[發明專利]一種塑封IC開封方法無效
| 申請號： | 201210580087.5 | 申請日： | 2012-12-27 |
| 公開（公告）號： | CN103065936A | 公開（公告）日： | 2013-04-24 |
| 發明（設計）人： | 馮海科 | 申請（專利權）人： | 西安芯派電子科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/02 | 分類號： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 西安西交通盛知識產權代理有限責任公司 61217 | 代理人： | 張震國 |
| 地址： | 710075 陜西省*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 塑封 ic 開封 方法 | ||
1.一種塑封IC開封方法，其特征在于：首先按照體積比為3:1將硝酸和硫酸配成混合酸液，加熱至50~80℃后，將混合酸液滴注在芯片上方，使酸液與塑封料反應，直至芯片全部裸露出來，最后在裸露的芯片上方滴注硫酸以清洗芯片表面，最后將芯片清洗干凈即可。
2.根據權利要求1所述的一種塑封IC開封方法，其特征在于：酸液與塑封料反應直至芯片全部裸露出來的具體方法為：將酸液滴注到塑封IC表面，使酸液充分與塑封料反應，反應結束后，用無水乙醇清洗，之后重復在塑封IC表面滴注酸液、清洗，直至芯片完全裸露出來。
3.根據權利要求1或2所述的一種塑封IC開封方法，其特征在于：所述塑封IC的表面設置有凹槽，所述酸液滴注在凹槽內。
4.根據權利要求1所述的一種塑封IC開封方法，其特征在于：硝酸和硫酸均為分析純級。
5.根據權利要求1所述的一種塑封IC開封方法，其特征在于：滴注到塑封IC表面的酸液溫度為60℃。
6.根據權利要求1所述的一種塑封IC開封方法，其特征在于：最后將芯片清洗干凈的方法為：先用超聲波清洗，再用水清洗，最后用無水乙醇清洗。
7.一種塑封IC開封方法，其特征在于：包括以下步驟：
（1）將分析純級濃硝酸和分析純級濃硫酸按照3：1的體積比配制成腐蝕酸液；
（2）將步驟（1）配置好的腐蝕酸液加熱，穩定溫度使酸液始終保持在50～80℃；
（3）清理塑封IC表面的異物，使酸液與塑封料充分接觸；
（4）將步驟（2）加熱好的酸液用滴管滴注在步驟（3）處理后的芯片上方位置，使酸液與塑封料反應，然后將塑封IC放入盛有無水乙醇的燒杯中清洗，清洗后繼續滴注，不斷重復以上操作，直到芯片全部裸露出來；
（5）將分析純級濃硫酸滴注在裸露出的芯片表面，停滯5秒后將樣品放入盛有無水乙醇的燒杯中清洗，反復操作3次；
（6）用水將樣品清洗3次，防止酸液殘留對人員造成傷害，最終將樣品放入無水乙醇中10秒后拿出即可。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
