[發明專利]發光二極管封裝結構及其制造方法

無效

• 申請號: 201210572550.1
• 申請日: 2012-12-26
• 公開（公告）號: CN103904190A
• 公開（公告）日: 2014-07-02
• 發明（設計）人: 賴志成
• 申請（專利權）人: 鴻富錦精密工業（深圳）有限公司;鴻海精密工業股份有限公司
• 主分類號: H01L33/48
• 分類號: H01L33/48;H01L33/62;H01L21/66
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本發明涉及一種發光二極管，尤其涉及一種發光二極管封裝結構及其制造方法。

背景技術

傳統的發光二極管封裝結構，通常將發光二極管芯片封裝后粘著于一金屬基板上。同時，為了能夠將封裝后的發光二極管芯片固定于該基板上，發光二極管芯片與基板之間通常會經由銀膠等粘結材料粘接。因此，在該發光二極管封裝結構中，發光二極管芯片與基板間的界面層較多，導致發光二極管芯片產生的熱量不能快速、及時地散發掉，進而影響其生命周期及發光效率。現有的發光二極管封裝結構通過將發光二極管芯片共晶焊接于基板上，從而有效地減小了發光二極管芯片與基板之間的界面層，使發光二極管芯片產生的熱量能夠直接經由具有導熱效率較高的金屬共晶層及基板傳導出去。

共晶工藝中首先通過在發光二極管芯片的底面、基板的頂面上鍍有金屬層，發光二極管芯片由一真空吸嘴把持住并壓置于基板的頂面上，再通過在特定溫度下烘烤進行共晶焊接（eutectic?bonding）而形成金屬共晶層。然而，在特定溫度下烘烤的時間通常是一定的，只有在烘烤完成后才能對產品進行檢測，無法對共晶焊接的過程進行實時監控，效率較低。

發明內容

有鑒于此，有必要提供一種較佳的發光二極管封裝結構及其制造方法，該發光二極管封裝結構的制造方法中可以實時檢測發光二極管芯片與基板共晶焊接的效果。

一種發光二極管封裝結構的制造方法，包括以下步驟：步驟一，提供共晶焊接設備，該共晶焊接設備包括烘烤裝置、設置于烘烤裝置內的支撐臺及吸嘴，提供電阻測量儀，該電阻測量儀包括電阻探針、恒流電源及配套電腦，其中所述電阻探針容置于所述吸嘴內；步驟二，提供發光二極管芯片，該發光二極管芯片的頂部及底部兩側分別設有電極；步驟三，提供基板承載于共晶焊接設備的支撐臺上；步驟四，通過吸嘴吸取并攜帶發光二極管芯片至與基板的頂面緊密貼合；步驟五，所述烘烤裝置對發光二極管芯片及基板進行烘烤使得該發光二極管芯片與基板之間發生共晶焊接過程；步驟六，所述電阻測量儀的電阻探針與該發光二極管芯片的電極接合，使得電阻測量儀與發光二極管芯片及基板電導通并測量光二極管芯片與基板的電阻值，所述電阻測量儀的配套電腦實時記錄所測得的電阻值，當該測得的電阻值與預設的電阻值一致時，所述共晶焊接設備完成對發光二極管芯片與基板之間的共晶焊接過程。

一種由所述發光二極管封裝結構的制造方法所制造的發光二極管封裝結構，該發光二極管封裝結構包括基板、設置于基板上的發光二極管芯片及形成于發光二極管芯片與基板之間的共晶金屬層。

與現有技術相比，本發明的發光二極管封裝結構的制造方法中利用共晶焊接設備將發光二極管芯片通過共晶焊接方式結合于基板上，從而有效地減小了發光二極管芯片與基板之間的界面層，使發光二極管芯片產生的熱量能夠直接經由具有導熱效率較高的基板傳導出去，提高了發光二極管封裝結構的散熱效率。同時，在共晶焊接過程中，利用所述電阻測量儀的電阻探針測量所述發光二極管芯片與基板二者的電阻值，當測得的電阻值與預設的電阻值一致時，所述共晶焊接設備完成對發光二極管芯片與基板之間的共晶焊接過程，從而實現實時檢測發光二極管芯片與基板共晶焊接的效果。

下面參照附圖，結合實施例對本發明作進一步描述。

附圖說明

圖1是本發明一實施例的發光二極管封裝結構的制造方法的流程圖。

圖2是圖1中所示發光二極管封裝結構的制造方法的步驟S104中元件示意圖。

圖3是圖1中所示發光二極管封裝結構的制造方法的步驟S106中元件示意圖。

圖4是圖1中所示發光二極管封裝結構的制造方法中發光二極管芯片與基板之間貼合度與電阻值的關系示意圖。

圖5是圖1中所示發光二極管封裝結構的制造方法所制造的發光二極管封裝結構的示意圖。

主要元件符號說明