[發(fā)明專利]金屬?氧化物?金屬電容器

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210587585.2
• 申請(qǐng)日: 2012-12-28
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103515453B
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-03-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張炯;金之杰;伊藤明
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 安華高科技通用IP(新加坡)公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L29/92
• 分類(lèi)號(hào): H01L29/92;H01L21/02
• 代理公司: 北京律盟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司11287
• 代理人: 張世俊

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及電路結(jié)構(gòu)，具體地，本發(fā)明涉及電容器，諸如以20nm以下工藝制造的那些電容器。

背景技術(shù)

被廣大消費(fèi)者需求驅(qū)動(dòng)的電子技術(shù)和半導(dǎo)體制造工藝上的快速發(fā)展已引起了電子設(shè)備在全世界范圍的采用。同時(shí)，制造工藝持續(xù)獲得更小尺寸。電子裝置的一個(gè)基本電路元件是電容器。電容器制造技術(shù)上的改進(jìn)將允許隨著制造尺寸持續(xù)縮小以精確且穩(wěn)定的電容值來(lái)制造電容器。

發(fā)明內(nèi)容

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了一種結(jié)構(gòu)體，包括：第一層；第二層，在所述第一層之上并且與所述第一層絕緣；所述第一層包括：第一層金屬跡線，根據(jù)具有用于所述第一層的第一值的設(shè)計(jì)參數(shù)來(lái)定位；所述第二層包括：第二層金屬跡線，根據(jù)所述第二層的設(shè)計(jì)參數(shù)的第二值來(lái)定位，所述第二值不同于所述第一值；并且，其中，所述第二層金屬跡線在與所述第一層金屬跡線不同的方向上延伸；第一電極，連接所述第一層金屬跡線；以及第二電極，連接所述第二層金屬跡線。

優(yōu)選地，所述設(shè)計(jì)參數(shù)包括節(jié)距。

優(yōu)選地，所述設(shè)計(jì)參數(shù)包括金屬寬度。

優(yōu)選地，所述設(shè)計(jì)參數(shù)包括金屬間隔。

優(yōu)選地，所述第一電極、所述第二電極或這二者包括電容器電極。

優(yōu)選地，所述第二層順序緊跟所述第一層。

優(yōu)選地，所述結(jié)構(gòu)體還包括：第三層，在所述第二層之上并且與所述第二層絕緣；第三層金屬跡線，也根據(jù)所述設(shè)計(jì)參數(shù)的所述第二值來(lái)定位；其中：所述第三層金屬跡線在與所述第二層金屬跡線相同的方向上延伸。

優(yōu)選地，所述結(jié)構(gòu)體還包括：第四層，在所述第一層的下面并且與所述第一層絕緣；第四層金屬跡線，也根據(jù)所述設(shè)計(jì)參數(shù)的所述第一值來(lái)定位；其中：所述第四層金屬跡線在與所述第一層金屬跡線相同的方向上延伸。

優(yōu)選地，所述不同的方向垂直于所述第一層金屬跡線。

根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方面，提供了一種結(jié)構(gòu)體，包括：第一層，包括第一導(dǎo)電跡線，具有滿足第一設(shè)計(jì)規(guī)則的第一間隔并且在第一方向上延伸；第二層，垂直于所述第一層設(shè)置并且包括：第二導(dǎo)電跡線，被設(shè)置成滿足第二設(shè)計(jì)規(guī)則并且在與所述第一方向不同的第二方向上延伸，其中，如果所述第一方向與所述第二方向相同，則所述第二設(shè)計(jì)規(guī)則將造成所述第一導(dǎo)電跡線與第二導(dǎo)電跡線之間的未對(duì)準(zhǔn)。

優(yōu)選地，所述第二方向垂直于所述第一方向。

優(yōu)選地，所述第一導(dǎo)電跡線包括交叉的電容器板。

優(yōu)選地，所述第一導(dǎo)電跡線包括交變極性的交叉的電容器板。

優(yōu)選地，所述第一導(dǎo)電跡線包括第一極性和第二極性的交叉的電容器板；并且還包括：第一總線，連接所述第一極性的交叉的電容器板；以及第二總線，連接所述第二極性的交叉的電容器板。所述第二導(dǎo)電跡線包括所述第一極性和所述第二極性的交叉的電容器板，并且還包括：第三總線，連接所述第一極性的所述交叉的電容器板；第四總線，連接所述第二極性的所述交叉的電容器板；第一互連線，在所述第一總線與所述第三總線之間；以及第二互聯(lián)線，在所述第二總線與所述第四總線之間。

根據(jù)本發(fā)明的又一方面，提供了一種方法，包括：根據(jù)設(shè)計(jì)參數(shù)的第一值來(lái)制造第一層，所述第一層包括根據(jù)所述第一值隔開(kāi)的第一層金屬電容器跡線；根據(jù)所述設(shè)計(jì)參數(shù)的第二值來(lái)制造第二層，所述第二層包括根據(jù)所述第二值隔開(kāi)并且在與所述第一層金屬電容器跡線不同的方向上延伸的第二層金屬電容器跡線；以及制造第一極性電極，所述第一極性電極被連接至所述第一層金屬電容器跡線和第二層金屬電容器跡線中的所選的多個(gè)；和制造第二極性電極，所述第二極性電極被連接至所述第一層金屬電容器跡線和第二層金屬電容器跡線中的所選的多個(gè)。

優(yōu)選地，所述方法還包括：在一系列層中確定所述設(shè)計(jì)參數(shù)從所述第一值改變至所述第二值的特定層；以及當(dāng)所述第二層為特定層時(shí)，制造所述第二層金屬電容器跡線以在所述不同的方向上延伸。

優(yōu)選地，制造所述第二層包括使得所述第二層金屬電容器跡線垂直于所述第一層金屬電容器跡線延伸。

優(yōu)選地，制造所述第一層金屬電容器跡線和所述第二層金屬電容器跡線包括將不同極性的金屬跡線交替。

優(yōu)選地，所述設(shè)計(jì)參數(shù)包括金屬化節(jié)距。

附圖說(shuō)明

可參照下面的附圖和描述來(lái)更好地理解本創(chuàng)新。在圖中，相同的參考標(biāo)號(hào)在所有不同示圖中標(biāo)示對(duì)應(yīng)的部件。

圖1示出了其中設(shè)計(jì)規(guī)則的變化導(dǎo)致在布局中連續(xù)制造的半導(dǎo)體層之間的導(dǎo)電跡線未對(duì)準(zhǔn)的示例性布局。

圖2是設(shè)計(jì)規(guī)則以及層與層之間設(shè)計(jì)規(guī)則的變化的實(shí)例。