[發明專利]一種電力半導體芯片臺面處理方法

有效

• 申請號: 201210580864.6
• 申請日: 2012-12-28
• 公開（公告）號: CN103035491A
• 公開（公告）日: 2013-04-10
• 發明（設計）人: 項衛光;徐偉;李有康;李曉明
• 申請（專利權）人: 浙江正邦電力電子有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02
• 代理公司: 浙江杭州金通專利事務所有限公司 33100
• 代理人: 柯利進

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技術領域

本發明涉及一種電力半導體器件生產方法，特別是一種電力半導體芯片臺面處理方法。

背景技術

電力半導體器件的一道重要加工工序是臺面處理，就是PN結的終端處理。其目的是將磨角后的芯片臺面通過化學腐蝕的方法進行清洗，去除臺面的氧化層和表面污染物，形成清潔光潔無污染的臺面表面，防止導電和電場打火。其傳統的處理方法有兩種：一種是采用腐蝕機器進行腐蝕，方法是將芯片放在旋轉的工件臺上，然后將腐蝕液噴在芯片臺面上，一定時間后，在臺面上噴清水清洗，最后烘干。此方法每次只能腐蝕一只芯片，效率較低，而且腐蝕液使用量大，酸性廢水多，對環境有較大影響，適合于大直徑的大功率器件。另一種方法是將芯片水平排放在圓形塑料盤底部，不重疊，然后倒入腐蝕液對芯片臺面進行腐蝕，一定時間后沖水清洗干凈，再根據腐蝕情況重復腐蝕，最后清洗、烘干。此方法效率稍高，適用于中小功率芯片的處理，但掌握難度大，且腐蝕液只能使用一次，酸性廢水多，對環境影響大。

發明內容

本發明針對上述傳統處理方法存在的問題，新提供一種電力半導體芯片臺面處理方法，使其處理效率高，效果好。

本發明所述的一種電力半導體芯片臺面處理方法，包括對芯片臺面依次進行腐蝕、清洗和烘干處理，其特征是：腐蝕處理時，所述芯片整齊重疊成柱狀，并橫置于有相應凹槽的耐腐蝕籃中，然后將該芯片和耐腐蝕籃一起放入盛有腐蝕液的耐腐蝕盤內，所述腐蝕液面高出芯片頂邊1-2厘米，耐腐蝕盤放置在超聲波清洗器的工作槽中，工作槽中盛有2-3厘米深度清水，腐蝕處理時間為40-55秒；清洗處理時，將耐腐蝕籃和芯片一起取出，然后按常規使用清水將芯片清洗干凈；?烘干處理時，將清洗干凈后的芯片水平擺放后按常規烘干。

在本發明中，所述超聲波清洗器功率為900W，頻率為28KHZ。

所述耐腐蝕籃和耐腐蝕盤分別為長方形塑料籃和塑料盤，其使用成本低。

所述耐腐蝕籃中設有5--9個凹槽，這樣一次可處理較多芯片，效率更高。

所述耐腐蝕籃中的凹槽橫截面為V形，其加工和使用方便。

本發明的有益技術效果是：1.一次可以處理較多數量的芯片，效率高；2.腐蝕液可以重復使用，節約材料，同時減少對環境的影響；3.在超聲波的作用下進行腐蝕，均勻度好，芯片參數一致性高。

附圖說明

圖1為放有芯片的耐腐蝕籃截面結構示意圖。

具體實施方式

附圖標注說明：1-耐腐蝕籃、2-凹槽、3-芯片。?

一種電力半導體芯片臺面處理方法，包括對芯片臺面依次進行腐蝕、清洗和烘干，其腐蝕處理時，所述芯片整齊重疊成柱狀，并橫置于有相應凹槽的耐腐蝕籃中，然后將該芯片和耐腐蝕籃一起放入盛有腐蝕液的耐腐蝕盤內，所述腐蝕液面高出芯片頂邊1-2厘米，耐腐蝕盤放置在超聲波清洗器的工作槽中，工作槽中盛有2-3厘米深度清水，腐蝕處理時間為40-55秒；清洗處理時，將耐腐蝕籃和芯片一起取出，然后按常規使用清水將芯片清洗干凈；?烘干處理時，將清洗干凈后的芯片水平擺放后按常規烘干。

在本發明中，所述超聲波清洗器功率為900W，頻率為28KHZ；所述耐腐蝕籃

設有5-9個凹槽。這樣一次可放置更多芯片，處理效率更高；所述耐腐蝕籃中的凹槽橫截面為V形，這樣整齊重疊成柱狀的芯片橫置于V形凹槽中方便可靠，并且其加工有也方便；所述耐腐蝕籃和耐腐蝕盤分別為塑料籃和塑料盤，其耐腐蝕性好，使用成本低。

本發明一次可以處理較多數量的芯片，效率高；腐蝕液可以重復使用，節約材料，同時減少對環境的影響；所述芯片臺面在超聲波的作用下進行腐蝕，均勻度好，芯片參數一致性高。

實施例：

一種電力半導體芯片臺面處理方法，包括對芯片臺面依次進行腐蝕、清洗和烘干處理，其中采用的腐蝕液組分及濃度分別為：硝酸：65-68%、冰乙酸：98%、氫氟酸：40%、硫酸：98%；耐腐蝕籃和耐腐蝕盤分別為長方形塑料籃和長方形塑料盤。所述耐腐蝕籃根據芯片的直徑設有7個凹槽，超聲波清洗器功率為900W，頻率為28KHZ，超聲波清洗器的工作槽中放有3厘米深度清水。

在腐蝕階段，所述圓形芯片整齊重疊成柱狀，并橫置于設有V形凹槽的長方形耐腐蝕籃中，然后將所述圓形芯片和長方形耐腐蝕籃一起放入盛有上述腐蝕液的耐腐蝕盤內，腐蝕液浸沒全部芯片，并且該腐蝕液面高出芯片頂邊1-2厘米，耐腐蝕盤放置在超聲波清洗器工作槽的清水中，腐蝕處理時間為40-55秒；