[發明專利]靜電卡盤和反應腔室有效
| 申請號: | 201210590493.X | 申請日: | 2012-12-31 |
| 公開(公告)號: | CN103904014A | 公開(公告)日: | 2014-07-02 |
| 發明(設計)人: | 聶淼 | 申請(專利權)人: | 北京北方微電子基地設備工藝研究中心有限責任公司 |
| 主分類號: | H01L21/683 | 分類號: | H01L21/683;H01J37/32 |
| 代理公司: | 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;張天舒 |
| 地址: | 100176 北*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 靜電 卡盤 反應 | ||
技術領域
本發明涉及半導體技術領域,特別涉及一種靜電卡盤和反應腔室。
背景技術
在半導體加工領域,一般在真空反應腔室中,通過刻蝕(Etch)工藝或化學氣相沉積(CVD)工藝將反應材料形成在晶片表面。在此過程中,可通過機械夾持裝置或靜電卡盤(ESC)將晶片固定在真空反應腔室內特定的工位上,工藝氣體通過管路輸送到真空反應腔室之中,同時真空反應腔室中射頻電場(RF)將工藝氣體增能為等離子狀態。在半導體生產工藝中,卡盤可用于固定和支撐晶片,避免晶片在處理過程中出現移動或者錯位現象。卡盤可包括機械卡盤、真空卡盤或靜電卡盤等。靜電卡盤采用靜電引力來固定晶片,因此相對于機械卡盤和真空卡盤,其具有很多優勢。靜電卡盤減少了在使用機械卡盤時由于壓力、碰撞等原因造成的晶片破損的問題,增大了晶片的有效加工面積,減少了晶片表面腐蝕物顆粒的沉積,并且該靜電卡盤可以在真空工藝環境下工作。傳統的靜電卡盤的工作溫度一般在100℃以內,隨著半導體工藝進入32-22納米技術帶后,高K柵介質和金屬柵電極MOS器件被引入IC生產工藝。為實現上述生產工藝,通常要求下電極的溫度在200℃以上,這對傳統的靜電卡盤來說是難以達到的,因此需要可以在高溫下工作的靜電卡盤來實現上述工藝。
專利TW201027661A1公開了一種高溫靜電卡盤,圖1為專利TW201027661A1中一種高溫靜電卡盤的結構示意圖,圖2為圖1中凸起部分的結構示意圖,如圖1和圖2所示,卡盤上部550A與卡盤下部550B通過凸起部分503處結合在一起,凸起部分503通過擴散連接方式與卡盤上部550A和卡盤下部550B連接,凸起部分503對卡盤上部550A起到支撐和密封的作用,同時熱量從550A通過凸起部分503傳遞到卡盤下部550B,起到了阻熱的作用。卡盤上部550A與卡盤下部550B之間形成間隙G,其尺寸范圍從20微米到1000微米。
現有技術中至少存在如下技術問題:
加熱線和加靜電引力線等會從凸起部分503的中心孔中引出。為了解決加熱時卡盤上部550A與卡盤下部550B由于熱膨脹系數不同而引起的機械應力,凸起部分503的位置會盡量靠近卡盤中心,這會導致凸起部分503的中心孔較小,不利于卡盤上部550A內加熱線和靜電引力線等引線的引出。
發明內容
本發明提供一種靜電卡盤和反應腔室。其能夠有效解決靜電卡盤在高溫階段的熱膨脹和隔熱問題,同時降低電卡盤的加工難度,便于卡盤內部引線的引出。
為實現上述目的,本發明提供了一種靜電卡盤,包括:靜電卡盤組件、冷卻件、支撐隔熱件和密封隔熱件,其中:
所述靜電卡盤組件位于所述冷卻件的上方,所述支撐隔熱件設置于所述靜電卡盤組件和所述冷卻件之間,所述密封隔熱件設置于所述靜電卡盤組件和所述冷卻件之間,且所述密封隔熱件分別與所述靜電卡盤組件和所述冷卻件密封連接,所述密封隔熱件位于所述支撐隔熱件的外側,所述密封隔熱件和所述支撐隔熱件之間形成有間隔空間,所述間隔空間用于引出引線。
可選地,所述密封隔熱件為環形結構,所述支撐隔熱件為環形結構。
可選地,所述密封隔熱件為薄壁環形結構。
可選地,所述支撐隔熱件與所述冷卻件連接,所述支撐隔熱件支撐所述靜電卡盤組件。
可選地,所述支撐隔熱件通過螺紋連接方式與所述冷卻件連接。
可選地,所述密封隔熱件與所述靜電卡盤組件之間通過擴散連接方式連接,所述密封隔熱件與所述冷卻件之間通過擴散方式連接。
可選地,所述支撐隔熱件位于所述靜電卡盤組件的中間位置,所述密封隔熱件位于所述靜電卡盤組件的邊緣位置。
可選地,所述冷卻件上設置有通孔,所述通孔用于將所述間隔空間引出的引線導出。
可選地,所述靜電卡盤組件和冷卻件內設置有氣體通道,通過通入導熱氣體來提高襯底溫度的均勻性。
為實現上述目的,本發明提供了一種反應腔室,包括:腔體、上述靜電卡盤和射頻電源,所述靜電卡盤位于所述腔體的內部,所述射頻電源用于向所述腔體提供射頻功率。
本發明具有以下有益效果:
1、采用本發明的高溫靜電卡盤,大大降低了加工的難度,降低了加工成本;
2、采用本發明的高溫靜電卡盤,增大了靜電卡盤內部真空的范圍,降低了靜電卡盤內部電線電纜的引出難度。
附圖說明
圖1為專利TW201027661A1中一種高溫靜電卡盤的結構示意圖;
圖2為圖1中凸起部分的結構示意圖;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





