[發明專利]1100-H14鋁合金板帶材及其生產方法

有效

• 申請號: 201210581611.0
• 申請日: 2012-12-27
• 公開（公告）號: CN103009010A
• 公開（公告）日: 2013-04-03
• 發明（設計）人: 張俊才;曲明洋;黃文輝;冷正長;王英武;姚彩玲;李梅;鄧春龍;肖亮;徐炳申;黎亮
• 申請（專利權）人: 亞洲鋁業（中國）有限公司
• 主分類號: B23P15/00
• 分類號: B23P15/00;B21B3/00;C22C21/00
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 萬志香;曾旻輝

技術領域

本發明涉及鋁合金制造領域，具體是涉及一種1100-H14鋁合金板帶材及其生產方法。

背景技術

1100合金是工業純鋁1XXX系合金中應用較為廣泛的合金之一，該系列合金產品具有塑性好，易加工程序，耐蝕性好，反射性強、良好光亮度和光潔度，隨著陽極氧化技術的不斷發展，鋁卷連續陽極氧化生產方式也變為現實，由于1100鋁合金陽極氧化后，除材料本身的性能不降低以外，具有了更好的耐蝕性，抗臟污能力強，并容易獲得顏色持久、多樣、光彩奪目的裝飾制品，受到了廣大客戶的青睞；其H14狀態的板帶材不僅具有較好的加工成形性，還具有適中的強度，作為高檔裝飾材料生產，具有較高的附加值，市場前景廣闊。1100H14/H24的性能控制范圍：

目前，1100-H14的工藝流程為：熔鑄→均勻化退火→鋸切→銑面→加熱→熱軋→冷軋→清洗→中間退火→冷軋。

傳統熱軋機生產1100合金時，無法保證終軋溫度和熱軋料性能，而且坯料也較厚7-10mm，所以熱軋坯料經過冷軋軋制成品道次前，預留加工量后，需要先進行中間退火，退火爐溫控制不良，容易造成粗晶等缺陷、而且工序流程較長，1100合金較軟，增加形成擦劃傷等缺陷的幾率，最終成品陽極氧化處理后，表面質量無法滿足一些產品，特別是高級陽極氧化外觀料的表面需求。

因此，出現縮短工藝流程的制備方法，該方法常采用H24代替H14工藝路線，目前，1100-H24的工藝流程為：熔鑄→均勻化退火→鋸切→銑面→加熱→熱軋→冷軋→清洗→成品退火。

然而，該方法采用成品退火工藝時對退火溫度均勻性要求較高，對退火爐溫控要求較高，而且性能不穩定,特別是屈服強度；同時，如果冷軋油未清洗完全，成品退火溫度相對較低，不易將冷軋軋制油消除，易產生油斑等表面缺陷，表面質量無法滿足一些產品，特別是高級陽極氧化外觀料的表面需求。

發明內容

本發明的目的之一是提供一種新的1100-H14鋁合金板帶材的生產方法，該生產方法既保證了1100-H14鋁合金板帶材的力學性能穩定合格，且縮短生產流程，提高生產效率。

實現上述目的的技術方案如下：

一種1100-H14鋁合金板帶材的生產方法，其生產流程包括：熔鑄、鋸切、銑面、加熱、熱軋、冷軋，

其中，熔鑄后鑄錠的化學成分的質量百分數為：Si≤0.2%、Fe：0.40～0.60%、Cu：0.08～0.15%、Mn≤0.05%、Mg≤0.05%、Zn≤0.05%、Ti：0.01～0.03%、其它雜質單個≤0.02%、其它雜質合計≤0.10%，其余為Al；熔煉溫度為740-760℃，精煉溫度735-755℃，鑄造溫度685-705℃，鑄造速度55-65mm/min；

所述熱軋步驟中：采用熱粗軋在450-500℃開坯，經過15或17道次軋制，坯料厚度30-60mm，中間坯溫度為400-460℃，再使用熱精軋，經過4-5機架的連續軋制，熱軋卷厚度根據成品厚度預留35%-55%的加工量，終軋溫度310-330℃，卷取厚度為2.5-8mm。

在其中一個實施例中，在所述銑面步驟中：采用銑床對鑄錠的大面和小面分別銑削，銑削量分別為8-10mm和6-8mm。

在其中一個實施例中，在所述加熱步驟中：鑄錠加熱溫度550-570℃，保溫時間1-3小時，轉450-500℃保溫1-3小時后出爐。

在其中一個實施例中，在所述熱精軋中，乳液噴射壓力為250-360kpa，刷輥清刷速度為350-700轉/分。

在其中一個實施例中，在所述冷軋步驟中：經過1-2道次冷軋至成品厚度，總加工率35%-55%。

在其中一個實施例中，所述Si的含量為：0.03%≤Si≤0.10%。所述Fe的含量為：0.4%≤Fe≤0.55%。所述Cu的含量為：0.08%≤Cu≤0.15%。

本發明的另一目的是提供一種1100-H14鋁合金板帶材，該板材具有表面光潔、無擦劃傷、輥印、非金屬壓入，產品表面均勻的優點。

實現上述目的的技術方案為：由上述生產方法制備的1100-H14鋁合金板帶材。

本發明所述1100-H14鋁合金板帶材的生產方法，具有以下優點：

（1）本發明對Fe、Si成分進行了嚴格控制，并對熔煉和鑄造溫度、速度進行控制，這樣會消除鑄錠組織不均、晶粒粗大、成分偏析等問題。