[發(fā)明專利]磁控濺射鍍膜裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210588533.7 | 申請日： | 2012-12-29 |
| 公開（公告）號： | CN103898462B | 公開（公告）日： | 2017-08-22 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 張春杰 | 申請（專利權(quán)）人： | 深圳富泰宏精密工業(yè)有限公司 |
| 主分類號： | C23C14/35 | 分類號： | C23C14/35 |
| 代理公司： | 深圳市賽恩倍吉知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司44334 | 代理人： | 習(xí)冬梅 |
| 地址： | 518109 廣東省深圳市*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 磁控濺射 鍍膜 裝置 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種真空鍍膜裝置，尤其涉及一種磁控濺射鍍膜裝置。
背景技術(shù)
采用磁控濺射方法在工件上沉積具有顏色漸變效果的膜層時，需要在磁控靶與工件之間設(shè)置一擋板，用來遮擋工件不需要鍍膜的部分。由于遮擋板與工件之間有一定的間隙，使得散射的靶材粒子（離子或原子）在電場的作用下繞鍍至工件不需要鍍膜的部分，影響膜層的顏色漸變效果及產(chǎn)品的功能測試。
發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明提供一種可有效減少散射靶材粒子繞鍍的磁控濺射鍍膜裝置。
一種磁控濺射鍍膜裝置，包括真空室體、形成于該真空室體內(nèi)的真空室、設(shè)置于真空室內(nèi)的至少一磁控靶，該磁控濺射鍍膜裝置還包括設(shè)置于該真空室內(nèi)與所述磁控靶一一對應(yīng)的屏蔽裝置，每一屏蔽裝置包括二屏蔽罩，該二屏蔽罩對稱設(shè)置于相應(yīng)的磁控靶的兩側(cè)，以遮擋鍍膜時磁控靶的散射粒子。
上述磁控濺射鍍膜裝置在磁控靶周圍加裝屏蔽罩，可將鍍膜時80％的靶材散射粒子（離子或原子）遮擋，將能量最強的粒子集中沉積于待鍍工件表面，有效減少靶材散射粒子繞鍍至待鍍工件不需要鍍膜的部分對無需鍍膜區(qū)域的造成污染，從而提高鍍膜良率。另，加裝該屏蔽裝置成本低，不改變鍍膜制程。
附圖說明
圖1是本發(fā)明較佳實施例磁控濺射鍍膜裝置的示意圖。
圖2是圖1中II處的放大圖。
主要元件符號說明
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- 專利分類
C23C 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面擴散法，化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆，例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理
