[發明專利]有機發光二極管及其制造方法在審
| 申請號: | 201210579790.4 | 申請日: | 2012-12-27 |
| 公開(公告)號: | CN103633111A | 公開(公告)日: | 2014-03-12 |
| 發明(設計)人: | 樸鎮鎬;金洸賢;金美娜 | 申請(專利權)人: | 樂金顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/50;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京三友知識產權代理有限公司 11127 | 代理人: | 呂俊剛;劉久亮 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 有機 發光二極管 及其 制造 方法 | ||
1.一種有機發光二極管,所述有機發光二極管包括:
基板,在該基板上限定了紅色像素區域、綠色像素區域以及藍色像素區域;
布置在所述基板上并且與所述紅色像素區域、所述綠色像素區域以及所述藍色像素區域相對應的陽極;
布置在所述陽極上并且與所述紅色像素區域、所述綠色像素區域以及所述藍色像素區域相對應的第一空穴傳輸層;
布置在所述第一空穴傳輸層上并且與所述紅色像素區域和所述綠色像素區域相對應的第二空穴傳輸層,所述第二空穴傳輸層具有均勻厚度;
布置在所述第二空穴傳輸層上并且與所述紅色像素區域相對應的第一發光材料圖案,所述第一發光材料圖案具有第一厚度;
布置在所述第二空穴傳輸層上并且與所述綠色像素區域相對應的第二發光材料圖案,所述第二發光材料圖案具有第二厚度;
布置在所述第一空穴傳輸層上并且與所述藍色像素區域相對應的第三發光材料圖案,所述第三發光材料圖案具有第三厚度;
布置在所述第一發光材料圖案、所述第二發光材料圖案以及所述第三發光材料圖案上并且與所述紅色像素區域、所述綠色像素區域以及所述藍色像素區域相對應的電子傳輸層;以及
布置在所述電子傳輸層上并且與所述紅色像素區域、所述綠色像素區域以及所述藍色像素區域相對應的陰極,
其中,所述第二厚度小于所述第一厚度且大于所述第三厚度。
2.根據權利要求1所述的有機發光二極管,其中,所述第一發光材料圖案具有三層結構,所述三層結構中紅色有機發光圖案、綠色有機發光圖案和藍色有機發光圖案疊置在所述第二空穴傳輸層上。
3.根據權利要求2所述的有機發光二極管,其中,所述第二發光材料圖案具有兩層結構,所述兩層結構中所述綠色有機發光圖案和所述藍色有機發光圖案被疊置在所述第二空穴傳輸層上。
4.根據權利要求3所述的有機發光二極管,其中,所述第三發光材料圖案具有由所述藍色有機發光圖案組成的單層結構。
5.根據權利要求1所述的有機發光二極管,其中,所述陽極是反射電極,所述陰極具有半透明性,并且在所述紅色像素區域、所述綠色像素區域和所述藍色像素區域中與所述陽極分別間隔第一距離、第二距離和第三距離,并且所述第二距離比所述第一距離短且比所述第三距離長。
6.根據權利要求1所述的有機發光二極管,其中,在所述第一電子傳輸層和所述陽極之間置有電子注入層,并且所述電子注入層通過用p型摻雜物來摻雜用于形成所述第一電子傳輸層的材料而形成。
7.根據權利要求1所述的有機發光二極管,其中,在所述第二空穴傳輸層和各個所述第一發光材料圖案和第二發光材料圖案之間,以及在所述第三發光材料圖案和所述第一空穴傳輸層之間形成有電子阻擋層。
8.一種有機發光二極管的制造方法,所述方法包括以下步驟:
在限定了紅色像素區域、綠色像素區域以及藍色像素區域的基板的整個表面上形成陽極;
在所述陽極上并對應于所述紅色像素區域、所述綠色像素區域以及所述藍色像素區域形成第一空穴傳輸層;
在所述第一空穴傳輸層上并對應于所述紅色像素區域和所述綠色像素區域形成第二空穴傳輸層,所述第二空穴傳輸層具有均勻厚度;
在所述第二空穴傳輸層上并對應于所述紅色像素區域形成紅色有機發光圖案;
在所述紅色有機發光圖案和所述第二空穴傳輸層上形成綠色有機發光圖案;
在所述綠色有機發光圖案和所述第一空穴傳輸層上形成藍色有機發光圖案;
在所述藍色有機發光圖案上形成電子傳輸層;以及
在所述電子傳輸層上形成陰極。
9.根據權利要求8所述的方法,在形成所述第一空穴傳輸層之前,還包括在所述陽極上形成空穴注入層,
其中,通過用p型摻雜物來摻雜用于形成所述第一空穴傳輸層的材料,而形成所述空穴注入層,并且所述空穴注入層和所述第一空穴傳輸層形成在相同室中。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





