[發明專利]一種改進型大尺寸樣品硒化處理裝置

有效

• 申請號: 201210581601.7
• 申請日: 2012-12-27
• 公開（公告）號: CN103904154A
• 公開（公告）日: 2014-07-02
• 發明（設計）人: 李弢;華志強;吳云翼;郜健
• 申請（專利權）人: 北京有色金屬研究總院
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18
• 代理公司: 北京北新智誠知識產權代理有限公司 11100
• 代理人: 劉茵

1.一種改進型大尺寸樣品硒化處理裝置，其特征在于，其包括外殼(1)，原料容器(2)，原料加熱裝置(3)，基片支撐臺(4)，基片加熱器(5)，原料加熱裝置熱電偶(6)，基片加熱器熱電偶(7)和溫度顯示及控制裝置；

該外殼(1)為中空密閉容器；

該原料容器(2)設置在外殼(1)內，其中盛裝原料硒；原料容器(2)內具有原料加熱裝置(3)，該原料加熱裝置(3)上設置原料加熱裝置熱電偶(6)；

該基片支撐臺(4)放置于外殼(1)內，其上設置基片加熱器(5)，基片加熱器(5)上設置基片加熱器熱電偶(7)，基片放置在該基片加熱器(5)上；

該原料加熱裝置(3)，基片加熱器(5)，原料加熱裝置熱電偶(6)和基片加熱器熱電偶(7)分別與溫度顯示及控制裝置連接。

2.如權利要求1所述的裝置，其特征在于，所述外殼(1)的側壁上設置補償加熱裝置(8)，該外殼(1)的內壁上設置補償加熱熱電偶(9)，兩者分別連接所述溫度顯示及控制裝置。

3.如權利要求2所述的裝置，其特征在于，所述基片加熱器(5)的外徑為50～250cm。

4.如權利要求3所述的裝置，其特征在于，所述外殼(1)為圓筒形，所述基片支撐臺(4)為圓柱形，放置在該外殼(1)的底部；在外殼(1)的內壁和基片支撐臺(4)的外側壁之間形成環形槽作為原料容器(2)，該原料加熱裝置(3)環設在該環形槽底部，在原料加熱裝置(3)上對稱設置至少一對原料加熱裝置熱電偶(6)。

5.如權利要求4所述的裝置，其特征在于，所述外殼(1)由不銹鋼、石墨或石英材料制成。

6.如權利要求5所述的裝置，其特征在于，所述基片為單晶氧化物基片、Si基片、陶瓷材料基片或半導體材料基片。

7.一種蒸汽法制備硫族、磷族元素化合物薄膜的裝置，其特征在于，該裝置采用權利要求1-6中任一項所述的結構，其中，所述原料容器(2)中盛裝砷、碲或銻原料。

8.權利要求1-6中任一項所述的裝置在制備CuInGaSe薄膜太陽能電池材料或FeSe超導材料中的應用。