[發明專利]有機發光二極管及其制造方法在審
| 申請號: | 201210579790.4 | 申請日: | 2012-12-27 |
| 公開(公告)號: | CN103633111A | 公開(公告)日: | 2014-03-12 |
| 發明(設計)人: | 樸鎮鎬;金洸賢;金美娜 | 申請(專利權)人: | 樂金顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/50;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京三友知識產權代理有限公司 11127 | 代理人: | 呂俊剛;劉久亮 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 有機 發光二極管 及其 制造 方法 | ||
技術領域
本公開涉及有機發光二極管,并且更具體地涉及能夠減少制造工藝中所需要的掩膜數量、從而降低制造成本并簡化制造工藝的有機發光二極管,以及有機發光二極管的制造方法。
背景技術
長期以來,陰極射線管(CRT)用作各種電子設備的顯示器。但是目前,已經開發并廣泛使用了諸如等離子體顯示面板(PDP)、液晶顯示器(LCD)和有機發光二極管(OLED)顯示設備等的平板顯示設備。
在上述平板顯示設備中,有機發光二極管顯示設備由于是不需要背光的自發光設備,所以可以被制造為輕薄顯示器。
而且,有機發光二極管顯示設備具有低功耗,允許直流低壓驅動,響應速度快,由于其內部元件結實而對外部撞擊具有高抗性,并且還具有寬的工作溫度范圍。
特別是,由于可以用簡單的制造工藝來制造有機發光二極管顯示設備,所以可以以比液晶顯示設備低的制造成本進行制造。
圖1是示出了常規的有源矩陣型有機發光二極管顯示設備的像素結構的電路圖。
參照圖1,有源矩陣型有機發光二極管顯示設備的像素包括開關薄膜晶體管STr、驅動薄膜晶體管DTr、存儲電容器StgC和有機發光二極管E。
而且,選通線GL沿第一方向形成,數據線DL沿與第一方向交叉的第二方向形成,并且用于提供電壓的電源線PL被形成為與數據線DL間隔開。
開關薄膜晶體管STr形成在數據線DL和選通線GL的交叉處,并且與驅動薄膜晶體管DTr電連接。
驅動薄膜晶體管DTr與有機發光二極管E電連接。即,與有機發光二極管E的一個端子相對應的有機發光二極管E的第一電極連接到驅動薄膜晶體管DTr的漏極,并且與有機發光二極管E的另一個端子相對應的有機發光二極管E的第二電極接地。電源線PL向有機發光二極管E傳遞電源電壓。而且,存儲電容器StgC形成在驅動薄膜晶體管DTr的柵極和源極之間。
因此,如果通過選通線GL施加信號,則開關薄膜晶體管STr導通,數據線DL的信號被傳遞到驅動薄膜晶體管DTr的柵極,以使驅動薄膜晶體管DTr導通,使得通過有機發光二極管E發射光。如果驅動薄膜晶體管DTr導通,則確定從電源線PL流到有機發光二極管E的電流水平,使得有機發光二極管E可以實現灰度。而且,當開關薄膜晶體管STr截止時,存儲電容器StgC用于保持驅動薄膜晶體管DTr的選通電壓不變,從而即使當使開關薄膜晶體管STr截止時,也保持流過有機發光二極管E的電流水平不變,直到下一幀為止。
如圖2所示,有機發光二極管E包括上面限定了紅色像素區域Rp、綠色像素區域Gp和藍色像素區域Bp的陽極10、空穴傳輸層12、由紅色有機發光圖案14、綠色有機發光圖案16和藍色有機發光圖案18組成的發光材料層、電子傳輸層20和陰極22。盡管圖2中未示出,但是在陽極10和空穴傳輸層12之間可以布置空穴注入層,并且在陰極22和電子傳輸層20之間可以布置電子注入層。
在有機發光二極管E中,如果電壓被施加于陽極10和陰極22,則空穴和電子被傳遞到發光材料層,并且在發光材料層中彼此耦合,從而發光。但是,常規的有機發光二極管在光輸出效率和色彩屬性方面具有限制。
發明內容
因此,本發明致力于提供一種大致解決了由于相關技術的局限性和缺點所引起的一個或更多個問題的有機發光二極管顯示設備。
本公開的一個目的是提供一種具有提高的光輸出效率和改善的色彩屬性的有機發光二極管顯示設備。
本公開的另一個目的是提供一種能夠在無附加掩模工藝以防止制造成本增加并防止工藝復雜化的情況下提高光輸出效率的有機發光二極管顯示設備的制造方法。
本發明的附加特征和優點將在下面的描述中闡述,且部分將通過描述而顯見,或者可以通過本發明的實踐來了解。通過書面的說明及其權利要求以及附圖中具體指出的結構將實現和獲得本發明的目的和其他優點。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





