[發明專利]一種AMOLED的集成結構及集成方法

無效

• 申請號: 201210585902.7
• 申請日: 2012-12-28
• 公開（公告）號: CN103000663A
• 公開（公告）日: 2013-03-27
• 發明（設計）人: 徐小麗;陳蘇杰;李思瑩;崔晴宇;郭小軍
• 申請（專利權）人: 上海交通大學
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32;H01L21/77
• 代理公司: 上海新天專利代理有限公司 31213
• 代理人: 祖志翔

技術領域

本發明涉及一種有機光電顯示器件，更具體地講，涉及一種有源矩陣有機發光二極管(AMOLED)的結構及其集成方法，屬于光電顯示技術領域。

背景技術

有源矩陣有機發光二極管(縮寫為AMOLED)由于其主動發光、廣視角、高對比度、色域豐富、響應速度快、構造簡單、低功耗及可實現柔性顯示等特性，將成為下一代顯示器件的主力軍。鑒于有機發光二極管(OLED)的電流驅動特性，其每個像素都有一個對應由薄膜晶體管(TFT)和電容組成的電路來驅動和控制OLED發光元件，其中驅動薄膜晶體管與OLED直接連接，將電壓信號轉換成電流，并結合電容和其余薄膜晶體管構成驅動電路，實現像素的選通、驅動和補償等功能。由OLED和驅動電路組成的像素以陣列形式排列，每個像素都由開關信號和光強信號共同控制，決定像素的開關狀態和發光強度，進而形成一幅完整的圖像。

以單個像素為例，制備AMOLED的傳統的集成工藝是在基板上先制備驅動電路，再在空白的區域制備OLED器件。若采用目前底發光結構的OLED，雖然集成工藝較為成熟并易于實現，但是先制備的不透明的驅動電路會限制發光區域的大小，從而影響像素的開口率；若采用頂發光結構的OLED，雖然可以使像素的開口率不受驅動電路限制，實現約100％的開口率，但是卻面臨著頂電極、反型層和封裝等諸多結構和工藝難點。

發明內容

本發明針對現有技術的不足，提供一種AMOLED的集成結構及集成方法，其結合底發光結構OLED成熟的工藝，利用N型薄膜晶體管對底發光結構OLED驅動的技術，實現等效的頂發光結構的AMOLED系統，從而達到簡化工藝步驟、提高生產效率、提高器件的工藝兼容性和冗余度的目的。

本發明是通過以下技術方案實現的：

一種AMOLED的集成結構，其由分別制備在兩個獨立的基板上的底發光結構的OLED面板和驅動電路背板構成；所述OLED面板包括基板和依次層疊在該基板上的陽極層、功能層和陰極層；所述驅動電路背板包括絕緣基板、驅動電路、信號輸出端連接點、封裝層和擴展電極，其中，絕緣基板位于最底層，驅動電路和信號輸出端連接點相互連接且位于絕緣基板之上，封裝層位于驅動電路和信號輸出端連接點之上，擴展電極位于封裝層之上且伸出端穿過封裝層與信號輸出端連接點相連接；所述OLED面板的陰極層面向對準驅動電路背板的擴展電極并相互疊層粘合。

所述的驅動電路由若干薄膜晶體管和若干電容構成，該薄膜晶體管包括依次層疊在所述絕緣基板上的柵電極、柵極絕緣層、半導體層和源/漏電極，該電容包括依次層疊在同一絕緣基板上的第一電極、絕緣層和第二電極。

本發明解決其技術問題的另一技術方案為：

一種用于所述AMOLED的集成結構的集成方法，其包括以下具體步驟：

第一步，制備OLED面板：

①利用洗滌劑溶液、丙酮、去離子水和乙醇超聲清洗所述基板，再烘干；

②在基板上依次制備所述陽極層、功能層和陰極層；

第二步，制備驅動電路背板：

①利用洗滌劑溶液、丙酮、去離子水和乙醇超聲清洗所述絕緣基板，再烘干；

②在所述絕緣基板上依次制備所述薄膜晶體管的柵電極、絕緣層、半導體層、源/漏電極，同時制備所述信號輸出端連接點以及所述電容的第一電極、絕緣層和第二電極，并連接各薄膜晶體管和電容構成所述驅動電路，然后采用所述封裝層對該驅動電路和信號輸出端連接點進行封裝，隨后貫通該封裝層制成連接信號輸出端連接點的通道，并在封裝層之上和該通道中制備所述擴展電極連接和引出信號輸出端連接點。

第三步，集成AMOLED結構：

將制成的OLED面板翻轉，使所述陰極層面向所述驅動電路背板的擴展電極，兩者對準并疊層粘合，完成AMOLED的集成。

區別于傳統的將OLED逐層制備在驅動電路背板上的AMOLED制造技術，本發明將OLED面板與驅動電路背板首先在各自的基板上獨立制備完成，然后通過已成熟的對準技術，將OLED面板與驅動電路背板疊層粘合在一起，形成完整的AMOLED系統，實現單個像素以N型薄膜晶體管驅動底發射結構的OLED的技術。

本發明所述的AMOLED集成結構及其集成方法具有以下優點：