[發明專利]金屬?氧化物?金屬電容器

有效

• 申請號: 201210587585.2
• 申請日: 2012-12-28
• 公開（公告）號: CN103515453B
• 公開（公告）日: 2018-03-27
• 發明（設計）人: 張炯;金之杰;伊藤明
• 申請（專利權）人: 安華高科技通用IP(新加坡)公司
• 主分類號: H01L29/92
• 分類號: H01L29/92;H01L21/02
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司11287
• 代理人: 張世俊

1.一種電容結構體，包括：

第一層；

第二層，在所述第一層之上并且與所述第一層絕緣；

所述第一層包括：

第一層金屬跡線，根據具有用于所述第一層的第一值的設計參數來定位；

所述第二層包括：

第二層金屬跡線，根據所述第二層的設計參數的第二值來定位，所述第二值不同于所述第一值；

并且，其中：

所述第二層金屬跡線在與所述第一層金屬跡線不同的方向上延伸；

第一電極，被設置成連接所述第一層金屬跡線的第一部分；以及

第二電極，被設置成連接所述第二層金屬跡線的第二部分。

2.根據權利要求1所述的電容結構體，其中：

所述第二層順序緊跟所述第一層。

3.根據權利要求1所述的電容結構體，還包括：

第三層，在所述第二層之上并且與所述第二層絕緣；

第三層金屬跡線，也根據所述設計參數的所述第二值來定位；

其中：

所述第三層金屬跡線在與所述第二層金屬跡線相同的方向上延伸。

4.根據權利要求1所述的電容結構體，還包括：

第四層，在所述第一層的下面并且與所述第一層絕緣；

第四層金屬跡線，也根據所述設計參數的所述第一值來定位；

其中：

所述第四層金屬跡線在與所述第一層金屬跡線相同的方向上延伸。

5.一種電容結構體，包括：

第一層，包括：

第一導電跡線，具有滿足第一設計規則的第一間隔并且在第一方向上延伸；

第二層，垂直于所述第一層設置并且包括：

第二導電跡線，被設置成滿足第二設計規則并且在與所述第一方向不同的第二方向上延伸以避免所述第一導電跡線與第二導電跡線之間的未對準，以及

第一電極，被設置成連接所述第一導電跡線的第一部分及所述第二導電跡線的第二部分。

6.根據權利要求5所述的電容結構體，其中，所述第二方向垂直于所述第一方向。

7.根據權利要求5所述的電容結構體，其中，所述第一導電跡線包括交叉的電容器板。

8.一種金屬-氧化物-金屬電容器的設計方法，包括：

根據設計參數的第一值來制造第一層，所述第一層包括根據所述第一值隔開的第一層金屬電容器跡線；

根據所述設計參數的第二值來制造第二層，所述第二層包括根據所述第二值隔開并且在與所述第一層金屬電容器跡線不同的方向上延伸的第二層金屬電容器跡線；以及

制造第一極性電極，所述第一極性電極被連接至所述第一層金屬電容器跡線和第二層金屬電容器跡線中的所選的多個；和

制造第二極性電極，所述第二極性電極被連接至所述第一層金屬電容器跡線和第二層金屬電容器跡線中的所選的多個。

9.根據權利要求8所述的方法，還包括：

在一系列層中確定所述設計參數從所述第一值改變至所述第二值的特定層；以及

當所述第二層為特定層時，制造所述第二層金屬電容器跡線以在所述不同的方向上延伸。

10.根據權利要求8所述的方法，其中，制造所述第二層包括使得所述第二層金屬電容器跡線垂直于所述第一層金屬電容器跡線延伸。