[發(fā)明專利]一種碳納米管的制備方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210581092.8 | 申請日： | 2012-12-27 |
| 公開（公告）號： | CN103043648A | 公開（公告）日： | 2013-04-17 |
| 發(fā)明（設計）人： | 李崗;國欣鑫;張曉輝 | 申請（專利權）人： | 青島艾德森能源科技有限公司 |
| 主分類號： | C01B31/02 | 分類號： | C01B31/02;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 北京科億知識產權代理事務所(普通合伙) 11350 | 代理人： | 湯東鳳 |
| 地址： | 266000 山東省青島市*** | 國省代碼： | 山東;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 納米 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種碳納米管的制備方法，其包括如下步驟：
（a）、對玻璃基板使用去離子水進行清洗、烘干處理；
（b）、然后在（a）步驟中處理過的玻璃基板上濺射鐵、鈷、鎳及其合金薄膜作為催化劑；
（c）、然后在（b）步驟中得到的薄膜上接著濺射一層稀土金屬的氟化物薄膜；
（d）、然后在催化劑薄膜上常規(guī)技術生長碳納米管，生長溫度為450-600℃。
2.如權利要求1所述的方法，其中，稀土金屬為釹、鏑。
3.如權利要求1所述的方法，其中，催化劑薄膜厚度為20-40nm。
4.如權利要求1所述的方法，其中，氟化物薄膜厚度為100-300nm。
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