[發明專利]一種電力半導體芯片臺面處理方法

有效

• 申請號: 201210580864.6
• 申請日: 2012-12-28
• 公開（公告）號: CN103035491A
• 公開（公告）日: 2013-04-10
• 發明（設計）人: 項衛光;徐偉;李有康;李曉明
• 申請（專利權）人: 浙江正邦電力電子有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02
• 代理公司: 浙江杭州金通專利事務所有限公司 33100
• 代理人: 柯利進

1.一種電力半導體芯片臺面處理方法，包括對芯片臺面依次進行腐蝕、清洗和烘干處理，其特征是：腐蝕處理時，所述芯片整齊重疊成柱狀，并橫置于有相應凹槽的耐腐蝕籃中，然后將該芯片和耐腐蝕籃一起放入盛有腐蝕液的耐腐蝕盤內，所述腐蝕液面高出芯片頂邊1-2厘米，耐腐蝕盤放置在超聲波清洗器的工作槽中，工作槽中盛有2-3厘米深度清水，腐蝕處理時間為40-55秒；清洗處理時，將耐腐蝕籃和芯片一起取出，然后按常規使用清水將芯片清洗干凈；烘干處理時，將清洗干凈后的芯片水平擺放后按常規烘干。

2.根據權利要求1所述的一種電力半導體芯片臺面處理方法，其特征是：所述超聲波清洗器功率為900W，頻率為28KHZ。

3.根據權利要求1或2所述的一種電力半導體芯片臺面處理方法，其特征是：所述耐腐蝕籃和耐腐蝕盤分別為長方形塑料籃和塑料盤。

4.根據權利要求3所述的一種電力半導體芯片臺面處理方法，其特征是：所述耐腐蝕籃中設有5--9個凹槽。

5.根據權利要求4所述的一種電力半導體芯片臺面處理方法，其特征是：所述耐腐蝕籃中的凹槽橫截面為V形。