[發明專利]一種碳納米管的制備方法

無效

• 申請號: 201210581092.8
• 申請日: 2012-12-27
• 公開（公告）號: CN103043648A
• 公開（公告）日: 2013-04-17
• 發明（設計）人: 李崗;國欣鑫;張曉輝
• 申請（專利權）人: 青島艾德森能源科技有限公司
• 主分類號: C01B31/02
• 分類號: C01B31/02;B82Y30/00
• 代理公司: 北京科億知識產權代理事務所(普通合伙) 11350
• 代理人: 湯東鳳

技術領域

本發明涉及一種碳納米管的制備方法。

背景技術

隨著科技的發展和進步，顯示技術更新換代，場發射顯示技術成為新一代顯示技術，場發射顯示技術的關鍵在場發射陰極材料，而碳納米管是一種重要的場發射陰極材料，但是目前碳納米管的制備方法工藝繁雜，制備成本較高，不適宜于工業生產。

因此，尋找碳納米管的一種工藝簡單、成本低廉的制備方法成為亟需解決的問題。

發明內容

本發明提供一種碳納米管的制備方法，其包括如下步驟：

（a）、對玻璃基板使用去離子水進行清洗、烘干處理；

（b）、然后在（a）步驟中處理過的玻璃基板上濺射鐵、鈷、鎳及其合金薄膜作為催化劑；

（c）、然后在（b）步驟中得到的薄膜上接著濺射一層稀土金屬的氟化物薄膜；

（d）、然后在催化劑薄膜上常規技術生長碳納米管，生長溫度為450-600℃。

有益效果

本發明制備的碳納米管材料經過光譜分析，顯示納米結構有序，而且該方法工藝要求簡單，制造成本低。

具體實施方式

下面結合具體實施例，進一步闡述本發明。應理解，這些實施例僅用于說明本發明而不用于限制本發明的范圍。此外應理解，在閱讀了本發明講授的內容之后，本領域技術人員可以對本發明作各種改動或修改，這些等價形式同樣落于本申請所附權利要求書所限定的范圍。

實施例1

該基板為普通玻璃，對該玻璃基板使用去離子水進行清洗、烘干處理；然后在處理過的玻璃基板上濺射鐵薄膜作為催化劑，厚度為20納米；然后在得到的薄膜上接著濺射一層氟化釹薄膜，厚度為100納米；最后在催化劑薄膜上常規技術生長碳納米管，生長溫度為450℃。得到質量優良的碳納米管。

實施例2

該基板為普通玻璃，對該玻璃基板使用去離子水進行清洗、烘干處理；然后在處理過的玻璃基板上濺射鈷薄膜作為催化劑，厚度為30納米；然后在得到的薄膜上接著濺射一層氟化鏑薄膜，厚度為200納米；最后在催化劑薄膜上常規技術生長碳納米管，生長溫度為500℃。得到質量優良的碳納米管。

實施例3

該基板為普通玻璃，對該玻璃基板使用去離子水進行清洗、烘干處理；然后在處理過的玻璃基板上濺射鎳薄膜作為催化劑，厚度為40納米；然后在得到的薄膜上接著濺射一層氟化釹薄膜，厚度為300納米；最后在催化劑薄膜上常規技術生長碳納米管，生長溫度為550℃。得到質量優良的碳納米管。