[發明專利]一種場發射陰極的處理方法無效
| 申請號： | 201210576479.4 | 申請日： | 2012-12-25 |
| 公開（公告）號： | CN103050349A | 公開（公告）日： | 2013-04-17 |
| 發明（設計）人： | 于正友;肖太升;劉雷 | 申請（專利權）人： | 青島盛嘉信息科技有限公司 |
| 主分類號： | H01J9/02 | 分類號： | H01J9/02 |
| 代理公司： | 北京科億知識產權代理事務所(普通合伙) 11350 | 代理人： | 湯東鳳 |
| 地址： | 266071 山東省青島市*** | 國省代碼： | 山東;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 發射 陰極 處理 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種場發射陰極的處理方法：
將硅片裁成20mm×20mm基片，清洗干凈；
化學氣相沉積法制備MWCNT；
取純化后的MWCNT粉末在無水乙醇中用超聲波分散，室溫下自然晾干并充分研磨，再與有機載體混合攪拌1~2小時后作為陰極漿料；
在玻璃基板上印制一層60rnm×25mm面積的銀漿薄膜電極；
銀漿尚未干燥時，及時用涂敷法在其表面制備10nunx10mm的MWCNTs薄膜，并用機械壓力反復壓制；
晾干后刷掉表面粘接不牢靠的多余碳管，并對制好的試樣進行高溫燒結；
待爐溫自然冷卻后，在樣品上焊接四根導線，并通過磁控濺射儀上預留的電極接口引出濺射室;
樣品作為磁控濺射的基片，用直流濺射方式在其表面上濺射不同厚度的超薄納米純鈦膜。
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