[發明專利]磁控濺射鍍膜裝置

有效

• 申請號: 201210588533.7
• 申請日: 2012-12-29
• 公開（公告）號: CN103898462B
• 公開（公告）日: 2017-08-22
• 發明（設計）人: 張春杰
• 申請（專利權）人: 深圳富泰宏精密工業有限公司
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35
• 代理公司: 深圳市賽恩倍吉知識產權代理有限公司44334
• 代理人: 習冬梅

1.一種磁控濺射鍍膜裝置，包括真空室體、形成于該真空室體內的真空室、設置于真空室內的至少一磁控靶，其特征在于：該磁控濺射鍍膜裝置還包括設置于該真空室內與所述磁控靶一一對應的屏蔽裝置，每一屏蔽裝置包括二屏蔽罩，該二屏蔽罩對稱設置于相應的磁控靶的兩側，以遮擋鍍膜時磁控靶的散射粒子，每一屏蔽罩包括一遮擋部、一定位部及連接該遮擋部與定位部的連接部，該遮擋部與定位部分別垂直連接于連接部的相對兩端，且遮擋部與定位部分別位于連接部的兩側；每一屏蔽裝置的二屏蔽罩通過其定位部固定于真空室體上，使該二屏蔽罩的遮擋部相對設置且與磁控靶平行；該磁控靶為矩形片面靶，每一磁控靶包括一環形的濺射區，該濺射區包括二平行的平行部；每一屏蔽罩的遮擋部位于相對應的磁控靶的上方，且距離相對應的磁控靶的表面為2.5-3.5cm，每一屏蔽罩的遮擋部靠近另一屏蔽罩的邊緣于相對應的磁控靶上的正投影位于一相對應的平行部的二分之一寬度處。

2.如權利要求1所述的磁控濺射鍍膜裝置，其特征在于：每一屏蔽罩的遮擋部距離相對應的磁控靶的表面為3cm。

3.如權利要求1所述的磁控濺射鍍膜裝置，其特征在于：該真空室體包括一側壁及一真空室門；所述磁控靶及對應的屏蔽裝置固定于該側壁及該真空室門上。

4.如權利要求1所述的磁控濺射鍍膜裝置，其特征在于：該真空室內設置有用于固定工件的轉架及設置于轉架與真空室體之間的擋板。