[發(fā)明專利]一種塑封IC開(kāi)封方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210580087.5
• 申請(qǐng)日: 2012-12-27
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103065936A
• 公開(kāi)（公告）日: 2013-04-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 馮海科
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 西安芯派電子科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/02
• 分類號(hào): H01L21/02
• 代理公司: 西安西交通盛知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 61217
• 代理人: 張震國(guó)

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種IC的濕法開(kāi)封方法，特別涉及一種塑封IC開(kāi)封方法。

背景技術(shù)

隨著電子產(chǎn)品的飛速發(fā)展與進(jìn)步，塑封IC產(chǎn)品的可靠性問(wèn)題已經(jīng)成為電子元器件供應(yīng)商關(guān)心的主要問(wèn)題之一。塑封IC剛開(kāi)始時(shí)，可靠性是很差的。當(dāng)然，IC美國(guó)是老大，日本的IC更差。所以日本的電子產(chǎn)品大多要靠進(jìn)口美國(guó)的IC。一開(kāi)始，美國(guó)對(duì)塑封IC的可靠性差，認(rèn)為是理所當(dāng)然的。他們稱要用高可靠性的IC，就要用陶瓷封裝的IC，因?yàn)槟鞘峭ㄟ^(guò)嚴(yán)格的測(cè)試的。但是日本的失效分析專家做了實(shí)實(shí)在在的測(cè)試、失效分析、DPA（破壞性物理實(shí)驗(yàn)，以良品開(kāi)封為核心），把失效的問(wèn)題找出來(lái)了，通過(guò)不斷的改善，使日本的塑封IC可靠性也大大提高。現(xiàn)在國(guó)內(nèi)的一些電子元器件供應(yīng)商為了提高塑封IC產(chǎn)品的可靠性，需要對(duì)塑封IC產(chǎn)品進(jìn)行開(kāi)封，找出失效點(diǎn)，進(jìn)而提出改進(jìn)措施。目前國(guó)內(nèi)主要以購(gòu)買美國(guó)和日本的自動(dòng)開(kāi)封機(jī)為主，進(jìn)行塑封IC產(chǎn)品的開(kāi)封，但是自動(dòng)開(kāi)封機(jī)具有以下幾個(gè)缺陷：

1.自動(dòng)開(kāi)封機(jī)成本較高，進(jìn)口價(jià)格一般在3萬(wàn)美金左右，而且后續(xù)不斷的向設(shè)備供應(yīng)商購(gòu)買一些專利酸液，對(duì)于國(guó)內(nèi)的中小型企業(yè)是一筆沉重的負(fù)擔(dān)。

2.自動(dòng)開(kāi)封機(jī)開(kāi)封需時(shí)較長(zhǎng)，例如針對(duì)于一顆DIP8的塑封IC，需要時(shí)間大約為45分鐘左右，如果需要進(jìn)行多顆塑封IC進(jìn)行分析時(shí)，需時(shí)較長(zhǎng)，嚴(yán)重影響效率。

結(jié)合以上分析，需要一種適合中國(guó)中小企業(yè)的一種塑封IC的開(kāi)封方法。目前個(gè)別企業(yè)都有自己相應(yīng)的塑封IC開(kāi)封方案，但技術(shù)均不成熟，存在較多缺陷：其一，開(kāi)封速度慢。其二，樣品芯片表面殘留膠多不干凈，不利于失效點(diǎn)觀察。除此之外還存在諸多問(wèn)題，有待改進(jìn)。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明要解決的問(wèn)題是：提供一種塑封IC開(kāi)封方法，操作簡(jiǎn)單、開(kāi)封時(shí)間短，成本較低。

本發(fā)明采用的技術(shù)方案是：

一種塑封開(kāi)封方法，首先按照體積比為3:1將硝酸和硫酸配成混合酸液，加熱至50~80℃后，將混合酸液滴注在芯片上方，使酸液與塑封料反應(yīng)，直至芯片全部裸露出來(lái)，最后在裸露的芯片上方滴注硫酸以清洗芯片表面，最后將芯片清洗干凈即可。

作為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，酸液與塑封料反應(yīng)直至芯片全部裸露出來(lái)的具體方法為：將酸液滴注到塑封IC表面，使酸液充分與塑封料反應(yīng)，反應(yīng)結(jié)束后，用無(wú)水乙醇清洗，之后重復(fù)在塑封IC表面滴注酸液、清洗，直至芯片完全裸露出來(lái)。

作為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，所述塑封IC的表面設(shè)置有凹槽，所述酸液滴注在凹槽內(nèi)。

作為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，硝酸和硫酸均為分析純級(jí)。

作為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，滴注到塑封IC表面的酸液溫度為60℃。

作為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，最后將芯片清洗干凈的方法為：先用超聲波清洗，再用水清洗，最后用無(wú)水乙醇清洗。

本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)：本發(fā)明方法開(kāi)封時(shí)間短的原因?yàn)椋阂弧⑾跛岷土蛩嵝纬苫焖徇M(jìn)行腐蝕；二、芯片表面開(kāi)有凹槽；三、對(duì)酸液進(jìn)行加熱，而不是對(duì)樣品進(jìn)行加熱，減小對(duì)樣品的影響。

具體實(shí)施方式

1.原材料準(zhǔn)備：需要準(zhǔn)備的原材料有：分析純級(jí)濃硫酸，分析純級(jí)濃硝酸，無(wú)水乙醇，滴管一只，燒杯若干。

2.腐蝕酸液配置：將分析純級(jí)濃硝酸和分析純級(jí)濃硫酸按照3：1的體積比進(jìn)行配制，配制酸液時(shí)一次不要配制太多。

3.加熱腐蝕酸液:將配置好的腐蝕酸液加熱到50～80℃之間后，穩(wěn)定溫度使酸液始終保持在50～80℃，建議溫度為60℃.可以將溫度計(jì)插入酸液中監(jiān)控酸液溫度。

4.樣品準(zhǔn)備：清理樣品表面的異物，使酸液可以直接與塑封料接觸。最好在芯片上方位置制作出一個(gè)凹處，方便酸液停留腐蝕，這樣可以加快開(kāi)封速度。

5.樣品腐蝕：將加熱好的酸液用滴管滴注在芯片上方位置，使酸液與塑封料反應(yīng)，然后將樣品放入盛有無(wú)水乙醇的燒杯中清洗，清洗后繼續(xù)滴注，不斷重復(fù)以上操作，直到芯片全部裸露出來(lái)。

6.芯片表面清理：將分析純級(jí)濃硫酸滴注在裸露出的芯片表面，停滯5秒后將樣品放入盛有無(wú)水乙醇的燒杯中清洗，反復(fù)操作3次。

7.樣品清洗：用水將樣品清洗3次，防止酸液殘留對(duì)人員造成傷害。最終將樣品放入無(wú)水乙醇中10秒后拿出即可。如果有超聲波清洗機(jī)，可以在樣品放入無(wú)水乙醇前進(jìn)行超聲波清洗，效果會(huì)更好。用無(wú)水乙醇進(jìn)行清洗能夠防止芯片表面有水痕遺留，影響觀察。

最后說(shuō)明的是，以上實(shí)例僅用以說(shuō)明本發(fā)明的技術(shù)方案而非限制，盡管參照較佳實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)說(shuō)明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，可以對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案進(jìn)行修改或者等同替換，而不脫離本技術(shù)方案的宗旨和范圍，其均應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的權(quán)利要求范圍當(dāng)中。