[發明專利]一種硅合金造渣提純多晶硅的方法無效
| 申請號: | 201210590819.9 | 申請日: | 2012-12-31 |
| 公開(公告)號: | CN103011170A | 公開(公告)日: | 2013-04-03 |
| 發明(設計)人: | 譚毅;李亞瓊;李佳艷;賈朋軍 | 申請(專利權)人: | 大連理工大學 |
| 主分類號: | C01B33/037 | 分類號: | C01B33/037 |
| 代理公司: | 大連星海專利事務所 21208 | 代理人: | 徐淑東 |
| 地址: | 116024 遼*** | 國省代碼: | 遼寧;21 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 合金 造渣 提純 多晶 方法 | ||
1.一種硅合金造渣提純多晶硅的方法,其特征是:首先采用金屬與冶金硅進行合金化熔煉得到硅合金;然后以硅合金為原料,加入堿性渣劑,進行造渣熔煉提純;最后將熔體保溫、冷卻后依據密度差分離得到高純硅、渣劑和硅合金,渣劑和硅合金回收重復利用。
2.根據權利要求1所述的一種硅合金造渣提純多晶硅的方法,其特征是:所述方法具體步驟如下:
第一步合金化熔煉:采用鋁、錫、鐵、銅、鈦金屬中的一種或幾種與冶金硅在1000-1450℃氬氣保護條件下進行合金化熔煉得到硅合金;
第二步硅合金造渣熔煉:將第一步得到的硅合金作為原料,選用堿性渣劑Na2SiO3-CaO-TiO2,混合后在1300-1550℃的溫度下加熱熔化形成熔融液;
第三步分離回收:將熔融液保溫0.5-4h,再以0.5-10℃/min的速度冷卻至1000-1200℃,保溫待高純硅、渣劑和硅合金分層后,傾倒,得到高純硅、渣劑和硅合金,渣劑和硅合金回收重復使用。
3.根據權利要求1或2任一所述的一種硅合金造渣提純多晶硅的方法,其特征是:所述金屬的質量分數為10%-50%,其純度為99%-99.9%。
4.根據權利要求1或2任一所述的一種硅合金造渣提純多晶硅的方法,其特征是:所述冶金硅的純度為98%-99%,含硼量為10-50ppmw。
5.根據權利要求1或2任一所述的一種硅合金造渣提純多晶硅的方法,其特征是:所述硅合金的密度為3-6g/cm3。
6.根據權利要求1或2任一所述的一種硅合金造渣提純多晶硅的方法,其特征是:所述堿性渣劑的堿度為1.2-2.0,密度為2.5-3g/cm3。
7.根據權利要求1或2任一所述的一種硅合金造渣提純多晶硅的方法,其特征是:所述堿性渣劑與硅合金的質量比為0.5-5。
8.根據權利要求1或2任一所述的一種硅合金造渣提純多晶硅的方法,其特征是:所述高純硅中硼的含量低于0.3ppmw。
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