[發(fā)明專利]發(fā)光器件有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210593041.7 | 申請日： | 2012-12-31 |
| 公開（公告）號： | CN103187496B | 公開（公告）日： | 2017-05-31 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 丁鐘弼;黃凈鉉;金鐘國 | 申請（專利權(quán)）人： | LG伊諾特有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/02 | 分類號： | H01L33/02 |
| 代理公司： | 隆天知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司72003 | 代理人： | 張浴月,李玉鎖 |
| 地址： | 韓國*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 發(fā)光 器件 | ||
1.一種發(fā)光器件，包括：
襯底；
第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層，位于所述襯底上；
有源層，位于所述第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層上；
第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層，位于所述有源層上；以及
氮化物半導(dǎo)體層，位于所述第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層的頂面上，且所述氮化物半導(dǎo)體層的折射率小于所述第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層的折射率，
其中所述氮化物半導(dǎo)體層包括n型氮化物半導(dǎo)體層，并且
其中所述氮化物半導(dǎo)體層的折射率隨著所述氮化物半導(dǎo)體層遠離所述第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層變得逐漸減小。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中，所述氮化物半導(dǎo)體層包括AlxGa1-xN層，0≤x≤1。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光器件，其中，所述氮化物半導(dǎo)體層中的Al的組分隨著所述氮化物半導(dǎo)體層遠離所述第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層變得逐漸增大。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3的任何一個所述的發(fā)光器件，其中所述n型氮化物半導(dǎo)體層具有用于使得能夠隧穿的足夠的厚度。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至3的任何一個所述的發(fā)光器件，其中，所述氮化物半導(dǎo)體層與所述第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層接觸。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至3的任何一個所述的發(fā)光器件，還包括位于所述氮化物半導(dǎo)體層上的第一傳輸歐姆層。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的發(fā)光器件，其中，所述第一傳輸歐姆層具有的折射率小于所述氮化物半導(dǎo)體層的折射率。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光器件，還包括位于所述第一傳輸歐姆層上的第二電極。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光器件，其中，所述傳輸歐姆層的水平寬度等于或小于所述氮化物半導(dǎo)體層的水平寬度。
10.根據(jù)權(quán)利要求1至3的任何一個所述的發(fā)光器件，還包括位于所述氮化物半導(dǎo)體層上的折射率小于所述氮化物半導(dǎo)體層的折射率的透明絕緣層。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的發(fā)光器件，還包括位于所述第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層上的第二電極，
其中所述第二電極穿過所述氮化物半導(dǎo)體層與所述第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層接觸。
12.根據(jù)權(quán)利要求1至3的任何一個所述的發(fā)光器件，還包括位于所述第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層與所述氮化物半導(dǎo)體層之間的第二傳輸歐姆層。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的發(fā)光器件，其中，所述第二傳輸歐姆層具有的折射率在所述第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層的折射率與所述氮化物半導(dǎo)體層的折射率之間。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的發(fā)光器件，還包括位于所述第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層上的第二電極，
其中所述第二電極形成在所述第二傳輸歐姆層上。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的發(fā)光器件，其中，所述第二電極穿過所述氮化物半導(dǎo)體層與所述第二傳輸歐姆層接觸。
16.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光器件，其中，所述氮化物半導(dǎo)體層的折射率沿著從所述有源層到所述第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層的方向從2.4逐漸減小到2.0。
17.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光器件，其中，所述氮化物半導(dǎo)體層包括第一氮化物半導(dǎo)體層、第二氮化物半導(dǎo)體層、第三氮化物半導(dǎo)體層、第四氮化物半導(dǎo)體層、第五氮化物半導(dǎo)體層、第六氮化物半導(dǎo)體層、第七氮化物半導(dǎo)體層、第八氮化物半導(dǎo)體層以及第九氮化物半導(dǎo)體層，所述第一氮化物半導(dǎo)體層包括GaN，并且所述第九氮化物半導(dǎo)體層包括AlN。
18.根據(jù)權(quán)利要求6所述的發(fā)光器件，其中，所述第一傳輸歐姆層的折射率被控制為從2.0至1.0。
19.根據(jù)權(quán)利要求10所述的發(fā)光器件，其中，所述透明絕緣層包括氧化硅或氮化硅。
20.根據(jù)權(quán)利要求5所述的發(fā)光器件，其中所述氮化物半導(dǎo)體層的最下表面與所述第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層的最上表面接觸。
21.根據(jù)權(quán)利要求18所述的發(fā)光器件，其中所述第一傳輸歐姆層的折射率小于所述氮化物半導(dǎo)體層的最小折射率。
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