[發明專利]一種AMOLED的集成結構及集成方法無效
| 申請號: | 201210585902.7 | 申請日: | 2012-12-28 |
| 公開(公告)號: | CN103000663A | 公開(公告)日: | 2013-03-27 |
| 發明(設計)人: | 徐小麗;陳蘇杰;李思瑩;崔晴宇;郭小軍 | 申請(專利權)人: | 上海交通大學 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L21/77 |
| 代理公司: | 上海新天專利代理有限公司 31213 | 代理人: | 祖志翔 |
| 地址: | 200240 *** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 amoled 集成 結構 方法 | ||
1.一種AMOLED的集成結構,其特征在于:所述由分別制備在兩個獨立的基板上的底發光結構的OLED面板和驅動電路背板構成;所述OLED面板包括基板和依次層疊在該基板上的陽極層、功能層和陰極層;所述驅動電路背板包括絕緣基板、驅動電路、信號輸出端連接點、封裝層和擴展電極,其中,絕緣基板位于最底層,驅動電路和信號輸出端連接點相互連接且位于絕緣基板之上,封裝層位于驅動電路和信號輸出端連接點之上,擴展電極位于封裝層之上且伸出端穿過封裝層與信號輸出端連接點相連接;所述OLED面板的陰極層面向對準驅動電路背板的擴展電極并相互疊層粘合。
2.根據權利要求1所述的AMOLED的集成結構,其特征在于:所述的驅動電路由若干薄膜晶體管和若干電容構成,該薄膜晶體管包括依次層疊在所述絕緣基板上的柵電極、柵極絕緣層、半導體層和源/漏電極,該電容包括依次層疊在同一絕緣基板上的第一電極、絕緣層和第二電極。
3.一種用于權利要求1所述AMOLED的集成結構的集成方法,其特征在于:所述集成方法包括以下具體步驟:
第一步,制備OLED面板:
①利用洗滌劑溶液、丙酮、去離子水和乙醇超聲清洗所述基板,再烘干;
②在基板上依次制備所述陽極層、功能層和陰極層;
第二步,制備驅動電路背板:
①利用洗滌劑溶液、丙酮、去離子水和乙醇超聲清洗所述絕緣基板,再烘干;
②在所述絕緣基板上依次制備所述薄膜晶體管的柵電極、絕緣層、半導體層、源/漏電極,同時制備所述信號輸出端連接點以及所述電容的第一電極、絕緣層和第二電極,并連接各薄膜晶體管和電容構成所述驅動電路,然后采用所述封裝層對該驅動電路和信號輸出端連接點進行封裝,隨后貫通該封裝層制成連接信號輸出端連接點的通道,并在封裝層之上和該通道中制備所述擴展電極連接和引出信號輸出端連接點。
第三步,集成AMOLED結構:
將制成的OLED面板翻轉,使所述陰極層面向所述驅動電路背板的擴展電極,兩者對準并疊層粘合,完成AMOLED的集成。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





