[發明專利]一種EMMC芯片壽命檢測方法有效
| 申請號: | 201210589306.6 | 申請日: | 2012-12-31 |
| 公開(公告)號: | CN103514958A | 公開(公告)日: | 2014-01-15 |
| 發明(設計)人: | 羅宏選;張航志 | 申請(專利權)人: | TCL集團股份有限公司 |
| 主分類號: | G11C29/08 | 分類號: | G11C29/08 |
| 代理公司: | 深圳市君勝知識產權代理事務所 44268 | 代理人: | 王永文;楊宏 |
| 地址: | 516001 廣東省惠州市*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 emmc 芯片 壽命 檢測 方法 | ||
技術領域
本發明涉及移動設備存儲芯片,尤其涉及一種EMMC芯片壽命檢測方法。
背景技術
隨著智能電視和移動終端設備的飛速發展,在這些設備上存儲系統數據和用戶數據的芯片大都采用flash芯片實現,因此flash芯片存儲對整個設備的系統安全來說是極為重要的。
在目前主流應用android系統的設備中,flash存儲包括兩種方案,一種是flash+專用文件系統(YAFFS,Yet?Another?Flash?File?System),另外一種是EMMC芯片(Embedded?Multi?Media?Card)+傳統文件系統。由于EMMC芯片具有接口統一,體積小,讀寫速度快,使用方便等優點,被越來越多用做智能電視,手機,MID等的存儲芯片。EMMC芯片將控制器和flash存儲封裝在一塊芯片中,因此,其可以直接使用傳統文件系統。
現有技術EMMC芯片存儲部分采用的是flash芯片,flash芯片的存儲單元包括SLC(Single?Level?Cell單層單元)和MLC(Multi-Level?Cell多層單元)兩種架構的芯片,讀寫仍然有存儲壽命限制,其壽命主要取決于對塊的擦除次數。其中,SLC芯片的擦寫周期有的高達100000次,而MLC芯片有的只有3000次,甚至更低的只有1000次的擦除壽命。在Android智能電視或移動終端設備的應用環境中,有時需要向EMMC芯片上保存一些數據或者更新一些數據,這樣就涉及到flash芯片的擦寫,頻繁的擦寫會縮短flash芯片的壽命進而會影響到整個設備的壽命。然而,在設備的具體使用過程中,系統應用對EMMC芯片訪問的頻率是多少,每次數據的存儲量是多少,均無法直觀看到。對于EMMC芯片的使用情況也無法得知,EMMC芯片的壽命也無法預知。系統中每個應用是獨立開發的,可能會運行在各種不同的平臺上,對存儲的需求也是不一樣的,因此對某個設備而言,存儲的操作可能是復雜的。這樣就有可能導致讀寫出現問題,進而丟失數據或造成不必要的損失。
因此,現有技術還有待于改進和發展。
發明內容
鑒于上述現有技術的不足之處,本發明為解決現有技術缺陷和不足,提出一種改進的方案,在EMMC驅動程序中增加測試程序的監控代碼,并提供接口給測試程序操作,測試程序可通過操作接口獲知EMMC芯片被訪問的相關信息,確定flash芯片的使用狀況,從而更加有效、安全地使用EMMC存儲設備。
本發明解決技術問題所采用的技術方案如下:?
一種EMMC芯片壽命檢測方法,包括如下步驟:
A、統計EMMC芯片的入口處需要寫入EMMC芯片的請求總數據量;
B、寫入數據到EMMC芯片,判斷flash空閑存儲塊是否足夠寫入數據,當flash空閑存儲塊足夠寫入數據時,將數據寫入EMMC芯片;
C、統計單位時間內寫入EMMC芯片中flash空閑存儲塊小于1個塊的寫入次數N1、小于2個連續塊的寫入次數N2,直至小于n個連續塊的寫入次數Nn;
D、統計單位時間內寫入EMMC芯片中flash空閑存儲塊小于1個塊的數據緩沖率K1、小于2個塊的數據緩沖率K2,直至小于n個連續塊的數據緩沖率Kn;
E、根據EMMC芯片中flash的總塊數m、每個flash塊可被編程的次數P、所述N1?、N2、……Nn參數、數據緩沖率K1、K2……Kn參數計算出EMMC芯片的壽命為????????????????????????????????????????????????單位時間。
進一步地,步驟A中具體為,對所有需要寫入EMMC芯片的程序及其請求數據量進行列表存儲,以統計出需要寫入EMMC芯片的請求總數據量。
所述步驟B中寫入數據到EMMC芯片是測試程序或各應用程序根據需求寫入數據到EMMC芯片。
步驟C中,統計寫入EMMC芯片中flash空閑存儲塊小于1個塊的寫入次數N1、小于2個連續塊的寫入次數N2,直至小于n個連續塊的寫入次數Nn是通過對EMMC芯片底層驅動程序監控讀取EMMC驅動中的數據結構來實現的。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于TCL集團股份有限公司,未經TCL集團股份有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201210589306.6/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。





