[發(fā)明專利]一種自適應(yīng)磁頭負(fù)載電路

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210578671.7
• 申請(qǐng)日: 2012-12-26
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103077364A
• 公開(kāi)（公告）日: 2013-05-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王鎮(zhèn);劉新寧;奚錦程;邵金梓;黃丹丹;蔡志匡
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 江蘇東大集成電路系統(tǒng)工程技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): G06K7/00
• 分類號(hào): G06K7/00
• 代理公司: 南京天翼專利代理有限責(zé)任公司 32112
• 代理人: 王鵬翔

1.一種自適應(yīng)磁頭負(fù)載電路，其特征在于，包括位于刷卡芯片內(nèi)部的控制電路和與磁頭相連接的MOS開(kāi)關(guān)電阻電路，所述MOS開(kāi)關(guān)電阻電路通過(guò)MOS管通斷改變電阻大小；

所述控制電路包括對(duì)磁頭激勵(lì)信號(hào)進(jìn)行采樣的采樣電路、與采樣電路輸出端相連接的信號(hào)處理電路和與信號(hào)處理電路輸出端相連接的數(shù)字編碼電路。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的自適應(yīng)磁頭負(fù)載電路，其特征在于，所述MOS開(kāi)關(guān)電阻電路包括與磁頭一端相連接的第一個(gè)電阻、第一個(gè)PMOS管、第二個(gè)電阻、第二個(gè)PMOS管、第三個(gè)電阻、第三個(gè)PMOS管……第N個(gè)電阻和第N個(gè)PMOS管；

所述第一個(gè)PMOS管源極與第一個(gè)電阻另一端相連接，第一個(gè)PMOS管漏極與磁頭另一端相連接，第一個(gè)PMOS管柵極作為控制口用于接收數(shù)字編碼電路的輸出信號(hào)；

所述第二個(gè)電阻一端連接第一個(gè)電阻與第一個(gè)PMOS管源極的公共端，所述第二個(gè)PMOS管源極與第二個(gè)電阻另一端相連接，第二個(gè)PMOS管漏極與第一個(gè)PMOS管漏極相連接，第二個(gè)PMOS管柵極作為控制口用于接收數(shù)字編碼電路的輸出信號(hào)；

所述第三個(gè)電阻一端連接第二個(gè)電阻與第二個(gè)PMOS管源極的公共端，所述第三個(gè)PMOS管源極與第三個(gè)電阻另一端相連接，第三個(gè)PMOS管漏極與第二個(gè)PMOS管漏極相連接，第三個(gè)PMOS管柵極作為控制口用于接收數(shù)字編碼電路的輸出信號(hào)；

......

所述第N個(gè)電阻一端連接第N-1個(gè)電阻與第N-1個(gè)PMOS管源極的公共端，所述第N個(gè)PMOS管源極與第N-1個(gè)電阻另一端相連接，第N個(gè)PMOS管漏極與第N-1個(gè)PMOS管漏極相連接，第N個(gè)PMOS管柵極作為控制口用于接收數(shù)字編碼電路的輸出信號(hào)；

其中，N=2ⁿ，n為大于等于2的正整數(shù)。