[發明專利]發光二極管

在審

• 申請號: 201210573096.1
• 申請日: 2012-12-26
• 公開（公告）號: CN103904203A
• 公開（公告）日: 2014-07-02
• 發明（設計）人: 賴志成
• 申請（專利權）人: 鴻富錦精密工業（深圳）有限公司;鴻海精密工業股份有限公司
• 主分類號: H01L33/62
• 分類號: H01L33/62;H01L33/48
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種發光二極管，包括發光二極管晶粒、基板、形成于發光二極管晶粒上的第一電極及第二電極、形成于基板頂面上的第一錫膏層及第二錫膏層，所述第一錫膏層與第一電極焊接并夾置于發光二極管晶粒與基板頂面之間，所述第二錫膏層與第二電極焊接并夾置于發光二極管晶粒與基板頂面之間，其特征在于：所述第一錫膏層在基板的頂面上的投影超出所述發光二極管晶粒在基板的頂面上的投影范圍，所述第二錫膏層在基板的頂面上的投影超出所述發光二極管晶粒在基板的頂面上的投影范圍。

2.如權利要求1所述的發光二極管，其特征在于：所述第一錫膏層、第二錫膏層分別形成于基板頂面的對角處，彼此正對、間隔設置。

3.如權利要求1所述的發光二極管，其特征在于：還包括底部填充膠，該底部填充膠填充在發光二極管晶粒與基板之間的縫隙中。

4.如權利要求3所述的發光二極管，其特征在于：該底部填充膠形成的外部輪廓呈錐形，該底部填充膠底部的外邊緣與基板的外邊緣對齊。

5.如權利要求3所述的發光二極管，其特征在于：該底部填充膠由液體脂環族環氧樹脂、球型硅微粉、環氧固化劑和促進劑、硅微粉表面處理劑制備而成。

6.如權利要求1所述的發光二極管，其特征在于：所述發光二極管晶粒包括第一半導體層、有源層及第二半導體層，所述有源層位于第一半導體層和第二半導體層之間，第一電極形成于該第一半導體層底面，第二電極形成于該第二半導體層底面。

7.如權利要求6所述的發光二極管，其特征在于：所述有源層為單量子阱結構或多量子阱結構。

8.如權利要求1所述的發光二極管，其特征在于：所述基板是塑料基板或表面設置有導電線路的陶瓷基板。