[發(fā)明專利]發(fā)光器件有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210593041.7 | 申請日： | 2012-12-31 |
| 公開（公告）號： | CN103187496B | 公開（公告）日： | 2017-05-31 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 丁鐘弼;黃凈鉉;金鐘國 | 申請（專利權(quán)）人： | LG伊諾特有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/02 | 分類號： | H01L33/02 |
| 代理公司： | 隆天知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司72003 | 代理人： | 張浴月,李玉鎖 |
| 地址： | 韓國*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 發(fā)光 器件 | ||
1.一種發(fā)光器件，包括：
襯底；
第一導電半導體層，位于所述襯底上；
有源層，位于所述第一導電半導體層上；
第二導電半導體層，位于所述有源層上；以及
氮化物半導體層，位于所述第二導電半導體層的頂面上，且所述氮化物半導體層的折射率小于所述第二導電半導體層的折射率，
其中所述氮化物半導體層包括n型氮化物半導體層，并且
其中所述氮化物半導體層的折射率隨著所述氮化物半導體層遠離所述第二導電半導體層變得逐漸減小。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中，所述氮化物半導體層包括AlxGa1-xN層，0≤x≤1。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光器件，其中，所述氮化物半導體層中的Al的組分隨著所述氮化物半導體層遠離所述第二導電半導體層變得逐漸增大。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3的任何一個所述的發(fā)光器件，其中所述n型氮化物半導體層具有用于使得能夠隧穿的足夠的厚度。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至3的任何一個所述的發(fā)光器件，其中，所述氮化物半導體層與所述第二導電半導體層接觸。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至3的任何一個所述的發(fā)光器件，還包括位于所述氮化物半導體層上的第一傳輸歐姆層。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的發(fā)光器件，其中，所述第一傳輸歐姆層具有的折射率小于所述氮化物半導體層的折射率。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光器件，還包括位于所述第一傳輸歐姆層上的第二電極。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光器件，其中，所述傳輸歐姆層的水平寬度等于或小于所述氮化物半導體層的水平寬度。
10.根據(jù)權(quán)利要求1至3的任何一個所述的發(fā)光器件，還包括位于所述氮化物半導體層上的折射率小于所述氮化物半導體層的折射率的透明絕緣層。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的發(fā)光器件，還包括位于所述第二導電半導體層上的第二電極，
其中所述第二電極穿過所述氮化物半導體層與所述第二導電半導體層接觸。
12.根據(jù)權(quán)利要求1至3的任何一個所述的發(fā)光器件，還包括位于所述第二導電半導體層與所述氮化物半導體層之間的第二傳輸歐姆層。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的發(fā)光器件，其中，所述第二傳輸歐姆層具有的折射率在所述第二導電半導體層的折射率與所述氮化物半導體層的折射率之間。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的發(fā)光器件，還包括位于所述第二導電半導體層上的第二電極，
其中所述第二電極形成在所述第二傳輸歐姆層上。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的發(fā)光器件，其中，所述第二電極穿過所述氮化物半導體層與所述第二傳輸歐姆層接觸。
16.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光器件，其中，所述氮化物半導體層的折射率沿著從所述有源層到所述第二導電半導體層的方向從2.4逐漸減小到2.0。
17.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光器件，其中，所述氮化物半導體層包括第一氮化物半導體層、第二氮化物半導體層、第三氮化物半導體層、第四氮化物半導體層、第五氮化物半導體層、第六氮化物半導體層、第七氮化物半導體層、第八氮化物半導體層以及第九氮化物半導體層，所述第一氮化物半導體層包括GaN，并且所述第九氮化物半導體層包括AlN。
18.根據(jù)權(quán)利要求6所述的發(fā)光器件，其中，所述第一傳輸歐姆層的折射率被控制為從2.0至1.0。
19.根據(jù)權(quán)利要求10所述的發(fā)光器件，其中，所述透明絕緣層包括氧化硅或氮化硅。
20.根據(jù)權(quán)利要求5所述的發(fā)光器件，其中所述氮化物半導體層的最下表面與所述第二導電半導體層的最上表面接觸。
21.根據(jù)權(quán)利要求18所述的發(fā)光器件，其中所述第一傳輸歐姆層的折射率小于所述氮化物半導體層的最小折射率。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于LG伊諾特有限公司，未經(jīng)LG伊諾特有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201210593041.7/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
