[發(fā)明專利]一種多層還原石墨烯薄膜的制備方法及其應(yīng)用有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210580733.8 | 申請日: | 2012-12-27 |
| 公開(公告)號: | CN103011149A | 公開(公告)日: | 2013-04-03 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 何谷峰;吳欣凱;劉俊;王經(jīng);黃賽君;石鑫棟 | 申請(專利權(quán))人: | 上海交通大學(xué) |
| 主分類號: | C01B31/04 | 分類號: | C01B31/04 |
| 代理公司: | 上海旭誠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31220 | 代理人: | 鄭立 |
| 地址: | 200240 *** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 多層 還原 石墨 薄膜 制備 方法 及其 應(yīng)用 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種石墨烯薄膜的制備方法及其應(yīng)用,尤其涉及一種多層還原石墨烯薄膜的制備方法及其應(yīng)用,屬于薄膜制備領(lǐng)域。
背景技術(shù)
石墨烯是一種由單層碳原子緊密堆積成二維蜂窩狀晶格結(jié)構(gòu)的碳質(zhì)新材料。由于每個(gè)碳原子均為sp2雜化,并貢獻(xiàn)剩余一個(gè)p軌道電子形成大π鍵,π電子可以自由移動(dòng),因而石墨烯具有卓越的導(dǎo)電性能、柔韌性、透明性和耐腐蝕性,在復(fù)合材料、能源儲存、光電器件等方面受到了廣泛的關(guān)注。目前,隨著技術(shù)的進(jìn)步,光電器件已逐步向薄膜化、透明化發(fā)展,而本身由于光電器件方面采用的傳統(tǒng)電極材料ITO易碎,且容易被酸堿所腐蝕,限制了其在薄膜顯示技術(shù)方面的發(fā)展。而石墨烯由于本身具有極佳的柔韌性、透明性及導(dǎo)電性,被認(rèn)為是ITO電極的最佳替代材料。
目前常用的制備石墨烯薄膜的方法為CVD法(Shuping?Pang,Yenny?Hernandez,et?al.Adv.Mater.2011,23,27792795)、外延生長法(X.S.Li,W.W.Cai,L.Colombo,R.S.Ruoff,Nano?Lett.2009,9,4268)、噴涂法、Roll-To-Roll法(S.Bae,H.Kim,Y.Lee,X.F.Xu,et?al.Nat.Nanotechnol.2010,5,574)、旋涂法(Giyeol?Bae,Hyun?Jung,et?al.Appl.Phys.Lett.2012,100,181302)、自組裝等。目前采用較多的CVD法可以獲得最佳的石墨烯導(dǎo)電率,且石墨烯表面平整,結(jié)構(gòu)均勻,但由于設(shè)備限制,難以生產(chǎn)大面積的石墨烯薄膜;而物理方法得到的石墨烯薄膜轉(zhuǎn)移較為困難,步驟繁瑣,不適合大規(guī)模生產(chǎn)。利用噴涂和旋涂技術(shù)雖然能夠簡化操作,降低成本,但由于溶劑及其它添加物質(zhì)的存在,所制得的石墨烯薄膜含有許多缺陷,影響了電極的導(dǎo)電率和規(guī)整性。自組裝和Roll-To-Roll技術(shù)可以獲得較好的薄膜結(jié)構(gòu),且制備簡單,成本較低,適合于大規(guī)模制備石墨烯薄膜。例如中國專利CN10250963A報(bào)道的靜電自組裝技術(shù)多為利用有機(jī)層和石墨烯層之間的靜電作用,但由于有機(jī)層難以去除,所以限制了石墨烯的導(dǎo)電率,且薄膜厚度較難控制,不利于石墨烯薄膜的制作。
發(fā)明內(nèi)容
有鑒于現(xiàn)有技術(shù)的上述缺陷,本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種結(jié)構(gòu)均勻、層數(shù)可控且導(dǎo)電率高的石墨烯多層薄膜的制備方法及其在電極方面的應(yīng)用。
為實(shí)現(xiàn)上述目的,本發(fā)明提供了一種多層還原石墨烯薄膜的制備方法及其應(yīng)用。
本發(fā)明采用簡單的層層自組裝技術(shù),利用石墨烯表面的功能基團(tuán)與電解質(zhì)之間存在于基團(tuán)間的的相互作用(如氫鍵、共價(jià)、范德華力或靜電作用)帶上相反的電性,之后在層與層之間通過靜電作用自組裝成膜。由于靜電力作用,所制得的薄膜結(jié)構(gòu)規(guī)整,分散均勻,層數(shù)可控;且除去所帶基團(tuán)后具有較好的到點(diǎn)性能,能夠滿足未來器件柔性化發(fā)展的需要。
一方面,本發(fā)明提供了一種制備多層還原石墨烯薄膜的方法。
本發(fā)明的多層還原石墨烯薄膜的制備方法以氧化石墨烯溶液作為原料,用電解質(zhì)處理使得溶液中的石墨烯分別帶有正電性和負(fù)電性,再利用正負(fù)電性的靜電作用在基板上層層自組裝制成多層還原石墨烯薄膜。其中,電解質(zhì)為在水溶液中能夠電離出陽離子或陰離子的電解質(zhì)。
在本發(fā)明的較佳實(shí)施方式中,所述陽離子電解質(zhì)為在水溶液能夠電離的季胺鹽型、季磷鹽型、叔硫型聚電解質(zhì)、及帶有胺根、季胺根、咪唑或三嗪類等雜環(huán)類的陽離子表面活性劑。優(yōu)選地,所述陽離子電解質(zhì)為CTAB(十六烷基三甲基溴化銨)、乙二胺、三乙烯二胺、二乙烯三胺、2-烷基咪唑啉、CPAM(陽離子聚丙烯酰胺)、或乙醇胺等。
優(yōu)選地,所述陰離子電解質(zhì)為聚丙烯酸、聚甲基丙烯酸、聚苯乙烯磺酸、聚乙烯磺酸、聚乙烯磷酸等在水溶液能夠電離出陰離子的聚合物,及羧酸鹽、磺酸鹽、硫酸酯鹽或磷酸酯鹽等陰離子表面活性劑。更優(yōu)選地,所述陰離子電解質(zhì)為烷基苯磺酸鈉、烷基硫酸鈉、烷基磷酸酯、或氨基酸鹽。
在本發(fā)明的另一較佳實(shí)施方式中,所述陰、陽離子電解質(zhì)為聚磷酸鹽、聚硅酸鹽、天然的核酸、蛋白質(zhì)等兩性聚電解質(zhì)以及氨基酸型、或甜菜堿型兩性表面活性劑。
本發(fā)明制備多層還原石墨烯薄膜的具體方法包括以下步驟:
步驟一、制備兩份濃度相同的氧化石墨烯溶液,其中一份經(jīng)陽離子預(yù)先處理或與陽離子電解質(zhì)超聲混合,之后充分?jǐn)嚢枋沟秒娊赓|(zhì)與石墨烯的表面基團(tuán)相互作用,從而使石墨烯顯正電性;另外一份經(jīng)硝酸或陰離子電解質(zhì)充分混合,使得石墨烯顯負(fù)電性;
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