[發(fā)明專利]具有橋型中介片的半導(dǎo)體封裝

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210585220.6
• 申請日: 2012-12-28
• 公開（公告）號: CN103187377B
• 公開（公告）日: 2017-04-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 桑帕施·K·V·卡里卡蘭;趙子群;胡坤忠;雷佐爾·拉赫曼·卡恩;彼得·沃倫坎普;陳向東
• 申請（專利權(quán)）人: 安華高科技通用IP(新加坡)公司
• 主分類號: H01L23/488
• 分類號: H01L23/488;H01L23/52;H01L25/065
• 代理公司: 北京律盟知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司11287
• 代理人: 張世俊

技術(shù)領(lǐng)域

本公開涉及具有橋型中介片(bridge interposer)的半導(dǎo)體封裝。

背景技術(shù)

封裝解決方案持續(xù)發(fā)展來滿足由有著不斷增大的集成電路密度的電子裝置和系統(tǒng)施加的日益嚴(yán)格的設(shè)計(jì)約束。例如一個(gè)使單個(gè)的半導(dǎo)體封裝中的有源芯片(active die)成倍增加的用于提供電源和接地的連接以及輸入/輸出信號的解決方案，采用一個(gè)以上的中介片來將有源芯片電耦接至封裝基板。

為了該目的而實(shí)現(xiàn)的傳統(tǒng)中介片通常包括形成在半導(dǎo)體基板上的中介片電介質(zhì)。半導(dǎo)體通孔(TSV)通常用于提供電源和接地連接以及將I/O信號提供給有源芯片。然而，在TSV之中的寄生耦合導(dǎo)致的通過半導(dǎo)體基板的泄漏可以不利地影響通過傳統(tǒng)中介片的電信號。

發(fā)明內(nèi)容

基本上如結(jié)合至少一個(gè)附圖所示出/描述的并且如在權(quán)利要求中更完整地提出的，本公開涉及具有橋型中介片的半導(dǎo)體封裝。

本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體封裝，包括：橋型中介片；第一有源芯片，具有位于橋型中介片之上的第一部分，以及不位于橋型中介片之上的第二部分；第二有源芯片，具有位于橋型中介片之上的第一部分，以及不位于橋型中介片之上的第二部分；第一有源芯片的第二部分和第二有源芯片的第二部分包括安裝在封裝基板上的焊球；第一有源芯片和第二有源芯片采用焊球而不采用半導(dǎo)體通孔將電信號通信至封裝基板。

優(yōu)選地，第一有源芯片和第二有源芯片通過橋型中介片來通信芯片至芯片信號。

優(yōu)選地，第一有源芯片通過采用在橋型中介片中的AC信號墊來將AC信號通信至第二有源芯片。

優(yōu)選地，橋型中介片由中介片電介質(zhì)形成，該中介片電介質(zhì)具有在其中形成的中介片內(nèi)布線痕跡。

優(yōu)選地，橋型中介片由包括味之素TM組成膜的中介片電介質(zhì)形成，該味之素TM組成膜具有在其中形成的中介片內(nèi)布線痕跡。

優(yōu)選地，焊球通過各自的導(dǎo)電柱而耦接至第一有源芯片的第二部分以及第二有源芯片的第二部分。

優(yōu)選地，第一有源芯片和第二有源芯片采用焊球和各自的導(dǎo)電柱將電信號通信至封裝基板。

優(yōu)選地，該半導(dǎo)體封裝還包括在第一有源芯片的第二部分和第二有源芯片的第二部分上在各自的導(dǎo)電柱之間形成的鈍化層。

本發(fā)明還提供了一種半導(dǎo)體封裝，包括：橋型中介片；第一有源芯片，具有位于橋型中介片之上的第一部分，以及不位于橋型中介片之上的第二部分；第二有源芯片，具有位于橋型中介片之上的第一部分，以及不位于橋型中介片之上的第二部分；第一有源芯片的第二部分和第二有源芯片通過橋型中介片來通信芯片至芯片信號；封裝基板，位于第一有源芯片和第二有源芯片之下，第一有源芯片和第二有源芯片采用接合配線將電信號通信至封裝基板。

優(yōu)選地，第一有源芯片通過橋型中介片將DC信號通信至第二有源芯片。

優(yōu)選地，第一有源芯片通過采用在橋型中介片中的AC信號墊將AC信號通信至第二有源芯片。

優(yōu)選地，橋型中介片由中介片電介質(zhì)形成，該中介片電介質(zhì)具有在其中形成的中介片內(nèi)布線痕跡。

優(yōu)選地，橋型中介片由包括味之素TM組成膜的中介片電介質(zhì)形成，該味之素TM組成膜具有在其中形成的中介片內(nèi)布線痕跡。

本發(fā)明還提供了一種半導(dǎo)體封裝，包括：橋型中介片，具有包括AC信號墊的第一表面；第一有源芯片，具有面向橋型中介片的第一表面的第一部分；第二有源芯片，具有面向橋型中介片的第一表面的第一部分；第一有源芯片和第二有源芯片采用橋型中介片的AC信號墊來通信AC芯片至芯片信號。

優(yōu)選地，第一有源芯片和第二有源芯片被配置為通過橋型中介片來通信DC芯片至芯片信號。

優(yōu)選地，橋型中介片由中介片電介質(zhì)形成，該中介片電介質(zhì)具有在其中形成的中介片內(nèi)布線痕跡。

優(yōu)選地，橋型中介片由包括味之素TM組成膜的中介片電介質(zhì)形成，該味之素TM組成膜具有在其中形成的中介片內(nèi)布線痕跡。

優(yōu)選地，第一有源芯片的第二部分和第二有源芯片的第二部分包括安裝在封裝基板上的焊球；第一有源芯片和第二有源芯片采用焊球而不采用半導(dǎo)體通孔將電信號通信至封裝基板。

優(yōu)選地，焊球通過各自的導(dǎo)電柱而耦接至第一有源芯片的第二部分以及第二有源芯片的第二部分。

優(yōu)選地，該半導(dǎo)體封裝還包括在第一有源芯片的第二部分和第二有源芯片的第二部分上在各自的導(dǎo)電柱之間形成的鈍化層。

附圖說明

圖1A示出了包括橋型中介片的半導(dǎo)體封裝的一個(gè)實(shí)施方式的截面圖。