[發明專利]一種多晶硅線痕片的制絨方法

無效

• 申請號: 201210576671.3
• 申請日: 2012-12-26
• 公開（公告）號: CN103035780A
• 公開（公告）日: 2013-04-10
• 發明（設計）人: 許穎;武濤;趙釗;陳招銀;鄭煒
• 申請（專利權）人: 太陽能光伏北京市工程研究中心有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;C30B33/10
• 代理公司: 北京紐樂康知識產權代理事務所 11210
• 代理人: 秦月貞

技術領域

本發明涉及太陽能電池技術領域，具體涉及一種多晶硅線痕片的制絨方法。?

背景技術

在能源與環境日趨緊張的今天，光伏行業得到了飛速的發展。為了節省企業的經濟成本，增加企業的經濟效益，降低生產成本、提高太陽能電池的效率已經成為眾多企業所研究的重點。如圖1所示，硅片經常容易出現線痕，線痕是影響硅片表面質量的一個重要因素，硅片質量的好壞直接關系到電池片的制造和加工，早期電池片生產所用到的硅片較厚，如今在硅片的生產過程中比較容易出現線痕問題，我們可以使用拋光研磨去除硅片線痕，光伏行業的硅片越來越薄，在原料緊缺的情況下，不可能把原料浪費在研磨損失上，而且增加工藝會增加成本，研磨工藝在太陽能電池行業是不適用的。如圖2所示，在現有制絨方法中，電池片生產過程需要利用化學腐蝕制備絨面，線痕是影響硅片表面質量的一個重要因素，線痕的存在還會影響電池片的生產工藝，電池片生產過程需要利用化學腐蝕制備絨面，線痕可能會影響腐蝕，增加電池片制備的困難并且影響轉換效率，同時從組件的角度講，影響組件外觀，長期使用易造成破片或功率衰減，大大降低了產品的使用性，造成資源的浪費，給人們帶來不便。?

發明內容

本發明的目的是提供一種多晶硅線痕片的制絨方法，以克服目前現有方法中存在的資源浪費，經濟成本高以及長期使用會造成破片或功率減退等不足。?

本發明的目的是通過以下技術方案來實現：?

一種多晶硅線痕片的制絨方法，包括以下步驟：

（1）在8℃～10℃恒溫槽內配制硝酸和氫氟酸的混合溶液，該混合溶液為制絨液；

（2）將多晶硅線痕片進行裝載，然后在制絨液中制絨清洗，清洗1～3分鐘；以及

（3）制絨清洗后，將多晶硅線痕片依次進行純水清洗、堿洗、第二次純水清洗、去離子清洗以及第三次純水清洗過程，然后將硅片在溫度為40℃的空氣下烘干，最后將硅片卸載，得到制絨后的硅片。

進一步的，所述步驟（1）中，硝酸的濃度為33%～35%，氫氟酸的濃度為5%～6%。?

優選的，所述步驟（3）中，所述堿洗溶液為：濃度為8%的氫氧化鈉溶液；所述步驟（3）中，所述去離子清洗液為：濃度為5%的鹽酸溶液。?

本發明的有益效果為：本發明的工藝過程簡單，便于操作，使用拋光和制絨一步處理，大大縮短了制絨反應時間，同時處理后的多晶硅線痕片表面形成均勻絨面，有效去除了切割所產生的線痕，有利于提高太陽能電池的工作效率，提高了電池的吸光能力，可用于大規模的生產。?

附圖說明

下面根據附圖對本發明作進一步詳細說明。?

圖1是在顯微鏡下經放大50倍的多晶硅線痕片形貌圖；?

圖2是現有制絨方法處理后，在顯微鏡下經放大50倍的多晶硅線痕片絨面形貌圖；

圖3是本發明制絨方法處理后，在顯微鏡下經放大50倍的多晶硅線痕片絨面形貌圖。

具體實施方式

本實施所述的一種多晶硅線痕片的制絨方法，包括以下步驟：?

（1）在8℃～10℃恒溫槽內配制硝酸和氫氟酸的混合溶液，該混合溶液為制絨液，其中，硝酸的濃度為33%～35%，氫氟酸的濃度為5%～6%；

（2）將多晶硅線痕片進行裝載，然后在制絨液中制絨清洗，清洗1～3分鐘；以及

（3）制絨清洗后，將多晶硅線痕片依次進行純水清洗、堿洗、第二次純水清洗、去離子清洗以及第三次純水清洗過程，然后將硅片在溫度為40℃的空氣下烘干，最后將硅片卸載，得到制絨后的硅片。

所述步驟（1）中，硝酸的濃度為33%～35%，氫氟酸的濃度為5%～6%；所述步驟（3）中，所述堿洗溶液為：濃度為8%的氫氧化鈉溶液；所述步驟（3）中，所述去離子清洗液為：濃度為5%的鹽酸溶液。?

使用本發明的制絨方法處理后，如圖3所示，硅片表面多晶硅絨面均勻，外觀良好，有利于提高太陽能電池的效率，與現有的處理方法相比，本發明在制絨槽中提高了反應溶液中硝酸的濃度，使得硅片表面的線痕很好的拋光，在相同條件下，又獲得了1～3μm且均勻的絨面，而且腐蝕掉的多晶硅的厚度為6～10μm；另外本發明使用拋光和制絨一步處理，縮短了制絨反應的時間，操作過程簡單，不僅節省了資源，而且保證了硅片的使用質量，給人們帶來方便，很具有實用性。?

雖然以上僅描述了本發明的具體實施方式范例，但是本領域的技術人員應當理解，這些僅是舉例說明，本發明的保護范圍是由所附權利要求書限定的。本領域的技術人員在不背離本發明的原理和實質的前提下，可以對這些實施方式做出多種變更或修改，但這些變更或修改均落入本發明的保護范圍。?