[發(fā)明專利]并行檢測集成電路中RAM生產(chǎn)缺陷的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210582418.9
• 申請日: 2012-12-28
• 公開（公告）號: CN103065687A
• 公開（公告）日: 2013-04-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 趙陽;張洪柳;孫曉寧;劉大銪;王運(yùn)哲;劉守浩
• 申請（專利權(quán)）人: 山東華芯半導(dǎo)體有限公司
• 主分類號: G11C29/04
• 分類號: G11C29/04
• 代理公司: 濟(jì)南泉城專利商標(biāo)事務(wù)所 37218
• 代理人: 丁修亭

1.一種并行檢測集成電路中RAM生產(chǎn)缺陷的方法，其特征在于，并行測試一個(gè)芯片上同類的多個(gè)RAM，該方法包括以下步驟：

1）對RAM所有地址各位寫入0；

在以下的步驟中以地址為操作對象，且此后各步驟在當(dāng)前地址完成當(dāng)前步驟的測試后進(jìn)入下一地址的測試，直到遍歷整個(gè)RAM后進(jìn)入下一個(gè)步驟的測試：

2）讀取RAM當(dāng)前地址存放的值，若含有1的位，則終止檢測，報(bào)錯(cuò)；若全是0位，則對該地址各位寫入1，然后讀取該地址存放的值，若含有0的位，則終止檢測，報(bào)錯(cuò)；若全是1位，則對該地址各位寫入0，然后讀取該地址存放的值，若含有1的位，則終止檢測，報(bào)錯(cuò)；若全是0位，則對該地址各位寫入1；

3）讀取RAM當(dāng)前地址存放的值，若含有0的位，則終止檢測，報(bào)錯(cuò)；若全是1位，則對該地址各位寫入0，讀取該地址存放的值，若含有1的位，則終止檢測，報(bào)錯(cuò)；若全是0位，則對該地址各位寫入1。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的并行檢測集成電路中RAM生產(chǎn)缺陷的方法，其特征在于，步驟1）到步驟3）對RAM的操作順序均是從低地址到高地址。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的并行檢測集成電路中RAM生產(chǎn)缺陷的方法，其特征在于，在步驟3）后還包括從RAM高地址到低地址操作的如下步驟：

4）讀RAM當(dāng)前地址存放的值，若含有0的位，則終止檢測，報(bào)錯(cuò)；若全是1位，則對該地址各位寫入0；

5）讀RAM當(dāng)前地址存放的值，若含有1的位，則終止檢測，報(bào)錯(cuò)；若全是0位，則對該地址各位寫入1；然后讀該地址存放的值，若含有0的位，則終止檢測，報(bào)錯(cuò)；若全是1位，則對該地址各位寫入0，再將按照1、0的序列組成的數(shù)據(jù)寫入該地址，讀該地址，判斷CFst的<1?|?1>缺陷，若存在該缺陷，報(bào)錯(cuò)，否則，將按照0、1的序列組成的數(shù)據(jù)寫入該地址，然后順序讀該地址，判斷CFst的<0?|?0>缺陷，若存在該缺陷，報(bào)錯(cuò)，否則，完成該地址測試。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的并行檢測集成電路中RAM生產(chǎn)缺陷的方法，其特征在于，在寫入和讀取數(shù)據(jù)時(shí)，根據(jù)同一芯片上同類RAM不同的最大寬度和最大深度設(shè)定為測試的寬度和深度。

5.根據(jù)權(quán)利要求1至4任一所述的并行檢測集成電路中RAM生產(chǎn)缺陷的方法，其特征在于，在測試過程中，所有RAM當(dāng)前步驟的測試全部完成后再進(jìn)入下一步驟的測試。