[發明專利]半導體裝置有效
| 申請號: | 201210597892.9 | 申請日: | 2009-03-25 |
| 公開(公告)號: | CN103594526A | 公開(公告)日: | 2014-02-19 |
| 發明(設計)人: | 米田修二;大石正人;篠原保;渡邊信二;宮田浩司;深江誠二;山內健二;后藤陽一;馬場雅和 | 申請(專利權)人: | 索尼株式會社 |
| 主分類號: | H01L31/0203 | 分類號: | H01L31/0203 |
| 代理公司: | 北京信慧永光知識產權代理有限責任公司 11290 | 代理人: | 陳桂香;褚海英 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體 裝置 | ||
相關申請的交叉參考
本申請是申請日為2009年3月25日、發明名稱為“半導體裝置及半導體裝置制造方法”的第200910132306.1號專利申請的分案申請。
本申請包含與2008年3月27日向日本專利局提交的日本專利申請JP2008-084568相關的主題,在此將該日本專利申請的全部內容并入本文作為參考。
技術領域
本發明涉及半導體裝置。具體地,本發明涉及一種半導體裝置,其含有光電二極管并且是使用模塑樹脂來進行模壓密封的,該模塑樹脂未覆蓋光電二極管的光接收區域。
背景技術
光盤播放器被廣泛地用于播放被記錄在諸如CD-R(可記錄型壓縮盤)和DVD-R(可記錄型數字式通用盤)等光盤上的數據。
這種光盤播放器包括照射單元、光拾取器以及信號處理電路,其中照射單元利用用于讀取數據的激光(下文稱作“光”)來照射光盤的數據記錄面;該數據記錄面反射來自照射單元的光,而光拾取器接收從該數據記錄而反射的光并對應于所接收的光的強度而輸出數據信號;信號處理電路使來自光拾取器的數據信號受到預定的信號處理,從而產生能用顯示器等部件來顯示的信號。
在光拾取器的光接收部中具有包含光電二極管的光電探測集成電路(PDIC,photo?detector?integrated?circuit)。光電二極管作為將所接收到的光轉變為電信號的光電轉換元件。
為了保護這種PDIC中的半導體元件使其不受到來自于外部的沖擊、灰塵、周圍環境中的潮氣等的影響,通過使用環氧樹脂等來密封PDIC從而封裝PDIC,并且光電二極管的光接收區域不會被該環氧樹脂等覆蓋(例如,參見日本專利申請公開公報No.2003-017715)。
諸如上述被封裝的PDIC等半導體裝置一般是通過如下步驟而被制造出來的:將包括諸如光電二極管等半導體元件的基板接合到用作基臺的導線架(lead?frame)上;然后通過使用金屬布線將PDIC的各端子接合到導線架上的各端子上,從而進行引線接合;并且隨后將包括該PDIC的導線架裝填至預定形狀的模具中,并使用通過加熱而液化的密封樹脂來填充該模具。
在用上述方法來制造含有光電二極管的半導體裝置的過程中,當使用密封樹脂來填充模具時,該樹脂會流到光電二極管的光接收區域中。這例如是由光電二極管的形狀變化所導致的。
流到光電二極管的光接收區域中的密封樹脂會使光接收區域的尺寸減小,從而降低光電二極管的感光度。
在上述方法中,被加熱的密封樹脂會與諸如光電二極管等半導體元件直接接觸。在此步驟中施加到半導體元件上的熱量會改變在除了光電二極管的光接收區域之外的區域中的半導體元件的形狀或特性。這會使半導體元件的特性劣化,從而降低裝置產率。
發明內容
為了解決現有技術中的上述問題,本發明提供了半導體裝置。
本發明另一個實施例的半導體裝置包括:基板,在所述基板上形成有配線層、電極焊盤和光電二極管的光接收區域,所述配線層位于所述光接收區域的周圍,所述電極焊盤位于所述配線層上;在所述基板的上表面上形成的樹脂層,所述樹脂層包括位于所述光接收區域的周圍的至少一個凹槽,并保留在所述基板的所述上表面上的除所述光接收區域、所述至少一個凹槽和所述電極焊盤之外的區域上,且所述樹脂層具有耐熱和遮光能力,其中,在所述光接收區域上方存在有樹脂膜。
另外,所述半導體裝置還包括模塑樹脂部,所述模塑樹脂部是通過對上面帶有所述樹脂層的所述光電二極管進行模壓密封而形成的,且所述模塑樹脂部未覆蓋所述光接收區域。
另外,所述基板包含多個半導體元件,所述多個半導體元件包含所述光電二極管。
另外,所述至少一個凹槽包括具有不同直徑的多個同心圓凹槽。
另外,所述樹脂層由聚酰亞胺樹脂形成。
本發明能夠提供一種包括具有高感光度的光電二極管的半導體裝置。
附圖說明
圖1A、圖1B、圖1C和圖1D是示出了本發明實施例的半導體裝置的制造步驟的說明圖;
圖2A、圖2B、圖2C和圖2D是示出了本發明實施例的半導體裝置的制造步驟的說明圖;
圖3A和圖3B是示出了本發明實施例的半導體裝置的制造步驟的說明圖;
圖4是示出了本發明實施例的半導體裝置的制造步驟的說明圖;以及
圖5A、圖5B和圖5C是示出了本發明實施例的半導體裝置的制造步驟的說明圖。
具體實施方式
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于索尼株式會社,未經索尼株式會社許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201210597892.9/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:一種電動汽車新型前艙骨架結構
- 下一篇:肖特基二極管及其制作方法
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





