[發(fā)明專利]一種具有P+且PMOS晶體管沒有輕摻雜區(qū)域的單一多晶架構的非揮發(fā)性記憶體及其制備方法

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• 申請日: 2012-12-28
• 公開（公告）號: CN103022045A
• 公開（公告）日: 2013-04-03
• 發(fā)明（設計）人: 不公告發(fā)明人
• 申請（專利權）人: 無錫來燕微電子有限公司
• 主分類號: H01L27/115
• 分類號: H01L27/115;H01L21/8247
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種具有P+且PMOS晶體管沒有輕摻雜區(qū)域的單一多晶架構的非揮發(fā)性記憶體，包括半導體基板；其特征是：所述半導體基板內的上部設有若干用于存儲的記憶體細胞（200），所述記憶體細胞（200）至少包括沒有輕摻雜區(qū)域的PMOS晶體管（210）和控制電容（220），浮柵電極（216）把沒有輕摻雜區(qū)域的PMOS晶體管（210）和控制電容（220）聯(lián)接在一起。

2.根據權利要求1所述的一種具有P+且PMOS晶體管沒有輕摻雜區(qū)域的單一多晶架構的非揮發(fā)性記憶體，其特征是：所述記憶體細胞（200）中的PMOS晶體管（210）沒有輕摻雜區(qū)域是為了降低寫入熱電子時的電壓。

3.根據權利要求1所述的一種具有P+且PMOS晶體管沒有輕摻雜區(qū)域的單一多晶架構的非揮發(fā)性記憶體，其特征是：所述記憶體細胞（200）是單一多晶架構的非揮發(fā)性記憶體。

4.根據權利要求1所述的一種具有P+且PMOS晶體管沒有輕摻雜區(qū)域的單一多晶架構的非揮發(fā)性記憶體，其特征是：浮柵電極（216）是P+型的單一多晶體。

5.一種具有P+且PMOS晶體管沒有輕摻雜區(qū)域的單一多晶架構的非揮發(fā)性記憶體，包括半導體基板；其特征是：所述半導體基板內的上部設有若干用于存儲的記憶體細胞（200），所述記憶體細胞（200）包括沒有輕摻雜區(qū)域的PMOS晶體管（210）和控制電容（220）；所述沒有輕摻雜區(qū)域的PMOS晶體管（210）、控制電容（220）間通過半導體基板內的領域介質區(qū)域（214）相互隔離；半導體基板的表面上淀積有柵介質層（215），所述柵介質層（215）上設有浮柵電極（216），所述浮柵電極（216）覆蓋并貫穿沒有輕摻雜區(qū)域的PMOS晶體管（210）和控制電容（220）上方對應的柵介質層（215），浮柵電極（216）的兩側淀積有側面保護層（217），側面保護層（217）覆蓋浮柵電極（216）的側壁；沒有輕摻雜區(qū)域的PMOS晶體管（210）包括第一N型區(qū)域（202）及位于所述第一N型區(qū)域（202）內上部的P型源極區(qū)（213）與P型漏極區(qū)（221），控制電容（220）包括第二P型區(qū)域（205）及位于所述第二P型區(qū)域（205）內上部的第一P型摻雜區(qū)域（206）與第二P型摻雜區(qū)域（209）與上方的浮柵電極（216）相對應，并分別與相應的柵介質層（215）及領域介質區(qū)域（214）相接觸。

6.根據權利要求5所述的一種具有P+且PMOS晶體管沒有輕摻雜區(qū)域的單一多晶架構的非揮發(fā)性記憶體，其特征是：所述半導體基板為P導電類型基板（201）時，所述沒有輕摻雜區(qū)域的PMOS晶體管（210）和控制電容（220）通過P型導電類型基板（201）內的第二N型區(qū)域（203）及第二N型區(qū)域（203）上方的第三N型區(qū)域（204）與P型導電類型基板（201）相隔離。

7.?根據權利要求5所述的一種具有P+且PMOS晶體管沒有輕摻雜區(qū)域的單一多晶架構的非揮發(fā)性記憶體，其特征是：所述浮柵電極（216）的包括導電多晶硅。

8.?根據權利要求5所述的一種具有P+且PMOS晶體管沒有輕摻雜區(qū)域的單一多晶架構的非揮發(fā)性記憶體，其特征是：所述柵介質層（215）是工藝中I/O晶體管的電極柵氧化層。