[發(fā)明專利]有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210572565.8
• 申請(qǐng)日: 2012-12-25
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103904245A
• 公開(kāi)（公告）日: 2014-07-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 周明杰;王平;鐘鐵濤;陳吉星
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L51/52
• 分類(lèi)號(hào): H01L51/52;H01L51/54;H01L51/56
• 代理公司: 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 44224
• 代理人: 王茹;黃曉慶

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及電子器件領(lǐng)域，特別是涉及有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法。

背景技術(shù)

有機(jī)電致發(fā)光器件(Organic?Light-Emitting?Diode，OLED)是基于有機(jī)材料的一種電流型半導(dǎo)體發(fā)光器件。其典型結(jié)構(gòu)是在銦錫氧化物(Indium?TinOxides，ITO)玻璃上制作一層幾十納米厚的有機(jī)發(fā)光材料作發(fā)光層，發(fā)光層上方有一層低功函數(shù)的金屬電極。其發(fā)光機(jī)理和過(guò)程是從陰、陽(yáng)兩極分別注入電子和空穴，被注入的電子和空穴在有機(jī)層內(nèi)傳輸，并在發(fā)光層內(nèi)復(fù)合，從而激發(fā)發(fā)光層分子產(chǎn)生單態(tài)激子，單態(tài)激子輻射衰減而發(fā)光。

OLED器件具有主動(dòng)發(fā)光、發(fā)光效率高、功耗低、輕、薄、無(wú)視角限制等優(yōu)點(diǎn)，被業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為是最有可能在未來(lái)的照明和顯示器件市場(chǎng)上占據(jù)霸主地位的新一代器件。作為一項(xiàng)嶄新的照明和顯示技術(shù)，OLED技術(shù)在過(guò)去的十多年里發(fā)展迅猛，取得了巨大的成就。由于全球越來(lái)越多的照明和顯示廠家紛紛投入研發(fā)，大大的推動(dòng)了OLED的產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程，使得OLED產(chǎn)業(yè)的成長(zhǎng)速度驚人，目前已經(jīng)到達(dá)了大規(guī)模量產(chǎn)的前沿。

但是，由于外部水、氧等活性物質(zhì)對(duì)有機(jī)電致發(fā)光器件的侵蝕，導(dǎo)致有機(jī)功能材料失效及電極性能的下降，所以目前有機(jī)電致發(fā)光器件普遍存在壽命短的缺陷，若使有機(jī)電致發(fā)光器件達(dá)到足夠的使用壽命，最為關(guān)鍵的就是對(duì)器件進(jìn)行有效的封裝，因此封裝的好壞直接影響器件的壽命。

發(fā)明內(nèi)容

基于此，有必要提供一種防水、氧能力強(qiáng)的有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法。

一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的陽(yáng)極基底、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極層，在所述陰極層上交替涂覆至少一層有機(jī)阻擋層和一層無(wú)機(jī)阻擋層；所述有機(jī)阻擋層的材質(zhì)為摻雜1-5mol％酞菁的金屬酞菁化合物組成的混合物，所述無(wú)機(jī)阻擋層的材質(zhì)為氧化物。

酞菁是一個(gè)大環(huán)化合物，環(huán)內(nèi)有一個(gè)空穴，可以容納鐵、銅、鈷、鋁、鋅等金屬元素，并結(jié)合生成金屬配合物，即金屬酞菁化合物，金屬原子取代了位于該平面分子中心的兩個(gè)氫原子。由于金屬元素生成配位化合物，所以在金屬酞菁分子中只有16個(gè)π電子，又由于分子的共軛作用，使得與金屬原子相連的共價(jià)鍵和配位鍵在本質(zhì)上是等同的，因此金屬酞菁化合物具有良好的光限幅性能。在金屬酞菁化合物中摻雜1-5mol％酞菁可以達(dá)到協(xié)同互補(bǔ)作用，使得它們?cè)谟袡C(jī)電致發(fā)光器件的光譜區(qū)具有良好的光敏性。

在其中一些實(shí)施例中，所述有機(jī)阻擋層和無(wú)機(jī)阻擋層均為4-6層。

在其中一些實(shí)施例中，每層所述有機(jī)阻擋層的厚度為100～200nm，每層所述無(wú)機(jī)阻擋層的厚度為50～100nm。

在其中一些實(shí)施例中，所述氧化物為T(mén)iO₂、MgO、SiO₂、ZrO₂、ZnO或Al₂O₃。

在其中一些實(shí)施例中，所述金屬酞菁化合物為酞菁銅、酞菁鋅、酞菁鐵、酞菁鈷、酞菁錳或酞菁鎳。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述無(wú)機(jī)阻擋層的材質(zhì)為T(mén)iO₂，所述有機(jī)阻擋層的材質(zhì)為摻雜5mol％酞菁的酞菁銅組成的混合物。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述陰極層為三明治結(jié)構(gòu)，兩個(gè)外層的材質(zhì)為ZnS，中間層的材質(zhì)為Ag，每個(gè)所述外層的厚度為30nm，所述中間層的厚度為10nm。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述空穴注入層的材質(zhì)為摻雜30wt％MoO₃的N，N′-二苯基-N，N′-二(1-萘基)-1，1′-聯(lián)苯-4，4′-二胺，所述空穴注入層的厚度為10nm；所述空穴傳輸層的材質(zhì)為4，4′，4″-三(咔唑-9-基)三苯胺，所述空穴傳輸層的厚度為30nm；所述發(fā)光層的材質(zhì)為摻雜5wt％三(2-苯基吡啶)合銥的1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯，所述發(fā)光層的厚度20nm；所述電子傳輸層的材質(zhì)為4，7-二苯基-1，10-菲羅啉，所述電子傳輸層的厚度為10nm；所述電子注入層的材質(zhì)為摻雜30wt％CsN₃的4，7-二苯基-1，10-菲羅啉，所述電子注入層的厚度為20nm。

上述有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟：

(1)、在陽(yáng)極基底的陽(yáng)極層表面依次層疊真空蒸鍍空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極層；

(2)、在所述陰極層上真空蒸鍍有機(jī)阻擋層；其中，所述有機(jī)阻擋層的材質(zhì)為摻雜1-5mol％酞菁的金屬酞菁化合物組成的混合物；