[發(fā)明專利]有機(jī)發(fā)光顯示裝置及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210599069.1
• 申請日: 2012-12-25
• 公開（公告）號(hào): CN103378313A
• 公開（公告）日: 2013-10-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 趙正植;趙昭英
• 申請（專利權(quán)）人: 樂金顯示有限公司
• 主分類號(hào): H01L51/52
• 分類號(hào): H01L51/52;H01L51/56
• 代理公司: 北京三友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127
• 代理人: 呂俊剛;張旭東

技術(shù)領(lǐng)域

本公開涉及有機(jī)發(fā)光顯示裝置(OLED)及其制作方法，特別地，涉及一種光提取效率得到提高的OLED及其制作方法。

背景技術(shù)

在液晶顯示器之后，以薄厚度、高清晰度和低功率驅(qū)動(dòng)為特征的有機(jī)發(fā)光顯示裝置(OLED)作為下一代顯示器已經(jīng)引起越來越多的關(guān)注。反映這一當(dāng)前趨勢，已在廣泛地進(jìn)行致力于OLED的大規(guī)模生產(chǎn)的研究。

具體地，為了增強(qiáng)裝置，已開發(fā)了新的發(fā)射材料，并且已研究了用于促進(jìn)電子或者空穴供應(yīng)的多層結(jié)構(gòu)。此外，已研發(fā)了提高將內(nèi)部產(chǎn)生的光提取到裝置外部的效率的技術(shù)。

目前，通過OLED中的全內(nèi)反射被阻擋而未被外面提取的光占到總發(fā)射量的70％或者更多，如果這些光被外面提取，則OLED的光效率將會(huì)顯著提高。

圖1是常規(guī)OLED的截面圖，并且示出光沿基板110的方向穿過的底發(fā)射類型。根據(jù)圖1，OLED具有如下結(jié)構(gòu)：用銦錫氧化物(ITO)和/或銦鋅氧化物(IZO)形成的陽極層120、有機(jī)發(fā)射層130和用金屬形成的陰極層140順序地堆疊在基板110上。

從有機(jī)發(fā)射層130發(fā)射的光在陽極層120和基板110之間的邊界處實(shí)現(xiàn)全反射。這里，光的第一損耗量大體上占到總發(fā)射量的46％或者更多。另外，剩下的54％的透射光中，在基板110和空氣之間的邊界上全發(fā)射的光的第二損耗量大體上為34％或者更多。因此，在基板110的外部提取的光為從有機(jī)發(fā)射層130發(fā)射的光的發(fā)射率的20％或者更少。

OLED形成為超薄膜，并且所發(fā)射的光應(yīng)該穿過該薄膜以向外部發(fā)射，使得主要的光損耗可以由全反射引起。當(dāng)克服了這些問題時(shí)，OLED可以被更有效地實(shí)現(xiàn)。

發(fā)明內(nèi)容

因此，本發(fā)明涉及一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置(OLED)，該有機(jī)發(fā)光顯示裝置中，形成在基板上的陽極被形成為具有雙突起結(jié)構(gòu)，以提高光提取效率。

本公開的一個(gè)目的在于提供一種OLED，所述OLED包括：基板；第一陽極層，其設(shè)置在所述基板上，并且包括多個(gè)第一突起；第二陽極層，其形成在所述第一陽極層上，并且包括多個(gè)第二突起；有機(jī)發(fā)射層，其形成在所述第二陽極層上；以及陰極層，其形成在所述有機(jī)發(fā)射層上。

本發(fā)明的另一個(gè)目的在于提供一種制造OLED的方法，所述方法包括以下步驟：在基板上形成包括多個(gè)第一突起的第一陽極層；在所述第一陽極層上形成包括多個(gè)第二突起的第二陽極層；在所述第二陽極層上形成有機(jī)發(fā)射層；以及在所述有機(jī)發(fā)射層上形成陰極層。

應(yīng)當(dāng)理解，本發(fā)明的上述一般描述和下述詳細(xì)描述是示例性和說明性的，且旨在提供所要求保護(hù)的本發(fā)明的進(jìn)一步解釋。

附圖說明

附圖被包括以提供對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步理解，并結(jié)合到本說明書中且構(gòu)成本說明書的一部分，附圖示出了本發(fā)明的示例性實(shí)施方式，且與說明書一起用于解釋本發(fā)明的原理。附圖中：

圖1是常規(guī)有機(jī)發(fā)光裝置(OLED)的截面圖；

圖2是根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光裝置(OLED)的截面圖；

圖3是根據(jù)本發(fā)明的其它實(shí)施方式的OLED的截面圖；

圖4是根據(jù)本發(fā)明的其它實(shí)施方式的OLED的截面圖；

圖5A到圖5E是根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施方式的制造OLED的方法的截面圖；

圖6是根據(jù)本發(fā)明的其它實(shí)施方式的制造OLED的制法的截面圖；

圖7是根據(jù)本發(fā)明的其它實(shí)施方式的制造OLED的方法的截面圖。

具體實(shí)施方式

將對(duì)示例性實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)闡述，示例性實(shí)施方式的示例示出在附圖中。

圖2是根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光裝置(OLED)的截面圖。如圖2所示，根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施方式的OLED200包括基板210、第一陽極層220、第二陽極層230、有機(jī)發(fā)射層240和陰極層250。

第一突起P1和第二突起P2可形成在形成于基板210上的第一陽極層220和第二陽極層230上，使得減少全反射現(xiàn)象并提高光提取效率。突起P1和P2可由晶粒形成，所述晶粒通過逐漸硬化用于構(gòu)成通過濺射所形成的第一陽極層220和第二陽極層230的材料來產(chǎn)生。晶粒的尺寸根據(jù)材料而不同，第一陽極層220和第二陽極層230可用不同的材料形成，因此，突起P1的寬度W1和P2的寬度W2被不同地形成。這里所使用的寬度W1和W2表示在突起P1和P2的底部的水平方向上的長度。