | 呂俊剛;張旭東 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 有機(jī) 發(fā)光 顯示裝置 及其 制造 方法 | ||
1.一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置OLED,所述OLED包括:
基板;
第一陽極層,其設(shè)置在所述基板上,并且包括多個(gè)第一突起;
第二陽極層,其設(shè)置在所述第一陽極層上,并且包括多個(gè)第二突起;
有機(jī)發(fā)射層,其形成在所述第二陽極層上;以及
陰極層,其形成在所述有機(jī)發(fā)射層上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的OLED,其中,所述第一陽極層和所述第二陽極層用不同的材料形成。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的OLED,其中,所述第一陽極層包括錫氧化物或鋅氧化物,所述第二陽極層包括銦錫氧化物或銦鋅氧化物。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的OLED,其中,所述第一突起的寬度W1和所述第二突起的寬度W2分別不同,和/或所述第一突起的厚度T1和所述第二突起的厚度T2分別不同。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的OLED,其中,所述第一陽極層具有大約至大約的厚度T1,所述第一突起具有大約至大約的寬度W1,所述第二陽極層具有大約至大約的厚度T2,所述第二突起具有大約至大約的寬度W2。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的OLED,其中,所述第二突起的寬度W2比所述第一突起的寬度W1小大約2倍至大約500倍。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的OLED,其中,所述陰極層包括銀或鋁。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的OLED,其中,所述基板包括多個(gè)第三突起。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的OLED,所述基板還包括設(shè)置在所述基板上的低折射層,其中,所述低折射層包括與所述第一陽極層或所述第二陽極層接觸的多個(gè)第四突起。
10.一種制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置OLED的方法,所述方法包括以下步驟:
在基板上形成包括多個(gè)第一突起的第一陽極層;
在所述第一陽極層上形成包括多個(gè)第二突起的第二陽極層;
在所述第二陽極層上形成有機(jī)發(fā)射層;以及
在所述有機(jī)發(fā)射層上形成陰極層。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法,其中,所述第一陽極層和所述第二陽極層用不同的材料形成。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法,其中,所述第一陽極層包括錫氧化物或鋅氧化物,并且所述第二陽極層包括銦錫氧化物和/或銦鋅氧化物。
13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法,其中,所述第一突起的寬度W1和所述第二突起的寬度W2分別不同,和/或所述第一突起的厚度T1和所述第二突起的厚度T2分別不同。
14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法,其中,所述第一陽極層具有大約至大約的厚度T1,所述第一突起具有大約至大約的寬度W1,所述第二陽極層具有大約至大約的厚度T2,所述第二突起具有大約至大約的寬度W2。
15.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法,其中,所述第二突起的寬度W2比所述第一突起的寬度W1小大約2倍至大約500倍。
16.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法,其中,所述基板包括多個(gè)第三突起。
17.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法,所述方法還包括形成設(shè)置在所述基板上的低折射層,其中,所述低折射層包括與所述第一陽極層或所述第二陽極層接觸的多個(gè)第四突起。
18.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法,其中,通過濺射方法形成所述第一陽極層,其中,所述形成所述第一陽極層的步驟包括在多個(gè)柱狀體之間的空間在所述多個(gè)柱狀體中生長(zhǎng)所述第一陽極層,并且填充所述空間。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法,其中,所述方法還包括蝕刻或者激光工序,以形成所述多個(gè)第三突起。
20.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法,其中,在形成第一突起的過程中,所述基板的溫度被保持為與濺射材料的熔點(diǎn)近似,以逐漸降低所述溫度。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于樂金顯示有限公司,未經(jīng)樂金顯示有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201210599069.1/1.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機(jī)材料作有源部分或使用有機(jī)材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設(shè)備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的;具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應(yīng)紅外線輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉(zhuǎn)換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的,如有機(jī)發(fā)光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇
- 應(yīng)用有機(jī)材料制作有機(jī)發(fā)光裝置
- 有機(jī)發(fā)光材料及有機(jī)發(fā)光裝置
- 有機(jī)半導(dǎo)體組合物以及有機(jī)薄膜和具有該有機(jī)薄膜的有機(jī)薄膜元件
- 有機(jī)材料和包括該有機(jī)材料的有機(jī)發(fā)光裝置
- 有機(jī)發(fā)光元件、有機(jī)發(fā)光裝置、有機(jī)顯示面板、有機(jī)顯示裝置以及有機(jī)發(fā)光元件的制造方法
- 有序的有機(jī)-有機(jī)多層生長(zhǎng)
- 有機(jī)半導(dǎo)體材料和有機(jī)部件
- 有機(jī)水稻使用的有機(jī)肥
- 有機(jī)垃圾生物分解的有機(jī)菌肥
- 有機(jī)EL用途薄膜、以及有機(jī)EL顯示和有機(jī)EL照明





