[發明專利]各向異性導電膜和半導體裝置

有效

• 申請號: 201210584747.7
• 申請日: 2012-12-28
• 公開（公告）號: CN103184016A
• 公開（公告）日: 2013-07-03
• 發明（設計）人: 樸永祐;金南柱;樸憬修;徐準模;薛慶一;魚東善;柳·阿倫;崔賢民
• 申請（專利權）人: 第一毛織株式會社
• 主分類號: C09J7/00
• 分類號: C09J7/00;C09J163/00;C09J11/04;C09J9/02
• 代理公司: 北京德琦知識產權代理有限公司 11018
• 代理人: 康泉;王珍仙

1.一種各向異性導電膜，包含：

含多環芳環的環氧樹脂，

芴環氧樹脂，

納米二氧化硅，和

導電顆粒。

2.根據權利要求1所述的各向異性導電膜，其中所述含多環芳環的環氧樹脂固化后具有165℃至250℃的玻璃化轉變溫度。

3.根據權利要求1所述的各向異性導電膜，其中所述芴環氧樹脂具有50℃至80℃的沸點和1,000或更小的分子量。

4.根據權利要求1所述的各向異性導電膜，其中所述含多環芳環的環氧樹脂包括選自由含四官能芳環的環氧樹脂和含雙官能芳環的環氧樹脂組成的組中的至少一種。

5.根據權利要求1所述的各向異性導電膜，其中所述含多環芳環的環氧樹脂與所述納米二氧化硅的重量比為3:1至6:1。

6.根據權利要求1所述的各向異性導電膜，其中所述芴環氧樹脂為由通式1表示的在雙酚芴中含有縮水甘油基的樹脂：

[通式1]

其中R各自獨立地為烷基、烷氧基、芳基或環烷基，m各自獨立地為0至4的整數，且n各自獨立地為2至5的整數。

7.根據權利要求1至6的任一項所述的各向異性導電膜，其中所述含多環芳環的環氧樹脂與所述芴環氧樹脂的重量比在1:0.1至1∶1.5的范圍內。

8.根據權利要求1至6的任一項所述的各向異性導電膜，其中所述膜用于玻璃上芯片安裝。

9.一種各向異性導電膜，包含：

含多環芳環的環氧樹脂；和

具有50℃至80℃沸點的芴環氧樹脂，

其中所述含多環芳環的環氧樹脂與所述芴環氧樹脂的重量比在1:0.1至1:1.5的范圍內。

10.根據權利要求9所述的各向異性導電膜，其中所述芴環氧樹脂在25℃具有液相。

11.根據權利要求9所述的各向異性導電膜，其中所述含多環芳環的環氧樹脂包括選自由含四官能芳環的環氧樹脂和含雙官能芳環的環氧樹脂組成的組中的至少一種。

12.根據權利要求9至11的任一項所述的各向異性導電膜，其中所述含多環芳環的環氧樹脂與所述芴環氧樹脂的重量比在1:0.14至1∶1的范圍內。

13.根據權利要求9至11的任一項所述的各向異性導電膜，進一步包括納米二氧化硅，其中所述含多環芳環的環氧樹脂與所述納米二氧化硅的重量比在3:1至6:1的范圍內。

14.根據權利要求9至11的任一項所述的各向異性導電膜，其中所述膜粘結后提供均勻的壓痕。

15.根據權利要求14所述的各向異性導電膜，其中所述膜具有60℃或更高的預壓溫度。

16.一種在70℃和1MPa下經0.5秒測量具有4MPa或更高的剝離強度的各向異性導電膜。

17.根據權利要求16所述的各向異性導電膜，所述膜具有高于60℃的預壓溫度。

18.根據權利要求16或17所述的各向異性導電膜，所述膜粘結后提供均勻的壓痕。

19.根據權利要求16或17所述的各向異性導電膜，所述膜包括：含多環芳環的環氧樹脂、具有50℃至80℃沸點的芴環氧樹脂和納米二氧化硅。

20.根據權利要求19所述的各向異性導電膜，其中所述含多環芳環的環氧樹脂與所述芴環氧樹脂的重量比在1:0.1至1:1.5的范圍內，且所述含多環芳環的環氧樹脂與所述納米二氧化硅的重量比在3:1至6:1的范圍內。

21.一種利用根據權利要求1至20任一所述的各向異性導電膜形成的半導體裝置。