[發明專利]發光器件

有效

• 申請號: 201210593041.7
• 申請日: 2012-12-31
• 公開（公告）號: CN103187496B
• 公開（公告）日: 2017-05-31
• 發明（設計）人: 丁鐘弼;黃凈鉉;金鐘國
• 申請（專利權）人: LG伊諾特有限公司
• 主分類號: H01L33/02
• 分類號: H01L33/02
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司72003
• 代理人: 張浴月,李玉鎖

技術領域

實施例涉及一種發光器件、發光器件的制造方法、發光器件封裝、以及照明系統。

背景技術

發光器件(LED)包括具有將電能轉換成光能的特性的p-n結二極管。p-n結二極管能夠通過結合周期表的III-V組元素形成。LED可以通過調節化合物半導體的組分比表現出不同的顏色。

當向LED施加正向電壓時，n層電子與p層空穴接合，使得可以產生與導帶和價電帶之間的能隙對應的能量。所述能量主要實現為熱量或光，并且LED將能量作為光來發射。

氮化物半導體表現出優良的熱穩定性和寬帶隙能量，使得氮化物半導體成了光學器件和高功率電子器件領域關注的焦點。尤其，采用氮化物半導體的藍色、綠色以及UV發光器件取得了發展，并得到了廣泛應用。

在根據現有技術的GaN基發光二級管(LED)中，為了提高發光效率，光效率通過有源層的設計得到了進一步提高，然后進行提高提取效率的工作，使得實現最優化。

根據現有技術，在發光器件芯片的下部使用在襯底上使用圖案的圖案化藍寶石襯底(PSS)，并且在發光器件芯片的上部使用粗糙化，使得可以提高光提取效率。然而，根據高輸出發光器件的要求，光提取效率的提高是必需的。

發明內容

實施例提供一種能夠提高光提取效率(light extraction efficiency)的發光器件、發光器件的制造方法、發光器件封裝以及照明系統。

實施例提供一種能夠提高光效率(optical efficiency)的發光器件、發光器件的制造方法、發光器件封裝以及照明系統。

根據實施例，提供一種發光器件，包括：襯底；第一導電半導體層，位于襯底上；有源層，位于第一導電半導體層上；第二導電半導體層，位于有源層上；以及氮化物半導體層，位于第二導電半導體層上，且折射率小于第二導電半導體層的折射率。

附圖說明

圖1為示出根據第一實施例的發光器件的剖視圖。

圖2為示出根據第一實施例的發光器件的局部放大圖。

圖3為示出根據第二實施例的發光器件的剖視圖。

圖4為示出根據第三實施例的發光器件的剖視圖。

圖5至圖8為示出根據實施例的發光器件的制造工藝的剖視圖。

圖9為示出根據實施例的發光器件封裝的剖視圖。

圖10為根據實施例的包括發光器件的照明系統的示例的分解透視圖。

具體實施方式

在下文中，將參考附圖描述根據實施例的發光器件、發光器件封裝以及照明系統。

在實施例的描述中，應當理解，當某一層(或膜)稱為位于另一層或襯底“上”時，其能夠直接位于另一層或襯底上，或者還可以存在中間層。進一步，應當理解，當某一層稱為位于另一層“下方”時，其能夠直接位于另一層下方，并還可以存在一個或多個中間層。另外，應當理解，當某一層稱為位于兩個層“之間”時，其能夠是位于兩個層之間的唯一層，或者還可以存在一個或多個中間層。

(實施例)

圖1為示出根據第一實施例的發光器件100的剖視圖，圖2為示出根據第一實施例的發光器件130的局部放大圖。

發光器件100可以包括：襯底105；第一導電半導體層112，位于襯底105上；有源層114，位于第一導電半導體層112上；第二導電半導體層116，位于有源層114上；以及氮化物半導體層130，位于第二導電半導體層116上，折射率小于第二導電半導體層116的折射率。

氮化物半導體層130可以包括Al_xGa_1-xN(0≤x≤1)。

實施例提供一種能夠提高光提取效率的發光器件、發光器件的制造方法、發光器件封裝以及照明系統。

實施例提供一種能夠提高光效率的發光器件、發光器件的制造方法、發光器件封裝以及照明系統。

為了實現上述目的，在發光二極管(LED)的生長期間原位生長低折射率的材料以提高光提取效率。

例如，氮化物半導體層130的折射率n可以從有源層114到第二導電半導體層116變得逐漸減小。

氮化物半導體層130可以與第二導電半導體層116接觸。

實施例可以通過控制包含于氮化物半導體層130中的Al的組分(composition)來控制氮化物半導體層的折射率。例如，包含于氮化物半導體層130中的Al的組分x可以從有源層114到第二導電半導體層116變得逐漸增大。