[發明專利]一種透明導電 TiO2/Ag/TiO2復合薄膜的制備方法有效
| 申請號: | 201210574897.X | 申請日: | 2012-12-26 |
| 公開(公告)號: | CN103060782A | 公開(公告)日: | 2013-04-24 |
| 發明(設計)人: | 范翊;劉星元;郭曉陽 | 申請(專利權)人: | 中國科學院長春光學精密機械與物理研究所 |
| 主分類號: | C23C20/08 | 分類號: | C23C20/08 |
| 代理公司: | 長春菁華專利商標代理事務所 22210 | 代理人: | 張偉 |
| 地址: | 130033 吉*** | 國省代碼: | 吉林;22 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 透明 導電 tio sub ag 復合 薄膜 制備 方法 | ||
技術領域
本發明涉及的是一種透明導電TiO2/Ag/TiO2復合薄膜的制備方法。屬于功能薄膜材料及薄膜光學領域。
背景技術
TiO2是一種寬禁帶半導體,其禁帶寬度一般為3.0-3.4?eV,廣泛用于電致發光、太陽能電池、光催化等領域。目前已有TiO2透明導電薄膜為2005年Furubayashi等制備的Nb:TiO2薄膜,需要摻雜價格昂貴的過渡族金屬元素鈮。Ag膜在可見光區具有優異的反射性能,利用誘導透射原理,通過合理的TiO2匹配可以在一定的光譜范圍內實現很好的增透效果,成為TiO2/Ag/TiO2透明導電復合薄膜。TiO2/Ag/TiO2透明導電復合薄膜可以應用于低輻射玻璃、太陽能電池電極、平板顯示器的透明電極以及電磁屏蔽等很多領域。
目前最常用的透明導電TiO2/Ag/TiO2復合薄膜是采用電子束蒸發或者濺射方法制備TiO2膜層,制備過程涉及多層膜之間的相互浸潤、薄膜生長模式、溫度等問題。Ag等貴金屬與大多數金屬氧化物的浸潤性很差。而且在制備外層TiO2時,要通入氧氣,襯底還需要加溫,很容易導致Ag氧化,同時,制備過程中離子束轟擊也會對Ag層的連續性造成破壞,發生結塊團聚成島狀的不連續成膜現象,進而影響整個膜系的導電性和透過率,因此需要在Ag層和外層TiO2之間增加金屬Ti阻擋層,而這會導致復合薄膜的導電性和透光性能下降,不利于應用。
發明內容
本發明的目的在于克服現有技術中的不足,利用摻雜和溶膠凝膠技術,提供一種成本低廉而性能優良的透明導電TiO2/Ag/TiO2復合薄膜的制備方法。
本發明是通過以下技術方案實現的:摻雜TiO2薄膜的制備方法是通過在基底上先涂布一層摻雜TiO2溶膠-凝膠,然后制備Ag膜,再涂布一層摻雜TiO2溶膠-凝膠;低溫燒結后得到導電性和透過率優良的TiO2/Ag/TiO2復合薄膜。具體包括以下步驟:
步驟1)將基底用洗潔精水溶液、無水乙醇、乙醚、丙酮、去離子水等清洗干凈;
步驟2)將鈦酸四丁酯和乙酸、無水乙醇攪拌混合,得到A溶液;將去離子水、無水乙醇、摻雜組分混合攪拌,得到B溶液;?
步驟3)將步驟2)中B溶液滴加入A溶液中,攪拌混合均勻,形成溶膠;
步驟4)將步驟3)中得到的溶膠在室溫下陳化24小時以上,得到溶膠-凝膠;
步驟5)?將步驟4)中溶膠-凝膠涂布在步驟1)的基底上;
步驟6)?將步驟5)得到的薄膜進行熱處理,空氣中熱處理溫度50-300度,保溫時間為10-30分鐘,自然冷卻;
步驟7)?將步驟6)中得到的薄膜放入電子束設備中蒸發一層Ag膜;
步驟8)?將步驟4)中溶膠-凝膠涂布在步驟7)得到的薄膜上;
步驟9)?將步驟8)得到的薄膜進行熱處理,空氣中熱處理溫度50-300度,保溫時間為10-30分鐘,自然冷卻。
上述技術方案中,在步驟1)中,所述基底為玻璃、石英、硅片或者有機膜;
上述技術方案中,所述步驟2)中鈦酸四丁酯、無水乙醇、去離子水、乙酸的任意一種在總體積中的混合比例為0.5%-80%。?
上述技術方案中,所述步驟2)中摻雜組分可以是Al、W、V、Nd、F的水溶性化合物中的一種、二種或三種。兩種化合物混合時,每一種化合物的混合比例為0.5-60%;三種化合物混合時,每一種化合物的混合比例為0.5-50%。
上述技術方案中,在步驟6)、步驟9)中得到的TiO2薄膜厚度為10-50?nm。
上述技術方案中,在步驟7)中,Ag膜厚度為8-16?nm。
本發明的透明導電TiO2/Ag/TiO2復合薄膜的制備方法具有以下的有益效果:
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C20-00 通過固態覆層化合物抑或覆層形成化合物懸浮液分解且覆層中不留存表面材料反應產物的化學鍍覆
C23C20-02 .鍍金屬材料
C23C20-06 .鍍金屬材料以外的無機材料
C23C20-08 ..鍍化合物、混合物或固溶體,例如硼化物、碳化物、氮化物
C23C20-04 ..鍍金屬
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