[發明專利]一種陣列基板及制備方法、顯示裝置

無效

• 申請號: 201210585681.3
• 申請日: 2012-12-28
• 公開（公告）號: CN103022055A
• 公開（公告）日: 2013-04-03
• 發明（設計）人: 郭建
• 申請（專利權）人: 北京京東方光電科技有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1362;G02F1/1368
• 代理公司: 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

1.一種陣列基板的制備方法，包括：

步驟1、在基板上形成包括柵電極的圖案層；

步驟2、在完成前述步驟的基板上形成包括柵絕緣層的圖案層；

步驟3、在完成前述步驟的基板上形成包括有源層的圖案層；

步驟4、在完成前述步驟的基板上依次形成透明導電薄膜和金屬薄膜，通過構圖工藝形成包括第一電極、數據線、源電極、漏電極和薄膜場效應晶體管TFT溝道的圖案層；

步驟5、在完成前述步驟的基板上形成包括鈍化層的圖案層；

步驟6、在完成前述步驟的基板上形成包括第二電極的圖案層。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟4的構圖工藝包括：

在所述金屬薄膜上涂覆光刻膠；

采用灰色調掩膜板或半色調掩膜板對形成有所述光刻膠的基板進行曝光，顯影后形成光刻膠完全保留部分、光刻膠半保留部分和光刻膠完全去除部分；其中，所述光刻膠完全保留部分至少對應待形成的所述數據線、源電極和漏電極的圖案層的區域，所述光刻膠半保留部分至少對應待形成的所述第一電極的圖案層的部分區域，所述光刻膠完全去除部分對應包括TFT溝道區域在內的其他區域；

采用刻蝕工藝去除所述光刻膠完全去除部分的所述金屬薄膜和所述透明導電薄膜，至少形成位于所述TFT溝道兩側的數據線及源電極的圖案層、所述數據線及源電極的圖案層下方的第一透明導電圖案層和第一電極的圖案層、所述第一電極的圖案層上方的金屬薄膜；

采用灰化工藝去除所述光刻膠半保留部分的光刻膠；

采用刻蝕工藝去除露出的所述第一電極的圖案層上方的部分金屬薄膜，形成所述漏電極的圖案層；

采用剝離工藝去除所述光刻膠完全保留部分的光刻膠。

3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述數據線、源電極和漏電極的圖案層位于所述柵電極的圖案層上方，且所述有源層的圖案層包括非晶硅圖案層和n+非晶硅圖案層，所述采用刻蝕工藝去除所述光刻膠完全去除部分的所述金屬薄膜和所述透明導電薄膜之后，且所述采用灰化工藝去除所述光刻膠半保留部分的光刻膠之前，所述方法還包括：

采用干法刻蝕去除所述TFT溝道區域的n+非晶硅。

4.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述數據線、源電極和漏電極的圖案層位于所述柵電極的圖案層上方，且所述有源層的圖案層包括非晶硅圖案層和n+非晶硅圖案層，所述采用刻蝕工藝去除露出的所述第一電極的圖案層上方的部分金屬薄膜之后，所述采用剝離工藝去除所述光刻膠完全保留部分的光刻膠之前，所述方法還包括：

采用干法刻蝕去除所述TFT溝道區域的n+非晶硅。

5.根據權利要求2至4任一項所述的方法，其特征在于，采用刻蝕工藝去除所述光刻膠完全去除部分的所述金屬薄膜和所述透明導電薄膜包括：

采用濕法刻蝕去除所述光刻膠完全去除部分的金屬薄膜和所述透明導電薄膜；

采用刻蝕工藝去除露出的所述第一電極的圖案層上方的部分金屬薄膜包括：

采用濕法刻蝕去除露出的所述第一電極的圖案層上方的部分金屬薄膜。

6.根據權利要求2至4任一項所述的方法，其特征在于，所述光刻膠半保留部分的光刻膠厚度為

7.一種陣列基板，包括：設置在基板上的柵金屬層，柵絕緣層、有源層、包括第一電極圖案層的第一電極層、及包括數據線、源電極和電漏極圖案層的源漏金屬層；其特征在于，所述第一電極層設置于所述源漏金屬層下方。

8.根據權利要求7所述的陣列基板，其特征在于，還包括：帶有第二過孔的鈍化層，所述第二過孔露出位于所述鈍化層下方的導電部分。

9.根據權利要求8所述的陣列基板，其特征在于，還包括：位于所述鈍化層上的第二電極層。

10.一種顯示裝置，其特征在于，包括權利要求7至9任一項所述的陣列基板。