[發明專利]一種陣列基板及制備方法、顯示裝置

無效

• 申請號: 201210585681.3
• 申請日: 2012-12-28
• 公開（公告）號: CN103022055A
• 公開（公告）日: 2013-04-03
• 發明（設計）人: 郭建
• 申請（專利權）人: 北京京東方光電科技有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1362;G02F1/1368
• 代理公司: 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，尤其涉及一種陣列基板及制備方法、顯示裝置。

背景技術

隨著TFT-LCD(Thin?Film?Transistor-Liquid?Crystal?Display，薄膜場效應晶體管液晶顯示器)顯示技術的不斷發展，越來越多的新技術不斷地被提出和應用，例如高分辨率、高開口率、GOA(Gate?onArray，陣列基板行驅動)技術等。目前，對于TFT-LCD而言，現有技術中對于高級超維場轉換(ADvanced?Super?Dimension?Switch，簡稱為ADS)型陣列基板通常需要柵金屬層掩膜，有源層掩膜，柵絕緣層掩膜，第一電極層掩膜，源漏金屬層掩膜，鈍化層掩膜、以及第二電極層掩膜7次構圖工藝來制造，而每一次構圖工藝中又分別包括成膜、曝光、顯影、刻蝕和剝離等工藝。

當然，對于例如TN(Twisted?Nematic，扭曲向列型)陣列基板，即第二電極層設置在彩膜基板的情況，則需要5-6次構圖工藝，在此不再贅述。

然而，構圖工藝的次數過多將直接導致產品的成本上升以及量產產品的產能降低，因此如何能夠進一步減少構圖工藝的次數也就成為了人們日益關注的問題。

發明內容

本發明的實施例提供一種陣列基板及制備方法、顯示裝置，通過將第一電極的圖案層和數據線、源電極和漏電極的圖案層在一次構圖工藝中形成來減少構圖工藝次數，從而提升量產產品的產能，降低成本。

為達到上述目的，本發明的實施例采用如下技術方案：

一方面，提供了一種陣列基板的制備方法，包括：步驟1、在基板上形成包括柵電極的圖案層；步驟2、在完成前述步驟的基板上形成包括柵絕緣層的圖案層；步驟3、在完成前述步驟的基板上形成包括有源層的圖案層；步驟4、在完成前述步驟的基板上依次形成透明導電薄膜和金屬薄膜，通過構圖工藝形成包括第一電極、數據線、源電極、漏電極和薄膜場效應晶體管TFT溝道的圖案層；步驟5、在完成前述步驟的基板上形成包括鈍化層的圖案層；步驟6、在完成前述步驟的基板上形成包括第二電極的圖案層。

一方面，提供了一種陣列基板，包括：設置在基板上的柵金屬層，柵絕緣層、有源層、包括第一電極圖案層的第一電極層、及包括數據線、源電極和漏電極圖案層的源漏金屬層；其中，所述第一電極層設置于所述源漏金屬層下方。

另一方面，提供了一種顯示裝置，包括上述的陣列基板。

本發明實施例提供了一種陣列基板及制備方法、顯示裝置，通過一次構圖工藝形成第一電極的圖案層和數據線、源電極和漏電極的圖案層，與現有技術中的通過兩次構圖工藝分別形成所述第一電極的圖案層和數據線、源電極和漏電極的圖案層相比，減少構圖工藝次數，從而提升量產產品的產能，降低成本。

附圖說明

為了更清楚地說明本發明實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本發明實施例一提供的一種陣列基板的制備方法的流程示意圖；

圖2為本發明實施例一提供的制作陣列基板的第一示意圖；

圖3為本發明實施例一提供的制作陣列基板的第二示意圖；

圖4為本發明實施例一提供的制作陣列基板的第三示意圖；

圖5為本發明實施例一提供的制作陣列基板的第四示意圖；

圖6為本發明實施例一提供的制作陣列基板的第五示意圖；

圖7為本發明實施例一提供的制作陣列基板的第六示意圖；

圖8為本發明實施例一提供的制作陣列基板的第七示意圖；

圖9為本發明實施例一提供的制作陣列基板的第八示意圖；

圖10為本發明實施例一提供的制作陣列基板的第九示意圖；

圖11為本發明實施例一提供的制作包括鈍化層的陣列基板的示意圖；

圖12為本發明實施例一提供的制作包括第二電極層的陣列基板的示意圖；

圖13為本發明實施例二提供的制作陣列基板的第一示意圖；

圖14為本發明實施例二提供的制作陣列基板的第二示意圖；

圖15為本發明實施例二提供的制作陣列基板的第三示意圖；

圖16為本發明實施例二提供的制作陣列基板的第四示意圖；

圖17為本發明實施例二提供的制作陣列基板的第五示意圖；

圖18為本發明實施例三提供的制作陣列基板的示意圖。