[發明專利]一種高耐壓肖特基芯片無效

申請號：	201210577527.1	申請日：	2012-12-27
公開（公告）號：	CN103000668A	公開（公告）日：	2013-03-27
發明（設計）人：	關仕漢;呂新立	申請（專利權）人：	淄博美林電子有限公司
主分類號：	H01L29/06	分類號：	H01L29/06
代理公司：	淄博佳和專利代理事務所 37223	代理人：	孫愛華
地址：	255000 ***	國省代碼：	山東;37
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摘要：
搜索關鍵詞：	一種耐壓肖特基芯片
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【權利要求書】：

1.一種高耐壓肖特基芯片，包括頂部金屬層（1）、頂部金屬層（1）下方的肖特基界面（4）、緊靠肖特基界面（4）下方的多晶硅（2）、多晶硅外的氧化硅層、下部的N型外延層N-EPI（5）和N型基片N^+?Substrate（6），其特征在于：多晶硅（2）外的氧化硅層的底部氧化硅層（7）厚度大于邊部氧化硅層（3）厚度。

2.根據權利要求1所述的一種高耐壓肖特基芯片，其特征在于：所述的底部氧化硅層（7）厚度為邊部氧化硅層（3）厚度的2-5倍。

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