[發明專利]發光二極管

在審

• 申請號: 201210573096.1
• 申請日: 2012-12-26
• 公開（公告）號: CN103904203A
• 公開（公告）日: 2014-07-02
• 發明（設計）人: 賴志成
• 申請（專利權）人: 鴻富錦精密工業（深圳）有限公司;鴻海精密工業股份有限公司
• 主分類號: H01L33/62
• 分類號: H01L33/62;H01L33/48
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本發明涉及一種半導體結構，尤其涉及一種發光二極管。

背景技術

相比于傳統的發光源，發光二極管（Light?Emitting?Diode，LED）具有重量輕、體積小、污染低、壽命長等優點，其作為一種新型的發光源，已經被越來越廣泛地應用。

現有的發光二極管，通常包括一基板及固定在該基板上的一發光二極管晶粒。該發光二極管晶粒的底面向下設有一對電極，該基板的頂面上對應該發光二極管晶粒的電極形成一對錫膏層。該發光二極管晶粒的電極與該基板的錫膏層導電連接。在制造應用該發光二極管的產品或運輸該發光二極管的過程中，發光二極管晶粒及錫膏層在受到外力時容易相對于基板發生歪斜而偏離原來的位置，而影響使用甚至損毀。

發明內容

有鑒于此，有必要提供一種具有強化結構的發光二極管。

一種發光二極管，包括發光二極管晶粒、基板、形成于發光二極管晶粒上的第一電極及第二電極、形成于基板頂面上的第一錫膏層及第二錫膏層，第一錫膏層與第一電極焊接并夾置于發光二極管晶粒與基板頂面之間，第二錫膏層與第二電極焊接并夾置于發光二極管晶粒與基板頂面之間，所述第一錫膏層在基板的頂面上的投影超出所述發光二極管晶粒在基板的頂面上的投影范圍，所述第二錫膏層在基板的頂面上的投影超出所述發光二極管晶粒在基板的頂面上的投影范圍。

與現有技術相比，本發明的發光二極管中，所述第一錫膏層在基板的頂面上的投影超出所述發光二極管晶粒在基板的頂面上的投影范圍，所述第二錫膏層在基板的頂面上的投影超出所述發光二極管晶粒在基板的頂面上的投影范圍，增強了對發光二極管晶粒的支撐作用，使得所述發光二極管的結構得到強化，在受到外力的作用下不易發生變形。

附圖說明

圖1為本發明一實施例的發光二極管的剖面示意圖。

圖2為圖1中所示發光二極管的俯視示意圖。

主要元件符號說明

發光二極管10發光二極管晶粒12第一電極122第一半導體層123第二電極124有源層125外邊緣126第二半導體層127基板14第一錫膏層15外邊緣152、162第二錫膏層16底部填充膠18

如下具體實施方式將結合上述附圖進一步說明本發明。

具體實施方式