[發(fā)明專利]垂直式光波導及其制造方法

在審

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• 申請日: 2012-12-29
• 公開（公告）號: CN103901535A
• 公開（公告）日: 2014-07-02
• 發(fā)明（設計）人: 李秉衡
• 申請（專利權）人: 鴻富錦精密工業(yè)（深圳）有限公司;鴻海精密工業(yè)股份有限公司
• 主分類號: G02B6/122
• 分類號: G02B6/122;G02B6/13
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本發(fā)明涉及一種垂直式光波導及其制造方法。

背景技術

光波導作為光電元件中較為常見的元件可以有效傳遞光信號。目前由于脊型光波導較比平面光波導的光損耗小而被廣泛使用。但是如果被制造出來的脊型光波導的脊型頂面及兩側不平整，光遇到也會被散射，從而無法將光損耗降到更低。

發(fā)明內容

有鑒于此，有必要提供一種有效降低光損耗的垂直式光波導及其制造方法。

一種垂直式光波導，其包括一個基底，在該基底的頂面上垂直于該頂面開設有一個第一凹槽及一個第二凹槽，該第一凹槽的延伸方向與該第二凹槽的延伸方向互相平行，該第一凹槽與該第二凹槽之間形成一個突起部，該突起部上擴散有鈦金屬。

一種垂直式光波導的制造方法，其包括以下步驟：提供一個基底；在該基底上垂直于該基底的頂面切割出第一凹槽及第二凹槽，該第一凹槽與該第二凹槽之間形成一個突起部；在該基底的頂面上涂布光阻覆蓋整個基底；去掉覆蓋在該突起部上的光阻；在該突起部上鍍上鈦膜；去掉光阻；對覆蓋在突起部上的鈦膜進行高溫擴散形成垂直式光波導。

本發(fā)明的垂直式光波導及其制造方法，由于該第一凹槽及該第二凹槽為垂直于頂面開設，即該突起部的兩側均垂直于頂面，相對于脊型結構兩側更加平整，光遇到不容易被散射掉，提高了光的利用率。

附圖說明

圖1為本發(fā)明提供的垂直式光波導的結構示意圖。

圖2為本發(fā)明提供的垂直式光波導的制造方法的制程示意圖。

圖3為本發(fā)明提供的垂直式光波導的制造方法的流程圖。

主要元件符號說明

垂直式光波導100基底10頂面11第一凹槽12第二凹槽13突起部14光阻20鈦膜30

如下具體實施方式將結合上述附圖進一步說明本發(fā)明。

具體實施方式

下面將結合附圖對本發(fā)明實施方式作進一步的詳細說明。

請參閱圖1，為本發(fā)明提供的垂直式光波導100，其包括一個基底10，該基底10的材料采用鈮酸鋰晶體。

在該基底10的頂面11上垂直于該頂面11開設有一個第一凹槽12及一個第二凹槽13，該第一凹槽12的延伸方向與該第二凹槽13的延伸方向互相平行，該第一凹槽12與該第二凹槽13之間形成一個突起部14，該突起部14上擴散有鈦金屬。

由于該第一凹槽12及該第二凹槽13為垂直于該頂面11開設，即該突起部14的兩側均垂直于該頂面11，相對于脊型結構兩側更加平整，光遇到不容易被散射掉，提高了光的利用率。

其中，從該基底10的頂面11到該第一凹槽12的底部的距離與從該基底10的頂面11到該第二凹槽13的底部的距離相等。其中，該基底10的頂面11到該第一凹槽12的底部的距離為越深越好。另外，該第一凹槽12與該第二凹槽13之間的距離可以根據(jù)不同種類不同光長的光具體設定，本實施方式中，采用光長小于9微米的單模光，該第一凹槽12與該第二凹槽13之間的距離為9微米。