[發明專利]一種多晶硅線痕片的制絨方法

無效

• 申請號: 201210576671.3
• 申請日: 2012-12-26
• 公開（公告）號: CN103035780A
• 公開（公告）日: 2013-04-10
• 發明（設計）人: 許穎;武濤;趙釗;陳招銀;鄭煒
• 申請（專利權）人: 太陽能光伏北京市工程研究中心有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;C30B33/10
• 代理公司: 北京紐樂康知識產權代理事務所 11210
• 代理人: 秦月貞

1.一種多晶硅線痕片的制絨方法，其特征在于，包括以下步驟：

（1）在8℃～10℃恒溫槽內配制硝酸和氫氟酸的混合溶液，該混合溶液為制絨液；

（2）將多晶硅線痕片進行裝載，然后在制絨液中制絨清洗，清洗1～3分鐘；以及

（3）制絨清洗后，將多晶硅線痕片依次進行純水清洗、堿洗、第二次純水清洗、去離子清洗以及第三次純水清洗過程，然后將硅片在溫度為40℃的空氣下烘干，最后將硅片卸載，得到制絨后的硅片。

2.根據權利要求1所述的一種多晶硅線痕片的制絨方法，其特征在于：所述步驟（1）中，硝酸的濃度為33%～35%，氫氟酸的濃度為5%～6%。

3.根據權利要求1所述的一種多晶硅線痕片的制絨方法，其特征在于：所述步驟（3）中，所述堿洗溶液為：濃度為8%的氫氧化鈉溶液。

4.根據權利要求1所述的一種多晶硅線痕片的制絨方法，其特征在于：所述步驟（3）中，所述去離子清洗液為：濃度為5%的鹽酸溶液。