[發(fā)明專利]有機電致發(fā)光器件及其制備方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210572565.8
• 申請日: 2012-12-25
• 公開（公告）號: CN103904245A
• 公開（公告）日: 2014-07-02
• 發(fā)明（設計）人: 周明杰;王平;鐘鐵濤;陳吉星
• 申請（專利權）人: 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
• 主分類號: H01L51/52
• 分類號: H01L51/52;H01L51/54;H01L51/56
• 代理公司: 廣州華進聯(lián)合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 王茹;黃曉慶

1.一種有機電致發(fā)光器件，包括依次層疊的陽極基底、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極層，其特征在于，在所述陰極層上交替涂覆至少一層有機阻擋層和一層無機阻擋層；所述有機阻擋層的材質為摻雜1-5mo1％酞菁的金屬酞菁化合物組成的混合物，所述無機阻擋層的材質為氧化物。

2.根據(jù)權利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述有機阻擋層和無機阻擋層均為4-6層，每層所述有機阻擋層的厚度為100～200nm，每層所述無機阻擋層的厚度為50～100nm。

3.根據(jù)權利要求1或2所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述氧化物為TiO₂、MgO、SiO₂、ZrO₂、ZnO或Al₂O₃。

4.根據(jù)權利要求1或2所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述金屬酞菁化合物為酞菁銅、酞菁鋅、酞菁鐵、酞菁鈷、酞菁錳或酞菁鎳。

5.根據(jù)權利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述無機阻擋層的材質為TiO₂，所述有機阻擋層的材質為摻雜5mol％酞菁的酞菁銅組成的混合物。

6.根據(jù)權利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述陰極層為三明治結構，兩個外層的材質為ZnS，中間層的材質為Ag，每個所述外層的厚度為30nm，所述中間層的厚度為10nm。

7.根據(jù)權利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述空穴注入層的材質為摻雜30wt％MoO₃的N，N′-二苯基-N，N′-二(1-萘基)-1，1′-聯(lián)苯-4，4′-二胺，所述空穴注入層的厚度為10nm；所述空穴傳輸層的材質為4，4′，4″-三(咔唑-9-基)三苯胺，所述空穴傳輸層的厚度為30nm；所述發(fā)光層的材質為摻雜5wt％三(2-苯基吡啶)合銥的1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯，所述發(fā)光層的厚度20nm；所述電子傳輸層的材質為4，7-二苯基-1，10-菲羅啉，所述電子傳輸層的厚度為10nm；所述電子注入層的材質為摻雜30wt％CsN₃的4，7-二苯基-1，10-菲羅啉，所述電子注入層的厚度為20nm。

8.一種權利要求1-7任一所述的有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

(1)、在陽極基底的陽極層表面依次層疊真空蒸鍍空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極層；

(2)、在所述陰極層上真空蒸鍍有機阻擋層；其中，所述有機阻擋層的材質為摻雜1-5mol％酞菁的金屬酞菁化合物組成的混合物；

(3)、把步驟(2)制得的樣品、氟化物和氧化物一同放入磁控濺射設備中，在所述有機阻擋層上磁控濺射制備無機阻擋層；其中，所述無機阻擋層的材質為氧化物；

(4)、多次交替重復步驟(2)和步驟(3)；

待上述工藝步驟結束后，得到有機電致發(fā)光器件。

9.根據(jù)權利要求8所述的有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，步驟(2)所述真空蒸鍍中，真空度為1×10^-5Pa-1×10^-3Pa，蒸鍍速度為

10.根據(jù)權利要求8所述的有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，步驟(3)所述磁控濺射中，真空度為1×10^-5Pa-1×10^-3Pa，磁控濺射時還包括通入流量為5～10sccm的氬氣。