[發明專利]并行檢測集成電路中RAM生產缺陷的方法

有效

• 申請號: 201210582418.9
• 申請日: 2012-12-28
• 公開（公告）號: CN103065687A
• 公開（公告）日: 2013-04-24
• 發明（設計）人: 趙陽;張洪柳;孫曉寧;劉大銪;王運哲;劉守浩
• 申請（專利權）人: 山東華芯半導體有限公司
• 主分類號: G11C29/04
• 分類號: G11C29/04
• 代理公司: 濟南泉城專利商標事務所 37218
• 代理人: 丁修亭

技術領域

本發明涉及一種集成電路中RAM生產缺陷的測試方法。

背景技術

宏觀的RAM（Random?Access?Memory，隨機存儲器）測試包括存儲單元的測試、數據線測試和地址線測試。對于控制線，由于對前兩者的測試中已經附帶完成，因此不做專門測試。而地址線的測試總是在假設數據線正常的情況下進行的，顯然需要先進行數據線的測試，然后才能進行地址線的測試。

隨著集成電路規模的增大和集成度的提高，系統中RAM的數量越來越多，寬度和深度也各不相同，對其測試也需要進行細化。以往要完成對系統中RAM的測試，通常采用的方法是每一個RAM對應一個測試模塊，必然增加整個芯片的面積，成本偏高，而且所采用的測試方法均不能一次測全所有的缺陷，因此不僅增加了芯片面積，而且增加了測試的時間、測試復雜度和測試成本。

在集成電路的生產過程中，由于工藝技術或者其他原因，容易造成電路中RAM的缺陷。

目前RAM的基本生成缺陷如下：

◆Stuck-At?Fault?(?SAF，固定型故障?)：RAM中的某一位固定為1或者0，無法寫入相反的值；或者說RAM電路中的某條連線本來應該根據其源節點的取值而取值，但由于存在某種故障，其邏輯值固定為0或1；如果線wr上有固定為0的故障，則記為wr(s-a-0)，如果有固定為1的故障，則記為wr(s-a-1)。

◆Stuck-Open?Fault?(SOpF，固定開路故障)：RAM中某一單元，由于線的斷裂，無法對其進行操作

◆Transition?Fault?(?TF，傳輸錯誤)：即對RAM中的某一位寫入0時，其實際寫入的是1，或者寫入1時，其實際寫入的是0。

◆Idempotent?Coupling?Fault（CFid，冪等耦合故障）：對待測RAM中某一位進行操作時，如果該位寫入的數值與原來該位的數值不同，就會發生跳變，而這個跳變過程可能對其相鄰的位產生影響，可能導致相鄰位變為1或者0狀態。因此，CFid共分為四種類型：<↑|?0?>，<↑|?1?>，<↓|0?>，<↓|1?>。

向上箭頭代表由0跳變為1，向下箭頭代表由1跳變為0。

◆State?Coupling?Fault（CFst，狀態耦合故障）：對待測RAM中某一位進行操作時，該位處于某種狀態，例如處于1或者0狀態時，可能導致相鄰位發生相應的變化，即可能變為1或者0狀態。因此，CFst也分為四種類型：<1;1>，<1;0>，<0;1>，<0;0>。

◆Inversion?Coupling?Fault（CFin，逆耦合故障）：對待測RAM中的某一位進行操作時，其無論如何跳變，即由1跳變為0或者有0跳變為1，都會引起相鄰某位的值的改變。例如待測RAM中的某一位原值為0，然后對其寫入1，這個時候其相鄰的某位可能就由0變為1，當對該位再寫入0時，相鄰的某位就又由1變回了0。因此，CFin分為兩種類型：<↑|?x>，<↓|x>。向上箭頭代表由0變為1，向下箭頭代表由1變為0。

◆Address?Fault?(AF，地址故障)：對待測RAM中的某一地址進行操作時，可能操作的不是希望的地址，而變成了別的地址。

◆Byte_Enable?Fault（BEF，字節使能錯誤）：RAM中的byte_enable控制位可能相連，或者固定為某一個數值1或0。

發明內容

因此，本發明的目的在于提供一種并行檢測集成電路中RAM生產缺陷的方法，以提高RAM生產缺陷測試的效率。

本發明采用以下技術方案：

一種并行檢測集成電路中RAM生產缺陷的方法，并行測試一個芯片上同類的多個RAM，該方法包括以下步驟：

1）對RAM所有地址各位寫入0；

在以下的步驟中以地址為操作對象，且此后各步驟在當前地址完成當前步驟的測試后進入下一地址的測試，直到遍歷整個RAM后進入下一個步驟的測試：

2）讀取RAM當前地址存放的值，若含有1的位，則終止檢測，報錯；若全是0位，則對該地址各位寫入1，然后讀取該地址存放的值，若含有0的位，則終止檢測，報錯；若全是1位，則對該地址各位寫入0，然后讀取該地址存放的值，若含有1的位，則終止檢測，報錯；若全是0位，則對該地址各位寫入1；