[發明專利]碳化硅半導體裝置及其制造方法有效
| 申請號： | 201210582270.9 | 申請日： | 2012-12-28 |
| 公開（公告）號： | CN103311317B | 公開（公告）日： | 2017-12-19 |
| 發明（設計）人： | 松野吉德 | 申請（專利權）人： | 三菱電機株式會社 |
| 主分類號： | H01L29/872 | 分類號： | H01L29/872;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京天昊聯合知識產權代理有限公司11112 | 代理人： | 何立波,張天舒 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 碳化硅 半導體 裝置 及其 制造 方法 | ||
1.一種碳化硅半導體裝置的制造方法，其特征在于，包括：
(a)在碳化硅半導體襯底(1)上，形成雜質濃度比所述碳化硅半導體襯底(1)低的外延層(2)的工序；
(b)在所述外延層(2)上，形成多個電極(6)的工序；
(c)在各所述電極(6)所夾著的所述外延層(2)上，形成比所述外延層(2)下表面深的槽(11)的工序；
(d)至少覆蓋所述電極(6)的端部、和所述外延層(2)的端部及露出的側面而形成絕緣膜(8)的工序；以及
(e)僅從形成有所述槽(11)的部分分割所述碳化硅半導體襯底(1)的工序，
該碳化硅半導體裝置的制造方法還包括：(f)在所述工序(d)前，用純水清洗所述碳化硅半導體襯底(1)上及所述外延層(2)上的工序。
2.如權利要求1所述的碳化硅半導體裝置的制造方法，其特征在于，
所述工序(c)是形成到所述外延層(2)下表面，或該下表面附近的所述碳化硅半導體襯底(1)的深度的所述槽(11)的工序。
3.如權利要求1所述的碳化硅半導體裝置的制造方法，其特征在于，
所述工序(c)是將所述碳化硅半導體襯底(1)下表面固定到片，形成到所述碳化硅半導體襯底(1)下表面的深度的所述槽(11)的工序。
4.如權利要求3所述的碳化硅半導體裝置的制造方法，其特征在于，
所述工序(e)是利用所述片的擴展，分割固定于所述片的所述碳化硅半導體襯底(1)的工序。
5.如權利要求1或2所述的碳化硅半導體裝置的制造方法，其特征在于，
所述工序(e)是利用機械斷開來分割所述碳化硅半導體襯底(1)的工序。
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