[發明專利]片式層壓電子元件、用于安裝該元件的板及其封裝單元有效
| 申請號: | 201210593420.6 | 申請日: | 2012-12-31 |
| 公開(公告)號: | CN103700499B | 公開(公告)日: | 2019-05-28 |
| 發明(設計)人: | 李淳哲;金佑燮;金東建;金璟俊;李圭鎬 | 申請(專利權)人: | 三星電機株式會社 |
| 主分類號: | H01G4/30 | 分類號: | H01G4/30;H01G4/12;H01G4/224;H05K1/18;B65D85/86 |
| 代理公司: | 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286 | 代理人: | 馬翠平;孫麗妍 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 層壓 電子元件 用于 安裝 元件 及其 封裝 單元 | ||
1.一種用于安裝在印刷電路板上的片式層壓電子元件,該片式層壓電子元件包括:
陶瓷本體,該陶瓷本體包括內電極和電介質層;
外電極,該外電極形成為覆蓋所述陶瓷本體的沿長度方向的兩個端部;
工作層,該工作層內相對布置有所述內電極且所述電介質層插入所述內電極之間,以形成電容;以及
上覆蓋層和下覆蓋層,該上覆蓋層和下覆蓋層形成在所述工作層的沿厚度方向的上部和下部,所述下覆蓋層的厚度大于所述上覆蓋層的厚度,且當所述片式層壓電子元件安裝在所述印刷電路板上時所述下覆蓋層被設置成與所述印刷電路板相鄰;
其中當所述陶瓷本體的厚度的一半定義為A、所述下覆蓋層的厚度定義為B、所述工作層的厚度的一半定義為C以及所述上覆蓋層的厚度定義為D時,
所述上覆蓋層的厚度D滿足D≥4μm的范圍,
所述工作層的中心部偏離所述陶瓷本體的中心部的比值(B+C)/A滿足1.063≤(B+C)/A≤1.745的范圍,
所述下覆蓋層包括標識層,該標識層的顏色區別于所述上覆蓋層的顏色,并且
所述標識層的厚度在30μm至與所述下覆蓋層的厚度相等的厚度的范圍內。
2.根據權利要求1所述的片式層壓電子元件,其中,所述上覆蓋層的厚度D與所述下覆蓋層的厚度B的比值D/B滿足0.021≤D/B≤0.422。
3.根據權利要求1所述的片式層壓電子元件,其中,所述下覆蓋層的厚度B與所述陶瓷本體的厚度的一半A的比值B/A滿足0.329≤B/A≤1.522。
4.根據權利要求1所述的片式層壓電子元件,其中,所述工作層的厚度的一半C與所述下覆蓋層的厚度B的比值C/B滿足0.146≤C/B≤2.458。
5.根據權利要求1所述的片式層壓電子元件,其中,所述標識層為白色。
6.根據權利要求1所述的片式層壓電子元件,其中,所述標識層的顏色比所述上覆蓋層的顏色明亮。
7.根據權利要求1所述的片式層壓電子元件,其中,所述標識層包括表示為ABO3的化合物作為主要成分,其中A包括鋇,B包括鈦,并且相對于100mol的所述主要成分,所述標識層包括1.0mol至30mol的硅和鋁作為輔助成分。
8.根據權利要求1所述的片式層壓電子元件,其中,所述標識層包括表示為ABO3的化合物作為主要成分,其中A包括鋇,B包括鋯以及鉿中的至少一者和鈦,并且相對于100mol的所述主要成分,所述標識層包括1.0mol至30mol的硅和鋁作為輔助成分。
9.根據權利要求1所述的片式層壓電子元件,其中,所述標識層包括表示為ABO3的化合物作為主要成分,其中A包括鈣、鋯以及鍶中的至少一者和鋇,B包括鈦,并且相對于100mol的所述主要成分,所述標識層包括1.0mol至30mol的硅和鋁作為輔助成分。
10.根據權利要求1所述的片式層壓電子元件,其中,所述標識層包括表示為ABO3的化合物作為主要成分,其中A包括鈣、鋯以及鍶中的至少一者和鋇,B包括鋯以及鉿中的至少一者和鈦,并且相對于100mol的所述主要成分,所述標識層包括1.0mol至30mol的硅和鋁作為輔助成分。
11.根據權利要求7至10中任一項所述的片式層壓電子元件,其中,相對于100mol的所述主要成分,所述標識層包括1.0mol至1.5mol的硅和0.2mol至0.8mol的鋁作為輔助成分。
12.根據權利要求7至10中任一項所述的片式層壓電子元件,其中,相對于100mol的所述主要成分,所述標識層包括0mol至2mol的鎂和0mol至0.09mol的錳。
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