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[發明專利]單點確定晶圓測試范圍的方法有效

專利信息
申請號: 201210589640.1 申請日: 2012-12-31
公開(公告)號: CN103063185B 公開(公告)日: 2017-04-19
發明(設計)人: 羅楊;劉國敬;霍杰 申請(專利權)人: 中國電子科技集團公司第四十五研究所
主分類號: G01B21/20 分類號: G01B21/20
代理公司: 北京中建聯合知識產權代理事務所(普通合伙)11004 代理人: 朱麗巖,劉湘舟
地址: 100176 北京市大*** 國省代碼: 北京;11
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摘要:
搜索關鍵詞: 單點 確定 測試 范圍 方法
【說明書】:

技術領域

發明涉及探針臺測試領域,尤其涉及一種單點確定晶圓測試范圍的方法。

背景技術

在半自動探針測試設備中,由于不具有機器視覺設備,需要人工輔助來快速準確的確定晶圓的測試范圍。

目前,定位晶圓的測試范圍公知的方法是固定圓心或是多點計算圓心法。前者對于晶圓的擺放位置要求很嚴格;后者操作繁瑣,不利于提高生產效率。

發明內容

本發明的目的在于提供了一種操作簡便且可快速準確地確定出晶圓測試范圍的單點確定晶圓測試范圍的方法,旨在解決現有技術下定位晶圓測試范圍用的固定圓心法對晶圓的擺放位置要求嚴格,缺乏靈活性以及多點計算圓心法操作繁瑣、效率低下的技術問題。

本發明是這樣實現的,一種單點確定晶圓測試范圍的方法,包括以下步驟:

計算晶圓Map分布圖上啟測點晶粒的理論Map坐標;

通過人工方式錄入晶圓上啟測點晶粒的當前電機脈沖坐標;

根據所述當前電機脈沖坐標計算所述晶圓上啟測點晶粒的實際Map坐標;

根據所述理論Map坐標和實際Map坐標間的坐標映射關系,確定晶圓的實際測試范圍。

所述的晶圓Map分布圖上啟測點晶粒的理論Map坐標,是指所述晶圓Map分布圖上第一行最左端的晶粒的Map坐標。

所述的晶圓上啟測點晶粒的當前電機脈沖坐標,是指晶圓左上角第一個晶粒的當前電機脈沖坐標。

所述的根據所述理論Map坐標和實際Map坐標間的坐標映射關系,確定晶圓的實際測試范圍,是指通過所述理論Map坐標和實際Map坐標間的映射關系確定出啟測點的理論Map坐標和實際Map坐標間的坐標偏移量,然后根據所述坐標偏移量結合固定圓心算法來確定晶圓的實際測試范圍。

本發明中,是根據輸入的晶圓直徑、晶粒尺寸及晶粒分布奇偶性特征參數,計算所述晶圓Map分布圖上啟測點晶粒的理論Map坐標。

本發明中,所述的通過人工方式錄入晶圓上啟測點晶粒的當前電機脈沖坐標的前提條件是,啟動測試探針臺,上片掃描并將放在承片臺上的晶圓上的啟測點晶粒的焊盤與測試探針對準,然后再錄入晶圓上啟測點晶粒的當前電機脈沖坐標。

在不具有機器視覺的半自動探針設備中,本發明方法不限制晶圓在承片臺上的擺放位置,僅借助簡單的人工輔助操作,通過晶圓上指定的一個特殊位置的晶粒,即啟測點晶粒的坐標映射關系就能快速準確地確定計算出整個晶圓的測試范圍,相比較于目前所述的兩點或三點確定圓心的方法操作更簡單,更為快速,且測試范圍也能準確定位,有利于提高生產效率。

附圖說明

圖1是本發明實施例提供的單點確定晶圓測試范圍的方法的流程圖。

圖2 計算晶粒在晶圓Map分布圖上X、Y方向的半徑R上最多能分布的個數。

圖3 計算晶粒中心與晶圓中心的距離C。

圖4 計算坐標偏移量。

具體實施方式

為了使本發明的目的、技術方案及優點更加清楚明白,以下結合附圖,對本發明進行進一步詳細說明。

本發明通過根據輸入的已知的晶圓直徑、晶粒尺寸,計算晶圓Map分布圖上的晶粒分布情況,推算出晶圓Map分布圖上的啟測點晶粒的理論Map坐標;然后通過人工錄入的承片臺上實際晶圓上對應的啟測點晶粒的脈沖坐標,計算出晶圓上啟測點晶粒的實際Map坐標,建立該理論Map坐標與實際Map坐標兩組坐標之間的坐標映射關系,根據該映射關系確定坐標偏移量,并根據該坐標偏移量,結合固定圓心算法最終確定出晶圓的實際測試范圍。

請參見圖1所示,該圖1示出了本發明實施例提供的單點確定晶圓測試范圍的算法的流程,為了便于說明,僅示出了與本發明實施例有關的部分。

本發明所述的單點確定晶圓測試范圍的方法,包括以下步驟:

步驟1:根據輸入的已知的晶圓直徑、晶粒尺寸S,計算晶粒在晶圓Map分布圖上X、Y方向的半徑R上最多能分布的個數(圖2),分別記為Nx和Ny

公式:Nx = R / Sx;

Ny = R / Sy;

步驟2:計算晶圓Map分布圖上的啟測點晶粒(晶圓Map分布圖上第一行最左端的晶粒)的理論Map坐標;

首先,要計算指定的晶粒的理論Map坐標是否在晶圓測試范圍內,計算公式如下:

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