[發(fā)明專(zhuān)利]基板結(jié)構(gòu)、半導(dǎo)體封裝件及半導(dǎo)體封裝件的制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210589672.1
• 申請(qǐng)日: 2012-12-19
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103165566A
• 公開(kāi)（公告）日: 2013-06-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 周輝星;林少雄
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 先進(jìn)封裝技術(shù)私人有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L23/498
• 分類(lèi)號(hào): H01L23/498;H01L23/488;H01L21/48
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種基板結(jié)構(gòu)，包括：

導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，包括：

第一導(dǎo)電層，具有一下表面；

第二導(dǎo)電層，設(shè)于該第一導(dǎo)電層的該下表面上；

電性元件，設(shè)于該第一導(dǎo)電層的該下表面上；

封裝體，包覆該導(dǎo)電結(jié)構(gòu)及該電性元件且具有一上表面；以及

環(huán)狀電性結(jié)構(gòu)，環(huán)繞該導(dǎo)電結(jié)構(gòu)及該電性元件而設(shè)于該封裝體的該上表面的邊緣并露出該導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。

2.如權(quán)利要求1所述的基板結(jié)構(gòu)，其中該第一導(dǎo)電層包括多條走線，該電性元件跨接二該走線。

3.如權(quán)利要求1所述的基板結(jié)構(gòu)，其中該電性元件是被動(dòng)元件。

4.如權(quán)利要求1所述的基板結(jié)構(gòu)，其中該電性元件是焊線。

5.如權(quán)利要求1所述的基板結(jié)構(gòu)，其中該電性元件是電性支架。

6.如權(quán)利要求5所述的基板結(jié)構(gòu)，其中該第一導(dǎo)電層包括相隔離的一第一走線、一第二走線與一第三走線，該第三走線位于該第一走線與該第二走線之間，該電性元件包括：

第一墊高塊，設(shè)于該第一走線上；

第二墊高塊，設(shè)于該第二走線上；以及

連接件，連接該第一墊高塊與該第二墊高塊，并通過(guò)該第一墊高塊及該第二墊高塊與該第三走線間隔一距離。

7.如權(quán)利要求6所述的基板結(jié)構(gòu)，其中該電性元件是一主動(dòng)裝置，而該連接件是一半導(dǎo)體芯片，該第一墊高塊及該第二墊高塊形成于該半導(dǎo)體芯片上而構(gòu)成一倒裝；其中，該第一墊高塊及該第二墊高塊設(shè)于該第一走線及該第二走線，而提供電連接功能。

8.如權(quán)利要求1所述的基板結(jié)構(gòu)，其中該電性元件是主動(dòng)芯片。

9.如權(quán)利要求8所述的基板結(jié)構(gòu)，其中該導(dǎo)電結(jié)構(gòu)還包括一第三導(dǎo)電層形成于該第一導(dǎo)電層與該第二導(dǎo)電層之間，該第一導(dǎo)電層包括相隔離的一第一走線、一第二走線與一第三走線，該第三走線位于該第一走線與該第二走線之間，且該第三導(dǎo)電層形成于該第一走線及該第二走線上但未形成于該第三走線上，該電性元件通過(guò)該第三導(dǎo)電層與該第三走線間隔一距離。

10.如權(quán)利要求9所述的基板結(jié)構(gòu)，其中該電性元件具有一主動(dòng)面，該主動(dòng)面朝向該第三走線。

11.如權(quán)利要求1所述的基板結(jié)構(gòu)，其中該環(huán)狀電性結(jié)構(gòu)具有一開(kāi)孔及一貫孔，該開(kāi)孔露出該導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的上表面，而該貫孔位于該開(kāi)孔的內(nèi)側(cè)壁與外側(cè)壁之間，且未與該封裝體上下重疊。

12.如權(quán)利要求1所述的基板結(jié)構(gòu)，其中該第一導(dǎo)電層包括多條走線，而該第二導(dǎo)電層包括多個(gè)導(dǎo)電柱，各該導(dǎo)電柱設(shè)于對(duì)應(yīng)的該走線。

13.一種半導(dǎo)體封裝件，包括：

基板結(jié)構(gòu)，包括：

導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，包括：

第一導(dǎo)電層，具有一下表面；

第二導(dǎo)電層，設(shè)于該第一導(dǎo)電層的該下表面上；

電性元件，設(shè)于該導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的該下表面上；及

第一封裝體，包覆該導(dǎo)電結(jié)構(gòu)及該電性元件且具有一上表面；

半導(dǎo)體芯片，設(shè)于該第一導(dǎo)電層的該上表面上；以及

第二封裝體，包覆該半導(dǎo)體芯片。

14.一種半導(dǎo)體封裝件的制造方法，包括：

提供一電性載板，該電性載板具有相對(duì)的一上表面與一下表面；

形成一第一導(dǎo)電層于該電性載板的該下表面上，其中該第一導(dǎo)電層具有一下表面；

形成一第二導(dǎo)電層于該第一導(dǎo)電層的該下表面上，其中該第二導(dǎo)電層及該第一導(dǎo)電層構(gòu)成一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)；

設(shè)置一電性元件于該第一導(dǎo)電層的該下表面上；

形成一第一封裝體包覆該第一導(dǎo)電層、該第二導(dǎo)電層及該電性元件但不覆蓋該電性載板的該下表面的邊緣；

移除該第一封裝體的一部分，直到露出該第二導(dǎo)電層；以及

移除該電性載板的部分材料，使該電性載板的保留部分形成一環(huán)狀電性結(jié)構(gòu)，其中該環(huán)狀電性結(jié)構(gòu)保留于該封裝體的上表面上、環(huán)繞該導(dǎo)電結(jié)構(gòu)及該電性元件并露出該導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的該上表面。

15.如權(quán)利要求14所述的制造方法，其中該第一導(dǎo)電層包括多條走線；

在設(shè)置該性元件于該第一導(dǎo)電層的該下表面上的該步驟中，該電性元件跨接二該走線。

16.如權(quán)利要求14所述的基板結(jié)構(gòu)，其中該電性元件是被動(dòng)元件、主動(dòng)芯片、焊線或電性支架。