[發明專利]一種EMMC芯片壽命檢測方法

有效

• 申請號: 201210589306.6
• 申請日: 2012-12-31
• 公開（公告）號: CN103514958A
• 公開（公告）日: 2014-01-15
• 發明（設計）人: 羅宏選;張航志
• 申請（專利權）人: TCL集團股份有限公司
• 主分類號: G11C29/08
• 分類號: G11C29/08
• 代理公司: 深圳市君勝知識產權代理事務所 44268
• 代理人: 王永文;楊宏

1.一種EMMC芯片壽命檢測方法，其特征在于，包括如下步驟：

A、統計EMMC芯片的入口處需要寫入EMMC芯片的請求總數據量；

B、寫入數據到EMMC芯片，判斷flash空閑存儲塊是否足夠寫入數據，當flash空閑存儲塊足夠寫入數據時，將數據寫入EMMC芯片；

C、統計單位時間內寫入EMMC芯片中flash空閑存儲塊小于1個塊的寫入次數N₁、小于2個連續塊的寫入次數N₂，直至小于n個連續塊的寫入次數N_n；

D、統計單位時間內寫入EMMC芯片中flash空閑存儲塊小于1個塊的數據緩沖率K₁、小于2個塊的數據緩沖率K₂，直至小于n個連續塊的數據緩沖率K_n；

E、根據EMMC芯片中flash的總塊數m、每個flash塊可被編程的次數P、所述N₁?、N₂、……N_n參數、數據緩沖率K₁、K₂……K_n參數計算出EMMC芯片的壽命為單????????????????????????????????????????????????位時間。

2.根據權利要求1所述的一種EMMC芯片壽命檢測方法，其特征在于，步驟A中具體為，對所有需要寫入EMMC芯片的程序及其請求數據量進行列表存儲，以統計出需要寫入EMMC芯片的請求總數據量。

3.根據權利要求1所述的一種EMMC芯片壽命檢測方法，其特征在于，所述步驟B中寫入數據到EMMC芯片是測試程序或各應用程序根據需求寫入數據到EMMC芯片。

4.根據權利要求1所述的一種EMMC芯片壽命檢測方法，其特征在于，步驟C中，統計寫入EMMC芯片中flash空閑存儲塊小于1個塊的寫入次數N₁、小于2個連續塊的寫入次數N₂，直至小于n個連續塊的寫入次數N_n是通過對EMMC芯片底層驅動程序監控讀取EMMC驅動中的數據結構來實現的。

5.根據權利要求1所述的一種EMMC芯片壽命檢測方法，其特征在于，步驟D中，所述數據緩沖率等于實際寫入EMMC芯片的數據量與需要寫入EMMC芯片的請求總數據量的比值，數據緩沖率K₁=寫入flash空閑塊小于1個塊的數據量/需要寫入EMMC芯片的請求總數據量，數據緩沖率K₂=寫入flash空閑塊小于2個塊的數據量/需要寫入EMMC芯片的請求總數據量，以此類推，數據緩沖率K_n=寫入flash空閑塊小于n個塊的數據量/需要寫入EMMC芯片的請求總數據量。

6.根據權利要求5所述的一種EMMC芯片壽命檢測方法，其特征在于，所述實際寫入EMMC芯片的數據量是通過對EMMC芯片底層驅動程序監控讀取EMMC驅動中的數據結構來實現的。

7.根據權利要求1所述的一種EMMC芯片壽命檢測方法，其特征在于，所述每個flash塊可被編程的次數為EMMC芯片生產廠商的標定值。

8.根據權利要求1所述的一種EMMC芯片壽命檢測方法，其特征在于，所述單位時間為24小時。